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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2N5878Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5878Microchip TechnologyDescription: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N5878 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN GP Amp
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.09 EUR
10+12.7 EUR
20+11.98 EUR
100+10.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5878 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 80V 10A TO-3
Power - Max: 150 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: TO-3
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2.5A, 10A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 220 Stücke
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2N5879MOT
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N5879HARRIS2N5879
auf Bestellung 1805 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+138.81 EUR
100+129.97 EUR
500+120.48 EUR
1000+111.24 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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2N5879Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5879Harris CorporationDescription: TRANS PNP 60V 15A TO-3
Power - Max: 160 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Supplier Device Package: TO-3
Frequency - Transition: 4MHz
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA (ICBO)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1805 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+144.83 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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2N5879Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 60V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-3
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N587AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N588MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N5880Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 80V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-3
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N5880Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5880Microchip TechnologyDescription: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N5880MOT01+ TO-3
auf Bestellung 4050 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N5880 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 80V 15A 160W TH TRANSISTOR-BIPOL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.75A, 15A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 2A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-3
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 160 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 160 Stücke
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2N5880 PBFREECentral Semiconductor2N5880 PBFREE
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 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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2N5880 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 80V 15A PNP
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.6 EUR
10+12.71 EUR
100+9.38 EUR
500+9.34 EUR
1000+8.57 EUR
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2N5880 TIN/LEADCentral Semiconductor2N5880 TIN/LEAD
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 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5880 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 15A 160W
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2N5881Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N5881MOT01+ TO-3
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5881Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 60V 15A
Packaging: Bulk
Transistor Type: NPN
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 160 W
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5881Semelab (TT electronics)Trans GP BJT NPN 60V 15A 160000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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2N5882Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 15A TO-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Supplier Device Package: TO-3
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 160 W
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5882Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-3
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N5882Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5882MOT01+ TO-3
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N5883Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 60V 25A 3-Pin(2+Tab) TO-3
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N5883On SemiconductorТранзистори
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2N5883Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5883MOT01+ TO-3
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N5883On SemiconductorPNP, Uкэ=60V, Iк=25A, h21=20...100, 200Вт, 4МГц, TO-204 (TO-3) Транзистори
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2N5883Microchip TechnologyDescription: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N5883onsemiBipolar Transistors - BJT 25A 60V 200W PNP
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2N5883 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch
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2N5883 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch
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2N5883-QR-BSemelab (TT electronics)2N5883-QR-B
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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2N5883-QR-BWelwyn Components / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT BIPOLAR POWER TRANSISTOR
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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2N5883GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 25A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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2N5883GonsemiBipolar Transistors - BJT 25A 60V 200W PNP
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2N5883GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 25A TO204
Power - Max: 200 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Tray
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2N5883GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5883G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 25 A, 200 W, TO-204, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 4
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Übergangsfrequenz ft: 4
Bauform - Transistor: TO-204
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 2NXXXX
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 25
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N5883GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 25A TO204
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 W
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
36+15.07 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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2N5884onsemiBipolar Transistors - BJT 25A 80V 200W PNP
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2N5884ST/ON
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N5884MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N5884 - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -80V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Verlustleistung Pd: 200
Übergangsfrequenz ft: 4
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 25
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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2N5884Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5884EVVODescription: SILICON PNP POWER TRANSISTORS,TO
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2N5884ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
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2N5884Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 80V 25A 3-Pin(2+Tab) TO-3
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5884Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
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2N5884 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS PNP 80V 25A TO-3
Power - Max: 200 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Supplier Device Package: TO-3
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 180 Stücke
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2N5884 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP Power SW
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2N5884 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 25A 200W
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2N5884GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5884G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 25 A, 200 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 25A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5884GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 25A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5884GonsemiBipolar Transistors - BJT 25A 80V 200W PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5884GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 25A TO204
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 200 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5885Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5885STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5885EVVODescription: SILICON NPN POWER TRANSISTORS,TO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5885onsemiBipolar Transistors - BJT 25A 60V 200W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5885Vishay SemiconductorsBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5885MOT01+ TO-3
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5885 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Power SW
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.43 EUR
10+12.38 EUR
20+11.21 EUR
100+10.28 EUR
260+9.67 EUR
500+9.07 EUR
1000+8.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5885 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 60V 25A TO-3
Power - Max: 200 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Supplier Device Package: TO-3
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5885 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 60Vcbo 60Vceo 5.0Vebo 5.0V 200W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5885GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 25A TO204
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 W
auf Bestellung 3092 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
64+8.43 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5885GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 25A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 2572 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+7.83 EUR
100+7.33 EUR
500+6.78 EUR
1000+6.28 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5885GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 25A TO204
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Tray
Power - Max: 200 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5885GON Semiconductor
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5885GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 25A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+5.55 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5885GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5885G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 25 A, 200 W, TO-204, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 4
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Übergangsfrequenz ft: 4
Bauform - Transistor: TO-204
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 2NXXXX
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 25
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5885GonsemiBipolar Transistors - BJT 25A 60V 200W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5885GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 25A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5886On SemiconductorТранзистори
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2N5886MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N5886 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Verlustleistung Pd: 200
Übergangsfrequenz ft: 4
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 25
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 563 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.31 EUR
16+14.61 EUR
100+13.01 EUR
250+12.02 EUR
500+11.84 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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2N5886Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5886Microchip TechnologyDescription: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N5886CDILTranzystor NPN; 100; 200W; 80V; 25A; 4MHz; -65°C ~ 200°C; [Attention: Vcesat 1,4 2N5886 T2N5886
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+9.87 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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2N5886Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 25A 3-Pin(2+Tab) TO-3
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+24.68 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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2N5886STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Power Switching
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2N5886EVVODescription: SILICON NPN POWER TRANSISTORS,TO
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2N5886CDILTranzystor NPN; 100; 200W; 80V; 25A; 4MHz; -65°C ~ 200°C; [Attention: Vcesat 1,4 2N5886 T2N5886
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+9.87 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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2N5886Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 25A 3-Pin(2+Tab) TO-3
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+241.72 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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2N5886onsemiBipolar Transistors - BJT 25A 80V 200W NPN
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2N5886 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 25A 200W
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2N5886 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 25A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3
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 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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2N5886.MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N5886. - TRANSISTOR, NPN TO-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
auf Bestellung 954 Stücke:
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15+17.4 EUR
17+13.67 EUR
22+9.91 EUR
50+8.97 EUR
100+8.91 EUR
250+8.83 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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2N5886GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5886G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 25 A, 200 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 4hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 25A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.2 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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2N5886GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 25A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 4814 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+7.59 EUR
100+7.1 EUR
500+6.59 EUR
1000+6.08 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
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2N5886GonsemiBipolar Transistors - BJT 25A 80V 200W NPN
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2N5886GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 25A TO204
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Tray
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Power - Max: 200 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
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2N588AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N589MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N589AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N59CAN
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N590MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
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2N5900
auf Bestellung 100 Stücke:
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