Produkte > WMs

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 3
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
WMS7171050P
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMS7171050SNuvoton Technology Corporation of AmericaDescription: IC POT DGTL 50K 100TAPS 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMS7171100MNuvoton Technology Corporation of AmericaDescription: IC POT DGTL 100K 100TAPS 8-MSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 330 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMS7171100PNuvoton Technology Corporation of AmericaDescription: IC POT DGTL 100K 100TAPS 8-DIP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 360 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMS7171100SNuvoton Technology Corporation of AmericaDescription: IC POT DGTL 100K 100TAPS 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMS7201050PNuvoton Technology Corporation of AmericaDescription: IC POT DIGITAL 50K 1CH SPI 8DIP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMS7202010PNuvoton Technology CorporationDescription: IC DGTL POT 10KOHM 256TAP 14DIP
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of Circuits: 2
Temperature Coefficient (Typ): 500ppm/°C
Resistance - Wiper (Ohms) (Typ): 80
Supplier Device Package: 14-PDIP
Taper: Linear
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Number of Taps: 256
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Configuration: Potentiometer
Interface: SPI
Memory Type: Non-Volatile
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Features: Cascade Pin
Tolerance: ±20%
Resistance (Ohms): 10k
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMS7202050PNuvoton Technology Corporation of AmericaDescription: IC POT DIGITAL 50K 2CH SPI 14DIP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMS7202100PNuvoton Technology Corporation of AmericaDescription: IC POT DIGITL 100K 2CH SPI 14DIP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMS7202100T
auf Bestellung 1712 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMS7204050PNuvoton Technology Corporation of AmericaDescription: IC DGTL POT 50KOHM 256TAP 20DIP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMSC004H12B2P6TWeEn SemiconductorsMOSFETs WMSC004H12B2P/WeEnPACK-B2/STANDARD MARKING*TRAY PACK,EPE OR BLISTER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMSC006H12B2P6TWeEn SemiconductorsMOSFETs WMSC006H12B2P/WeEnPACK-B2/STANDARD MARKING*TRAY PACK,EPE OR BLISTER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMSC006H12B2P6TWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WMSC006H12B2P6T - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, WeEnPACK-B2
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: WeEnPACK-B2
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+241.5 EUR
5+207.04 EUR
10+172.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMSC006H12B2S6TWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WMSC006H12B2S6T - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, WeEnPACK-B2
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: WeEnPACK-B2
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+233.7 EUR
5+201.15 EUR
10+168.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMSC008H12B1P6TWeEn SemiconductorsMOSFET Modules WMSC008H12B1P/WeEnPACK-B1/STANDARD MARKING*TRAY PACK,EPE OR BLISTER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMSC008H12B1P6TWeEn SemiconductorsCategory: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 153A; Press-in PCB; 244W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 153A
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 8mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 244W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -4...18V
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMSC008H12B2P6TWeEn SemiconductorsMOSFETs WMSC008H12B2P/WeEnPACK-B2/STANDARD MARKING*TRAY PACK,EPE OR BLISTER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMSC008H12B2P6TWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WMSC008H12B2P6T - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 157 A, 1.2 kV, 0.013 ohm, WeEnPACK-B2
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: 272W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: WeEnPACK-B2
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+168.81 EUR
5+145.54 EUR
10+122.65 EUR
50+118.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMSC010H12B1P6TWeEn SemiconductorsCategory: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 107A; Press-in PCB; 152W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 107A
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 10mΩ
Pulsed drain current: 210A
Power dissipation: 152W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -4...18V
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMSC010H12B1P6TWeEn SemiconductorsMOSFET Modules WMSC010H12B1P/WeEnPACK-B1/STANDARD MARKING*TRAY PACK,EPE OR BLISTER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMSC011F12B2P6TWeEn SemiconductorsMOSFET Modules WMSC011F12B2P/WeEnPACK-B2/STANDARD MARKING*TRAY PACK,EPE OR BLISTER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMSC016F12B2P6TWeEn SemiconductorsMOSFET Modules WMSC016F12B2P/WeEnPACK-B2/STANDARD MARKING*TRAY PACK,EPE OR BLISTER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMSC016H12B1P6TWeEn SemiconductorsCategory: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 85A; Press-in PCB; Idm: 170A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 16mΩ
Pulsed drain current: 170A
Power dissipation: 146W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -4...18V
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMSC020B12B1P-B6TWeEn Semiconductors WMSC020B12B1P-B/WeEnPACK-B1,WeEnPACK-B1/STANDARD MARKING*TRAY PACK,EPE OR BLISTER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMSC020B12B1P-C6TWeEn SemiconductorsMOSFET Modules WMSC020B12B1P-C/WeEnPACK-B1,WeEnPACK-B1/STANDARD MARKING*TRAY PACK,EPE OR BLISTER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMSC020F12B1P-B6TWeEn SemiconductorsMOSFET Modules WMSC020F12B1P-B/WeEnPACK-B1/STANDARD MARKING*TRAY PACK,EPE OR BLISTER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMSC020H12B1P6TWeEn SemiconductorsMOSFET Modules WMSC020H12B1P/WeEnPACK-B1/STANDARD MARKING*TRAY PACK,EPE OR BLISTER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMSC020H12B1P6TWeEn SemiconductorsCategory: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 70A; Press-in PCB; Idm: 140A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 70A
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 118W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -4...18V
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMSC030B12B1P-F6TWeEn SemiconductorsMOSFET Modules WMSC030B12B1P-F/WeEnPACK-B1,WeEnPACK-B1/STANDARD MARKING*TRAY PACK,EPE OR BLISTER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMSC030F12B1P-B6TWeEn SemiconductorsMOSFET Modules WMSC030F12B1P-B/WeEnPACK-B1/STANDARD MARKING*TRAY PACK,EPE OR BLISTER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMSC030H12B1P6TWeEn SemiconductorsCategory: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 53A; Press-in PCB; Idm: 100A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 53A
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 30mΩ
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 111W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -4...18V
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMSC030H12B1P6TWeEn SemiconductorsMOSFET Modules WMSC030H12B1P/WeEnPACK-B1/STANDARD MARKING*TRAY PACK,EPE OR BLISTER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMSC040B12B1P-C6TWeEn SemiconductorsMOSFET Modules WMSC040B12B1P-C/WeEnPACK-B1,WeEnPACK-B1/STANDARD MARKING*TRAY PACK,EPE OR BLISTER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMSC040B12B1P-D6TWeEn SemiconductorsMOSFET Modules WMSC040B12B1P-D/WeEnPACK-B1,WeEnPACK-B1/STANDARD MARKING*TRAY PACK,EPE OR BLISTER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMSC040F12B1P-B6TWeEn SemiconductorsMOSFET Modules WMSC040F12B1P-B/WeEnPACK-B1/STANDARD MARKING*TRAY PACK,EPE OR BLISTER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 128 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMSC040H12B1P6TWeEn SemiconductorsMOSFET Modules WMSC040H12B1P/WeEnPACK-B1/STANDARD MARKING*TRAY PACK,EPE OR BLISTER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMSC040H12B1P6TWeEn SemiconductorsCategory: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 45A; Press-in PCB; Idm: 90A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 45A
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 40mΩ
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 105W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -4...18V
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMSC040S12B1P6TWeEn SemiconductorsMOSFETs WMSC040S12B1P/WeEnPACK-B1/STANDARD MARKING*TRAY PACK,EPE OR BLISTER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMSL-A-90ABB Installation ProductsWire Labels & Markers WMC VIN 6EA 0-15 4EA 16-90 2EA A-Z
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMSRC1PanduitWire Ducting Wire Mgmt Relief Clip
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMSRC1Panduit CorpDescription: WIRE MANAGEMENT RELIEF CLIP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMSRC2Panduit CorpDescription: WIRE MANAGEMENT STRAIN RELIEF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMSRC2PanduitWire Ducting WIRE MGMT STRAIN RELIEF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 3