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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STP4NK60ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.86 EUR
10+2.78 EUR
100+2.09 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.54 EUR
2000+1.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
144+1.23 EUR
150+1.13 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 144 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK60ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP4NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.75 EUR
81+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK60ZSTMicroelectronicsN-канальный ПТ MOSFET , Vdss В = 600, Id = 4 A, Ptot, Вт = x,... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
auf Bestellung 979 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.11 EUR
50+2.5 EUR
100+2.25 EUR
500+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK60ZSTTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2Ohm; 4A; 70W; -55°C ~ 150°C; STP4NK60Z TSTP4NK60Z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK60Z
Produktcode: 2561
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
STTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 15 St.
  • 15 St. - stock Köln
auf Bestellung: 126 St.
  • 126 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.83 EUR
10+0.68 EUR
100+0.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK60ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+2.5 EUR
43+1.99 EUR
49+1.77 EUR
62+1.38 EUR
100+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK60Z
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK60ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 6780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+2.36 EUR
100+1.96 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK60ZFPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP4NK60ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 2 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
auf Bestellung 1309 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.9 EUR
105+2.23 EUR
122+1.76 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK60ZFPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
auf Bestellung 5454 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.46 EUR
50+2.7 EUR
100+2.44 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.81 EUR
2000+1.69 EUR
5000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK60ZFPSTMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 4 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 510 @ 25, Qg, нКл = 26 @ 10 В, Rds = 2 Ом @ 2 A, 10 В, Ugs(th) = 4,5 В @ 50 мкА, Р, Вт = 25 Вт, Тексп, °C = до +150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220FP Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK60ZFP
Produktcode: 3364
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
STTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 510/18.8
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung: 103 St.
  • 103 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.83 EUR
10+0.68 EUR
100+0.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK60ZFPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; 25W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+3.08 EUR
37+2.31 EUR
43+1.99 EUR
52+1.65 EUR
59+1.45 EUR
100+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK60ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 6794 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+4.16 EUR
75+2.28 EUR
100+1.86 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK60ZFPSTTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2Ohm; 4A; 25W; -55°C ~ 150°C; STP4NK60ZFP TSTP4NK60ZFP
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK60ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK60ZFPSTMicroelectronicsMOSFETs PowerMESH Zener SuperMESH
auf Bestellung 1059 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.46 EUR
10+3.52 EUR
100+2.4 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK60ZFPSTMN-кан. MOSFET 600V, 4.0A, 1.76Ом, 25Вт, TO-220FP (Zener-Protected SuperMESH) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK60ZFP-E
auf Bestellung 144003 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK60ZPST09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4732 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
138+1.29 EUR
145+1.2 EUR
500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 138 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK80Z
Produktcode: 2322
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
STTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 800 V
Drain-Strom Idd, A: 4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,9 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 575/22.5
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK80ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 80W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.89A
Power dissipation: 80W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.56 EUR
32+2.69 EUR
38+2.25 EUR
49+1.75 EUR
58+1.48 EUR
100+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2685 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK80ZSTMТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+1.94 EUR
139+1.23 EUR
146+1.12 EUR
500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK80ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 Volt 3.0 A Zener SuperMESH
auf Bestellung 1043 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.3 EUR
10+2.64 EUR
100+2.23 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.8 EUR
2000+1.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2685 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK80ZSTN-MOSFET 3A 800V 80W 3Ω STP4NK80Z TSTP4NK80
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK80ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V
auf Bestellung 843 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.28 EUR
50+2.61 EUR
100+2.34 EUR
500+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK80ZFPSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 800V-3ohms Zener SuperMESH 3A
auf Bestellung 1353 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.87 EUR
10+2.78 EUR
100+2.26 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK80ZFPSTMТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK80ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK80ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK80ZFPSTMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 800, Ciss, пФ @ Uds, В = 575 @ 25, Qg, нКл = 22,5 @ 10 В, Rds = 3,5 Ом @ 1,5 A, 10 В, Ugs(th) = 4,5 В @ 50 мкА, Р, Вт = 25, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK80ZFPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 3A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V
auf Bestellung 1570 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.87 EUR
50+2.92 EUR
100+2.63 EUR
500+2.13 EUR
1000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK80ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK80ZFP
Produktcode: 216453
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK80ZFPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 25W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.89A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 221 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+3.36 EUR
28+3.05 EUR
31+2.8 EUR
37+2.33 EUR
50+1.7 EUR
61+1.39 EUR
100+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK80ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK80ZTO220
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK90FI
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NM60
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NА60 (Transistor)
Produktcode: 48418
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP5-3Phoenix ContactUnspecified Connectors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP50Banner Engineering CorporationDescription: CABLE MOD 8P8C PLUG TO PL 50.84'
Features: Molded Plugs
Packaging: Box
Connector Type: Plug to Plug
Color: Black
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Length: 50.84' (15.50m)
Shielding: Shielded
Number of Positions/Contacts: 8p8c (RJ45, Ethernet)
Cable Type: Round Cable
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STP50Banner EngineeringEthernet Cables / Networking Cables Cordset: Double-Ended RJ45; 8-pin Straight Male; 8-pin Straight Male; 15.5 m 8x24 Black PVC Shielded Jacket; PVC Black
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STP50102152STATICTECCategory: ESD Bags and Foils
Description: Protection bag; ESD; L: 152mm; W: 102mm; Thk: 76um; 100pcs; <100GΩ
Type of antistatic accessories: protection bag
Version: ESD
Length: 152mm
Width: 102mm
Thickness: 76µm
Closing system: adhesive strip
Material: metallized bubble film bag
Surface resistance: <100GΩ
Kind of protective bag: bubble; metallised; shielding
Conform to the norm: ANSI ESD S541; EN 61340-5-1
Quantity in set/package: 100pcs.
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+29.36 EUR
5+27.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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STP50152254STATICTECCategory: ESD Bags and Foils
Description: Protection bag; ESD; L: 254mm; W: 152mm; Thk: 76um; 100pcs; <100GΩ
Type of antistatic accessories: protection bag
Version: ESD
Length: 254mm
Width: 152mm
Thickness: 76µm
Closing system: adhesive strip
Material: metallized bubble film bag
Surface resistance: <100GΩ
Kind of protective bag: bubble; metallised; shielding
Conform to the norm: ANSI ESD S541; EN 61340-5-1
Quantity in set/package: 100pcs.
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+60.8 EUR
4+57.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STP50203305STATICTECCategory: ESD Bags and Foils
Description: Protection bag; ESD; L: 305mm; W: 203mm; Thk: 76um; 100pcs; <100GΩ
Version: ESD
Material: metallized bubble film bag
Type of antistatic accessories: protection bag
Thickness: 76µm
Length: 305mm
Width: 203mm
Quantity in set/package: 100pcs.
Surface resistance: <100GΩ
Closing system: adhesive strip
Conform to the norm: ANSI ESD S541; EN 61340-5-1
Kind of protective bag: bubble; metallised; shielding
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+89.7 EUR
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STP50406508STATICTECCategory: ESD Bags and Foils
Description: Protection bag; ESD; L: 508mm; W: 406mm; Thk: 76um; 100pcs; <100GΩ
Type of antistatic accessories: protection bag
Version: ESD
Length: 508mm
Width: 406mm
Thickness: 76µm
Quantity in set/package: 100pcs.
Closing system: adhesive strip
Conform to the norm: ANSI ESD S541; EN 61340-5-1
Material: metallized bubble film bag
Surface resistance: <100GΩ
Kind of protective bag: bubble; metallised; shielding
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STP50N05
auf Bestellung 7684 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STP50N05FI
auf Bestellung 18530 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STP50N05L
auf Bestellung 18530 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STP50N05LFI
auf Bestellung 18530 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STP50N06
Produktcode: 62656
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Transistoren > MOSFET N-CH
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STP50N06ST MICROELECTRONICS-n 60V 0.028 50.0A 125W TO-220
auf Bestellung 1164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+4.47 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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STP50N06STMicroelectronicsMOSFETs
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STP50N06F1
auf Bestellung 15 Stücke:
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STP50N06FI
auf Bestellung 98000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STP50N06L
auf Bestellung 18530 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STP50N06LFI
auf Bestellung 18530 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STP50N60DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.92 EUR
10+9.32 EUR
100+7.5 EUR
500+6.66 EUR
1000+5.9 EUR
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STP50N60DM6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 23A; Idm: 137A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 137A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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STP50N60DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 36A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.72 EUR
50+7.35 EUR
100+6.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STP50N60DM6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP50N60DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.07 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.57 EUR
22+10.58 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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STP50N65DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 74 mOhm typ., 33 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package
auf Bestellung 743 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.46 EUR
10+10.86 EUR
100+8.82 EUR
500+7.83 EUR
1000+6.91 EUR
2000+6.89 EUR
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STP50N65DM6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; Idm: 120A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 52.5nC
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 91mΩ
Pulsed drain current: 120A
Polarisation: unipolar
Drain current: 33A
Kind of channel: enhancement
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STP50N65DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 33A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 100 V
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STP50N65DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STP50NE06
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STP50NE06L
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STP50NE08ST
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STP50NE08STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 80 Volt 50 Amp
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STP50NE08STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 80V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STP50NE10STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 100 Volt 50 Amp
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STP50NE10
Produktcode: 124984
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP50NE10STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP50NE10
auf Bestellung 18530 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STP50NE10LST
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP50NE10LSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 100 Volt 50 Amp
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STP50NF06
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STP50NF06FI
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP50NF25STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 250V 45A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 25 V
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.87 EUR
50+2.94 EUR
100+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP50NF25STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.62 EUR
73+2.33 EUR
76+2.17 EUR
100+1.99 EUR
500+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP50NF25STMicroelectronicsMOSFETs N Ch 250V 0.21 15A Pwr MOSFET
auf Bestellung 1514 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.99 EUR
10+3.01 EUR
100+2.73 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.18 EUR
2000+2.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP50NF25STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP50NF25STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 588 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.61 EUR
74+2.37 EUR
76+2.24 EUR
100+2.09 EUR
500+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP52SAMSUMBGA
auf Bestellung 3325 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP520
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP520H100CFP
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP52N25M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 250V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 772 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP52N25M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 250V 28A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP52N25M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 250V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 772 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP52P3LLH6STMicroelectronicsMOSFET P-channel 30 V, 0.01 Ohm typ 52 A STripFET H6 Power MOSFET
auf Bestellung 2393 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP52P3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CHANNEL 30V 52A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.36 EUR
10+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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