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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
RF1S30N06LESMonsemi / FairchildMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S30N06LESM9AHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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RF1S30N06LESM9A
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RF1S30N06LESM9Aonsemi / FairchildMOSFET
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RF1S30N06LESMR4365
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RF1S30P05Harris CorporationDescription: MOSFET P-CH 50V 30A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 1040 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
281+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 281 Stücke
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RF1S30P05
auf Bestellung 3555 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RF1S30P05HARRISRF1S30P05
auf Bestellung 1040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
292+2.26 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 292 Stücke
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RF1S30P05SM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RF1S30P06
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RF1S30P06Harris CorporationDescription: 30A, 60V, 0.065OHM, P-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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RF1S30P06SMHARRISRF1S30P06SM
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
156+4.25 EUR
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
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RF1S30P06SM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RF1S30P06SMHarris CorporationDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S30P06SM9AHarris CorporationDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
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RF1S40N10
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RF1S40N10LEHarris CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 40A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 1368 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
186+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S40N10LEHARRISRF1S40N10LE
auf Bestellung 730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
244+2.7 EUR
500+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
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RF1S40N10LEHARRISRF1S40N10LE
auf Bestellung 638 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
244+2.7 EUR
500+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
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RF1S40N10LE
auf Bestellung 4322 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RF1S40N10LESM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S40N10SM
Produktcode: 129177
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Transistoren > MOSFET N-CH
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RF1S40N10SMON Semiconductor / FairchildMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S40N10SMHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
auf Bestellung 1375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
185+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 185 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S40N10SMFAIRCHILD07+ TO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S40N10SM9AON Semiconductor / FairchildMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S41N03LSM
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S42N03
auf Bestellung 2344 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S42N03LHarris CorporationDescription: 42A, 30V, 0.025 OHMS, N-CHANNEL
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
400+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S42N03LHARRISRF1S42N03L
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
295+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 295 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S42N03L
auf Bestellung 5555 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S42N03LSM
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S42N03LSM9A
auf Bestellung 803 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S45N02LHarris CorporationDescription: 45A, 20V, 0.022OHM, N-CHANNEL LO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 45A, 5V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
auf Bestellung 999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
363+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 363 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S45N02LHARRISRF1S45N02L
auf Bestellung 999 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+1.45 EUR
505+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S45N02LSMHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
404+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 404 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S45N02LSM
auf Bestellung 8500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S45N02LSM9AHARRISRF1S45N02LSM9A
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
494+1.33 EUR
549+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 494 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S45N02LSM9AHARRISRF1S45N02LSM9A
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
494+1.33 EUR
549+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 494 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S45N02LSM9AHARRISRF1S45N02LSM9A
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
494+1.33 EUR
549+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 494 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S45N02LSM9AHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
395+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 395 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S45N03L
auf Bestellung 24960 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S45N03LHARRISRF1S45N03L
auf Bestellung 484 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
284+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S45N03LHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 45A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
auf Bestellung 770 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
333+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 333 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S45N03LHARRISRF1S45N03L
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
284+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S45N03LS
auf Bestellung 13600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S45N03LSM
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S45N03LSM9AHARRIS98+ ZIP
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S45N03LSNM9A
auf Bestellung 13600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S45N06LEHarris CorporationDescription: 45A, 60V, 0.028OHM, N-CHANNEL,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 45A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
310+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 310 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S45N06LEHARRISRF1S45N06LE
auf Bestellung 1530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+2.51 EUR
500+2.21 EUR
1000+2 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S45N06LESMHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
auf Bestellung 843 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
310+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 310 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S45N06LESM9AHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
317+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 317 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S45N06SMHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A
Supplier Device Package: TO-263AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
325+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 325 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S4N100SM9AHarris CorporationDescription: MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO263AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
89+6.81 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S50N06Harris CorporationDescription: 50A, 60V, 0.022 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
auf Bestellung 2746 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
197+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 197 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S50N06LEHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 4042 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
190+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S50N06LESMHARRISRF1S50N06LESM
auf Bestellung 862 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
261+2.53 EUR
500+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 261 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S50N06LESMHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 5V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
auf Bestellung 1705 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
209+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S50N06LESMHARRISRF1S50N06LESM
auf Bestellung 843 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
261+2.53 EUR
500+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 261 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S50N06SMFAIRCHILD07+ TO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S50N06SM9AON SemiconductorRF1S50N06SM9A
auf Bestellung 6056 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
271+2.44 EUR
500+2.17 EUR
1000+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 271 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S50N06SM9AONSEMIDescription: ONSEMI - RF1S50N06SM9A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 9898 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 382 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S50N06SM9A
auf Bestellung 711 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S50N06SM9AON SemiconductorRF1S50N06SM9A
auf Bestellung 1036 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
271+2.44 EUR
500+2.17 EUR
1000+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 271 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S50N06SM9AFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
auf Bestellung 7154 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
216+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 216 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S50N06SM9AS2551Harris CorporationDescription: MOSFET 60V 50A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 653 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
200+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S530SM9AHarris CorporationDescription: 14A, 100V, 0.16OHM, N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
258+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 258 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S530SM9AONSEMIDescription: ONSEMI - RF1S530SM9A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 11640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 378 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S530SM9AON SemiconductorRF1S530SM9A
auf Bestellung 11640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
268+2.46 EUR
500+2.19 EUR
1000+1.98 EUR
10000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 268 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S530SM9AS2457HARRISRF1S530SM9AS2457
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
268+2.46 EUR
500+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 268 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S540Harris CorporationDescription: 28A, 100V, 0.077 OHM, N-CHANNEL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Bulk
auf Bestellung 4101 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
249+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 249 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S540SFAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S630HarrisСНЯТ С ПРОИЗВОДСТВА Транзистори
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+12.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S630SMHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
auf Bestellung 2098 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
197+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 197 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S630SM9AHARRISRF1S630SM9A
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
237+2.8 EUR
500+2.48 EUR
1000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 237 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S630SM9AHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
189+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S640
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S640Harris CorporationDescription: 18A, 200V, 0.180 OHM, N-CHANNEL
auf Bestellung 3985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
217+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 217 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S640SM
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S640SMHarris CorporationDescription: MOSFET N-CH 200V 18A TO263AB
auf Bestellung 805 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
119+5.3 EUR
Mindestbestellmenge: 119 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S640SM9A
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S70N03
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S70N03Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 70A TO262AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
auf Bestellung 789 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
164+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S70N03SM
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S70N03SM9A
auf Bestellung 2069 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S70N06
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S70N06Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 70A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S70N06SMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 70A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
144+4.59 EUR
500+4.3 EUR
1000+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 144 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S70N06SMIntersilN-CH 70 A 60 V 0,014 Om TO-263AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S70N06SM
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S70N06SMONSEMIDescription: ONSEMI - RF1S70N06SM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 149 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S70N06SMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
auf Bestellung 6785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
109+4.87 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S70N06SM9AONSEMIDescription: ONSEMI - RF1S70N06SM9A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
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rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S70N06SM9AFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
108+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S70N06SM9AON SemiconductorRF1S70N06SM9A
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
142+4.66 EUR
500+4.36 EUR
1000+4.03 EUR
Mindestbestellmenge: 142 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S70N06SM9A
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S9530Harris CorporationDescription: -12A, -100V, 0.3 OHM, P-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
auf Bestellung 5418 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
142+3.76 EUR
Mindestbestellmenge: 142 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S9530HARRISRF1S9530
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
187+3.55 EUR
500+3.3 EUR
1000+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 187 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF1S9530HARRISRF1S9530
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
187+3.55 EUR
500+3.3 EUR
1000+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 187 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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