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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
TK10652
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10652LTRTOKO96
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TK10652MT1
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TK10652MTLTOKOSOP20
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TK10652MTRTOKO0
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TK10658D
auf Bestellung 4550 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10659
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10659MRCL10659
auf Bestellung 1969 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10659MTLTOKO2002
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10681
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TK10681MTR
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TK10682M-X
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TK10682MTL
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TK10682MTR
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TK10690MTLTOKO2004
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10690MTL-GTOKO
auf Bestellung 820 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10691MTL-GTOKO
auf Bestellung 950 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10760TOKO
auf Bestellung 2100 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10762
auf Bestellung 20 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10845MTLTOKO95 SOP
auf Bestellung 309 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10910LTOKO
auf Bestellung 20000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10930VTLTOKO1998
auf Bestellung 731 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10930VTL
Produktcode: 185372
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A50DToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A50D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 10A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A50D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 10A 500V 45W 1050pF 0.72
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.07 EUR
10+2.51 EUR
100+2.24 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A50W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A50W,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.63 EUR
50+2.27 EUR
100+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A50W,S5XToshibaMOSFETs TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A55D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 550V 10A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A55D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch 500V VDSS 700V 45W 1200pF 10A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60DToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60D (Q,M)ToshibaMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60D(LS1CN,A,QToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60D(LS1SDI,QMToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60D(LS1SO,Q,MToshibaMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60D(LS1SO6,AQToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60D(LS1SP6,QMToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60D(MURATA,QMToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60D(Q)ToshibaMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60D(Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60D(Q,M)ToshibaMOSFETs HVMOS SIS PLN,ACTIVE,
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60D(QM)ToshibaMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60D(S4LIT,XM)ToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60D(S4PI,Q,M)ToshibaMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60D(S4SA6,QMToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60D(S4SAN6,QMToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60D(S4SHR6,QMToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60D(S4TET,X,MToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60D(S4TET6,XMToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60D(STA4,A,Q)ToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET MOSFET N-ch 600V 10A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60D,S5MU6Q(JToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60D,S5Q(JToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60D,S5SA6Q(JToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60D,S5SAN6Q(JToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60D,S5SANKQ(JToshibaMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60D5
auf Bestellung 336696 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK10A60D5ToshibaMOSFET
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TK10A60D5(Q)ToshibaMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60D5(Q,M)ToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60D5(S4PHI,QMToshibaToshiba
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TK10A60DR(Q,M)ToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60DR(S4TEV,QMToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60DR(S4TEV,XMToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60DR(S4TEV,XSToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60DR(S5TEV,AXToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60DR(STA4,A,QToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60DR(STA4,Q,MToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60DR(STA4,XToshibaMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60DR(STA4,X,MToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60DR(STA4XToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60DR,S4X(SToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60DR,S5X(JToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60DSTA4,X,MToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60E,S4XToshibaMOSFET PLN MOS 600V 750mOhm (VGS=10V) TO-220SIS
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60E,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60E,S5XToshibaMOSFET PLN MOS 600V 750mOhm (VGS=10V) TO-220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60WToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60W,S4VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.27 EUR
50+3.69 EUR
100+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60W,S4VXToshibaMOSFETs N-Ch 600V 9.7A 30W DTMOSIV 700pF 20nC
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.97 EUR
10+3 EUR
100+2.67 EUR
500+2.15 EUR
1000+1.86 EUR
5000+1.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60W,S4VX(MTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30.8A; Idm: 123A; 45W; TO220FP
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 86nC
On-state resistance: 88mΩ
Drain current: 30.8A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 45W
Pulsed drain current: 123A
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60W,S4VX(MTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 327mΩ
Drain current: 9.7A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 30W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
Case: SC67
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 850 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60W,S4VX(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK10A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.327 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 30W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm
auf Bestellung 1470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+7.88 EUR
63+3.71 EUR
100+3.08 EUR
500+2.63 EUR
1000+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60W,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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TK10A60W5,S5VXToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
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TK10A60W5,S5VXToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
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1+5.74 EUR
10+2.87 EUR
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TK10A60W5,S5VXToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
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TK10A60W5,S5VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 300 V
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5+4.84 EUR
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TK10A60W5,S5VX(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK10A60W5,S5VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.35 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 762 Stücke:
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44+5.7 EUR
87+2.69 EUR
100+2.4 EUR
500+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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TK10A60W5,S5VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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TK10A60W5,S5VX(MTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67
Mounting: THT
Case: SC67
Power dissipation: 30W
Gate charge: 25nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 9.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
auf Bestellung 713 Stücke:
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25+3.42 EUR
46+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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