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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI4058DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4058DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4921 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI4058DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4058DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4058DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4058DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4060-B0B-FMSilicon LabsDescription: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4060-B0B-FMSilicon LabsQFN 20/I°/TX SI4060QFN
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4060-B0B-FMRSilicon LabsQFN 20/-40 TO 85 OC/TX SI4060
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4060-B1B-FMSilicon Laboratories+13 dBm Sub-GHz Transmitter
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 490 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4060-B1B-FMSilicon LabsDescription: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 1807 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.38 EUR
10+8.13 EUR
25+7.69 EUR
80+7.18 EUR
230+6.75 EUR
490+6.47 EUR
980+6.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4060-B1B-FMSilicon LabsRF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4060-B1B-FMSilicon Laboratories+13 dBm Sub-GHz Transmitter
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 490 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4060-B1B-FMSilicon LabsQFN 20/-40 TO 85 OC/+13DBM SI4060 EZRADIOPRO® TRANSMITTER SI4060
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4060-B1B-FMRSilicon LabsRF Transceiver +13 dBm sub-GHz transmitter
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4060-B1B-FMRSilicon Laboratories+13 dBm Sub-GHz Transmitter
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4060-B1B-FMRSilicon LabsDescription: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
DigiKey Programmable: Not Verified
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Current - Transmitting: 18mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Applications: General Purpose
Power - Output: 13dBm
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Data Interface: PCB, Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+5.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4060-B1B-FMRSilicon LabsQFN 20/-40 TO 85 OC/+13DBM SI4060 EZRADIOPRO® TRANSMITTER SI4060
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4060-B1B-FMRSilicon LabsDescription: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Current - Transmitting: 18mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Applications: General Purpose
Power - Output: 13dBm
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Data Interface: PCB, Surface Mount
DigiKey Programmable: Not Verified
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 7504 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SI4060-C2A-AMSilicon LabsRF Transmitter Transceiver AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 490 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4060-C2A-AMRSilicon LabsRF Transmitter Transceiver AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4060-C2A-GMSilicon LabsRF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.95 EUR
10+8.27 EUR
100+7.46 EUR
250+6.7 EUR
500+5.68 EUR
1000+5.65 EUR
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SI4060-C2A-GMSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4060-C2A-GMSilicon LabsDescription: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Modulation or Protocol: 802.15.4
Data Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.3V
Power - Output: 12.5dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4060-C2A-GMSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 490 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4060-C2A-GMSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI4060-C2A-GM - ZF-Sender, 142MHz bis 1.05GHz, 4(G)FSK,MSK, OOK, 1MB/s, 24mA, 13dBm Ausgang, 1.8V bis 3.8V, QFN-20
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 24mA
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 13dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
HF-Primärfunktion: Sender
Frequenz, min.: 142MHz
Anwendungen HF-Sender: Garagentor-/Türöffner, Sicherheits-/Alarmanlagen, Systemüberwachung, Hausautomatisierung, RKE-System
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfindlichkeit (dBm): -
SVHC: To Be Advised
HF/IF-Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, MSK, GMSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 1Mbps
Frequenzgang HF, max.: 1.05GHz
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Frequenzgang HF, min.: 142MHz
Versorgungsspannung, max.: 3.8V
Frequenz, max.: 1.05GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 1180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI4060-C2A-GMSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 490 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4060-C2A-GMRSilicon LabsRF Transceiver +13 dBm sub-GHz transmitter
auf Bestellung 4104 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.46 EUR
10+5.18 EUR
25+5.09 EUR
100+4.99 EUR
250+4.93 EUR
500+4.88 EUR
1000+4.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4060-C2A-GMRSilicon LabsDescription: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Modulation or Protocol: 802.15.4
Data Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.3V
Power - Output: 12.5dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4060-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4062DYVishay / SiliconixMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4062DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4062DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO Силові MOSFET-модулі
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4062DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4062DY-T1-GE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 32.1A, 150DEG C, 7.8W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 2194 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4062DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 30 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4062DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4062DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 14442 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.38 EUR
10+2.81 EUR
100+1.92 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.4 EUR
2500+1.26 EUR
5000+1.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4062DY-T1-GE3
Produktcode: 209529
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4062DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 25.7A; 5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18.8nC
On-state resistance: 4.2mΩ
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 25.7A
Drain-source voltage: 60V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4062DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 30 V
auf Bestellung 3911 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.05 EUR
10+2.58 EUR
100+1.76 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4063-B0B-FMSilicon LabsDescription: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Current - Transmitting: 85mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Applications: General Purpose
Power - Output: 20dBm
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Data Interface: PCB, Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4063-B0B-FMSilicon LabsQFN 20/I°/TX SI4063
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4063-B0B-FMRSilicon LabsQFN 20/I°/TX SI4063
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4063-B1B-FMSilicon LabsDescription: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 85mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4063-B1B-FMSilicon LabsRF Transceiver +20 dBm sub-GHz transmitter
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4063-B1B-FM
Produktcode: 170485
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Modulare Elemente > IC Radiomodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4063-B1B-FMSilicon Laboratories+20 dBm Sub-GHz Transmitter
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4063-B1B-FMSilicon LabsQFN 20/I°/+20DBM SI4063 EZRADIOPRO TRANSMITTER SI4063QFN
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4063-B1B-FMRSilicon Laboratories+20 dBm Sub-GHz Transmitter
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4063-B1B-FMRSilicon LabsDescription: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Current - Transmitting: 85mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Applications: General Purpose
Power - Output: 20dBm
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Data Interface: PCB, Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 14883 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.52 EUR
10+9.97 EUR
25+9.44 EUR
100+8.7 EUR
250+8.26 EUR
500+7.95 EUR
1000+7.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4063-B1B-FMRSilicon Laboratories+20 dBm Sub-GHz Transmitter
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4063-B1B-FMRSilicon LabsQFN 20/-40 TO 85 OC/+20DBM SI4063 EZRADIOPRO® TRANSMITTER SI4063
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4063-B1B-FMRSilicon LabsDescription: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 85mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+6.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4063-B1B-FMRSilicon Laboratories+20 dBm Sub-GHz Transmitter
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4063-B1B-FMRSilicon LabsRF Transceiver +20 dBm sub-GHz transmitter
auf Bestellung 6416 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.29 EUR
10+7.22 EUR
25+6.89 EUR
100+6.47 EUR
250+6.18 EUR
500+6.01 EUR
1000+5.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4063-C2A-AMSilicon LabsRF Transmitter Transceiver AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 490 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4063-C2A-AMRSilicon LabsRF Transmitter Transceiver AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4063-C2A-GMSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4063-C2A-GMSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray
auf Bestellung 438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4063-C2A-GMSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray
auf Bestellung 438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4063-C2A-GMSilicon LabsRF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.95 EUR
10+11.65 EUR
100+9.04 EUR
250+8.13 EUR
500+6.85 EUR
1000+6.75 EUR
2450+6.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4063-C2A-GMSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI4063-C2A-GM - HF-Transmitter, 142MHZ bis 1.05GHz, 4GFSK, GFSK, GMSK, OOK, 1Mbit/s, 1.8 bis 3.6V, QFN-EP-20
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 68.5mA
Bauform - HF-IC: QFN-EP
Ausgangsleistung (dBm): 20dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
HF-Primärfunktion: Sender
Frequenz, min.: 142MHz
Anwendungen HF-Sender: Heimautomation, industrielle Steuerung, Fernsteuerung, Smart-Metering
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfindlichkeit (dBm): -
SVHC: To Be Advised
HF/IF-Modulation: 4GFSK, GFSK, GMSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 1Mbps
Frequenzgang HF, max.: 1.05GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Frequenzgang HF, min.: 142MHz
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 1.05GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 2240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4063-C2A-GMSilicon LabsDescription: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Modulation or Protocol: 802.15.4
Data Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 89mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4063-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4063-C2A-GMRSilicon LabsDescription: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Current - Transmitting: 89mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Applications: General Purpose
Power - Output: 20dBm
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Data Interface: SPI
Modulation or Protocol: 802.15.4
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4063-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.83 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4063-C2A-GMRSilicon LabsRF Transceiver +20 dBm sub-GHz transmitter
auf Bestellung 4119 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.35 EUR
10+10.53 EUR
25+9.82 EUR
100+8.63 EUR
250+8.19 EUR
500+7.35 EUR
1000+6.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4063-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.83 EUR
33+4.99 EUR
100+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4063-C2A-GMRSilicon LabsDescription: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Modulation or Protocol: 802.15.4
Data Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 89mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4063-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+11.88 EUR
17+10.38 EUR
25+9.14 EUR
100+8.02 EUR
250+7.1 EUR
500+6.21 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4063-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI407DNPLCCVISHAY
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4090BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SO-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3570 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 7.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta), 18.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2611 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.73 EUR
10+2.25 EUR
100+1.67 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4090BDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4090BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18.7 A, 8400 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 7.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
auf Bestellung 12765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4090BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SO-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3570 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 7.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta), 18.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4090BDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4090BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18.7 A, 8400 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 7.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 7.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0084ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
auf Bestellung 12765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4090DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 649 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2.43 EUR
86+1.99 EUR
92+1.78 EUR
118+1.33 EUR
250+1.27 EUR
500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4090DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 50 V
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.61 EUR
10+2.31 EUR
100+1.56 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4090DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4090DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19.7 A, 8000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4090DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4090DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4090DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 25896 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+2.51 EUR
100+1.69 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.24 EUR
2500+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI40SL0116-70T
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI40SL0416-75T
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI41IDECEnclosures, Boxes, & Cases METAL BOX/SCAT. P41/44
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI410SIEMENS01+ SOP
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4100DY-T1
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4100DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.04 EUR
5000+0.96 EUR
7500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4100DY-T1-E3
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4100DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 16317 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4100DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V
auf Bestellung 28185 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.71 EUR
10+2.37 EUR
100+1.59 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4100DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4100DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4100DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2055 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4100DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4100DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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SI4100DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4100DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8
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SI4100DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4100DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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