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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
PSMN2R2-40BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8423 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R2-40PS
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R2-40PSNexperiaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R2-40PSNXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PSMN2R2-40BS - POWE
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
202+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R2-40PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.45 EUR
74+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R2-40PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R2-40PS,127NexperiaMOSFET PSMN2R2-40PS/SOT78/SIL3P
auf Bestellung 3720 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.94 EUR
10+5.82 EUR
50+5.49 EUR
100+4.71 EUR
250+4.44 EUR
500+4.19 EUR
1000+3.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R2-40PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8423 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R2-40PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.45 EUR
74+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R2-40PS,127
Produktcode: 72841
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R2-40PS127NXP USA Inc.Description: 100A, 40V, 0.0022OHM, N CHANNE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R2-40YSBXNexperia USA Inc.Description: PSMN2R2-40YSB/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5173 pF @ 20 V
auf Bestellung 1485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.39 EUR
10+2.15 EUR
100+1.45 EUR
500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R2-40YSBXNexperia USA Inc.Description: PSMN2R2-40YSB/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5173 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R2-40YSBXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 180A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R2-40YSBXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 40V 180A
auf Bestellung 1893 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.44 EUR
10+2.2 EUR
100+1.46 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.01 EUR
1500+0.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R2-40YSDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 180A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 20 V
auf Bestellung 1235 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.57 EUR
10+2.93 EUR
100+2 EUR
500+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R2-40YSDXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 40V 180A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R2-40YSDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 180A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R3-100SSEJNexperiaMOSFETs SOT1235 100V 255A N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R3-100SSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R3-100SSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 255 A, 0.0018 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 255A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 914 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.47 EUR
23+10.14 EUR
100+8.09 EUR
500+7.58 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R3-100SSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 255A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R3-100SSEJNexperia USA Inc.Description: APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 255A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17200 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R3-100SSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R3-100SSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 255 A, 0.0018 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 255A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 914 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.47 EUR
23+10.14 EUR
100+8.09 EUR
500+7.58 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R3-100SSEJNexperia USA Inc.Description: APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 255A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17200 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R3-100SSJJNexperia USA Inc.Description: PSMN2R3-100SSJ/SOT1235/LFPAK88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 255A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 395 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29960 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R3-80SSFNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R3-80SSF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 2300 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 341W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
auf Bestellung 2217 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.45 EUR
25+9.42 EUR
100+6.96 EUR
500+5.55 EUR
1000+5.14 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R3-80SSFJNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 240A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R3-80SSFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 184 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 40 V
auf Bestellung 1935 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.12 EUR
10+6.76 EUR
100+4.86 EUR
500+4.03 EUR
1000+3.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R3-80SSFJNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 240A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R3-80SSFJNexperiaMOSFETs NextPower 80 V, 2.3 mOhm, 240 Amp, N-channel MOSFET in LFPAK88 package
auf Bestellung 2498 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.76 EUR
10+5.78 EUR
100+4.52 EUR
500+4.05 EUR
1000+3.94 EUR
2000+3.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R3-80SSFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 184 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R4-30MLD/2XNexperiaMOSFET MOSFET-LOW VOLT SOT1210/MLFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R4-30MLD115Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 114053 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1087 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R4-30MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R4-30MLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3264 pF @ 15 V
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R4-30MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
270+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 270 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R4-30MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R4-30MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.65 EUR
3000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R4-30MLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3264 pF @ 15 V
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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PSMN2R4-30MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.65 EUR
3000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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PSMN2R4-30MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
270+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 270 Stücke
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PSMN2R4-30MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R4-30MLDXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 30V 70A
auf Bestellung 1371 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.45 EUR
10+1.52 EUR
100+1.02 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.69 EUR
1500+0.63 EUR
3000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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PSMN2R4-30YLD/2XNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 30V 100A
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R4-30YLD/2XNexperia USA Inc.Description: PSMN2R4-30YLD/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2256 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R4-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
445+1.46 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 445 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R4-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R4-30YLDXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 30V 100A
auf Bestellung 641 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+1.44 EUR
100+0.95 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.64 EUR
1500+0.58 EUR
3000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R4-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R4-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R4-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2256 pF @ 15 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R4-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R4-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R4-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R4-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R4-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R4-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R4-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2256 pF @ 15 V
auf Bestellung 1592 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.31 EUR
15+1.45 EUR
100+0.95 EUR
500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R5-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3468 pF @ 12 V
auf Bestellung 1036 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.84 EUR
12+1.81 EUR
100+1.2 EUR
500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R5-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R5-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3468 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R5-30YL,115NexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.89 EUR
10+1.83 EUR
100+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R5-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R5-40YLBXNexperia USA Inc.Description: PSMN2R5-40YLB/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5627 pF @ 20 V
auf Bestellung 1425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.84 EUR
12+1.81 EUR
100+1.2 EUR
500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R5-40YLBXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 40V 160A
auf Bestellung 1867 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.89 EUR
10+1.83 EUR
100+1.21 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.82 EUR
1500+0.76 EUR
4500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R5-40YLBXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R5-40YLBXNexperia USA Inc.Description: PSMN2R5-40YLB/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5627 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R5-40YLD/2XNexperia USA Inc.Description: PSMN2R5-40YLD/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5583 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R5-40YLD/2XNexperiaMOSFET MOSFET-LOW VOLT SOT669/LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R5-40YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 160A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5583 pF @ 20 V
auf Bestellung 6741 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.62 EUR
10+2.31 EUR
100+1.55 EUR
500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R5-40YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R5-40YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 160A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5583 pF @ 20 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.07 EUR
3000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R5-40YLDXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 40V 160A
auf Bestellung 1731 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.42 EUR
10+2.14 EUR
100+1.43 EUR
500+1.13 EUR
1000+0.98 EUR
1500+0.89 EUR
3000+0.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R5-40YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
354+1.84 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 354 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R5-60PL127Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R5-60PLQNexperiaMOSFET PSMN2R5-60PL/SOT78/SIL3P
auf Bestellung 4869 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.95 EUR
10+5.84 EUR
50+5.51 EUR
100+4.74 EUR
250+4.46 EUR
500+4.21 EUR
1000+3.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R5-60PLQNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R5-60PLQNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+5.7 EUR
500+5.32 EUR
1000+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R5-60PLQNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R5-60PLQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 0.002 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.29 EUR
39+6.1 EUR
100+4.56 EUR
500+4.31 EUR
1000+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R5-60PLQNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 1048 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+5.7 EUR
500+5.32 EUR
1000+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R5-80SSEJNexperia USA Inc.Description: POWERMOS ASFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13485 pF @ 40 V
auf Bestellung 894 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.83 EUR
10+7.93 EUR
100+5.71 EUR
500+4.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R5-80SSEJNexperiaMOSFETs PSMN2R5-80SSE/SOT1235/LFPAK88
auf Bestellung 1592 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.57 EUR
10+9.09 EUR
50+7.16 EUR
100+6.56 EUR
1000+5.24 EUR
2000+5.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R5-80SSEJNexperia USA Inc.Description: POWERMOS ASFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13485 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R6-100SSFNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R6-100SSF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 2600 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 341W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
auf Bestellung 488 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.49 EUR
23+10.14 EUR
100+7.47 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R6-100SSFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12838 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R6-100SSFJNexperiaMOSFETs PSMN2R6-100SSF/SOT1235/LFPAK88
auf Bestellung 2341 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.48 EUR
10+8.33 EUR
50+6.56 EUR
100+5.99 EUR
1000+4.69 EUR
2000+4.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R6-100SSFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12838 pF @ 50 V
auf Bestellung 1943 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.87 EUR
10+6.58 EUR
100+4.72 EUR
500+3.93 EUR
1000+3.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R6-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R6-30YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2435 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R6-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R6-30YLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R6-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.00235 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.54V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00235ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1418 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+2.17 EUR
195+1.19 EUR
269+0.8 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R6-30YLC,115NXPMOSFET N-CH 30V 100A LFPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R6-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R6-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R6-30YLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R6-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2350 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.54V
Verlustleistung: 106W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm
auf Bestellung 2461 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.32 EUR
91+2.57 EUR
137+1.57 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R6-30YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2435 pF @ 15 V
auf Bestellung 1371 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.84 EUR
12+1.8 EUR
100+1.19 EUR
500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R6-30YLC,115NexperiaMOSFETs PSMN2R6-30YLC/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 5481 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.64 EUR
10+1.64 EUR
100+1.08 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.67 EUR
1500+0.64 EUR
3000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R6-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.74 EUR
101+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R6-40YSNexperiaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R6-40YS
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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