Produkte > Jan
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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| JANTXV2N2907AUBP/TR | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Part Status: Active Supplier Device Package: UB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N2907AUBP/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT TR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N2907UB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 193 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N2907UB | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 193 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N2907UB/TR | Microchip Technology | Microchip Technology Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 189 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| Jantxv2N2919 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| Jantxv2N2919 | Microsemi HI-REL [MIL] | Description: TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| Jantxv2N2919/TR | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| Jantxv2N2919L | Microsemi HI-REL [MIL] | Description: TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| Jantxv2N2919L | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| Jantxv2N2919L/TR | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N2919U | Microchip Technology | Description: TRANS 2NPN 60V 0.03A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N2919U | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N2919U/TR | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N2919U/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N2920 | Microchip Technology | Description: TRANS 2NPN 60V 0.03A TO-78 Qualification: MIL-PRF-19500/355 Grade: Military Supplier Device Package: TO-78-6 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Operating Temperature: 200°C (TJ) Transistor Type: 2 NPN (Dual) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-78-6 Metal Can Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N2920 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N2920A | Microchip Technology | Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| Jantxv2N2920L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| Jantxv2N2920L | Microchip Technology | Description: TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78 Qualification: MIL-PRF-19500/355 Grade: Military Supplier Device Package: TO-78-6 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Power - Max: 350mW Operating Temperature: 200°C (TJ) Transistor Type: 2 NPN (Dual) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-78-6 Metal Can Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| Jantxv2N2920L/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| Jantxv2N2920U | Microchip Technology | Description: TRANS 2NPN 60V 0.03A Qualification: MIL-PRF-19500/355 Grade: Military Supplier Device Package: 6-SMD DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Power - Max: 350mW Operating Temperature: 200°C (TJ) Transistor Type: 2 NPN (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-SMD, No Lead Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N2920U/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N2920U/TR | Microchip Technology | Description: TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT Qualification: MIL-PRF-19500/355 Grade: Military Supplier Device Package: 6-SMD DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Power - Max: 350mW Operating Temperature: 200°C (TJ) Transistor Type: 2 NPN (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N2944A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| Jantxv2N2945A | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 20V 0.1A TO46 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 500mV Supplier Device Package: TO-46 (TO-206AB) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 400 mW Qualification: MIL-PRF-19500/382 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| Jantxv2N2945A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N2945AUB | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 20V 0.1A UB Power - Max: 400 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: UB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 500mV Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Bulk Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/382 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N2945AUB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| Jantxv2N2945AUB/TR | Microchip Technology | Description: TRANSISTOR SMALL-SIGNAL BJT Power - Max: 400 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: UB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 500mV Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: MIL-PRF-19500/382 Grade: Military | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| Jantxv2N2945AUB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| Jantxv2N2946A | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 35V 0.1A TO46 Power - Max: 400 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-46 (TO-206AB) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1mA, 500mV Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can Packaging: Bulk Qualification: MIL-PRF-19500/382 Grade: Military | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N2946AUB | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 35V 0.1A UB Power - Max: 400 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: UB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1mA, 500mV Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N2946AUB/TR | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1mA, 500mV Supplier Device Package: UB Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V Power - Max: 400 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N2946AUB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| Jantxv2N3019 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 1A TO-5 Qualification: MIL-PRF-19500/391 Grade: Military Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-5 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| Jantxv2N3019 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 800mW Small-Signal BJT THT | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| Jantxv2N3019/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N3019A | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-5AA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N3019A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 800mW Small-Signal BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N3019P | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 800mW PinD Small-Signal BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N3019P | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-5AA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 800 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N3019S | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 800mW Small-Signal BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N3019S | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 1A TO-39 Qualification: MIL-PRF-19500/391 Grade: Military Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-39 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N3019S/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N3055 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 70V 15A TO3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 3.3A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Supplier Device Package: TO-3 (TO-204AA) Grade: Military Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V Power - Max: 6 W Qualification: MIL-PRF-19500/407 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N3055 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| Jantxv2N3057A | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 1A TO46-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V Supplier Device Package: TO-46-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 116 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| Jantxv2N3057A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 500mW Small-Signal BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 116 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| Jantxv2N3057A/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT BJTs | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 115 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N3250A | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT BJTs | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N3250A | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.2A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 360 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N3250AUB | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.2A UB Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V Supplier Device Package: UB Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 360 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N3250AUB/TR | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N3250AUB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N3251A | Microsemi Corporation | Description: TRANS PNP 60V 0.2A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 360 mW Qualification: MIL-PRF-19500/323 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N3251AUB | Microsemi Corporation | Description: TRANS PNP 60V 0.2A UB Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Supplier Device Package: UB Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 360 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| Jantxv2N3418 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 60V 3A TO5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 2V Supplier Device Package: TO-5AA Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| Jantxv2N3418 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| Jantxv2N3418S | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 60V 3A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 2V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| Jantxv2N3418S | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N3419 | Microsemi HI-REL [MIL] | Description: TRANS NPN 80V 3A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N3419 | auf Bestellung 117 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| Jantxv2N3419S | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 3A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| Jantxv2N3419S | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| Jantxv2N3420 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| Jantxv2N3420 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 60V 3A TO5 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| Jantxv2N3420S | Microsemi HI-REL [MIL] | Description: TRANS NPN 60V 3A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| Jantxv2N3420S | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N3421 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N3421 | auf Bestellung 204 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTXV2N3421 | MACOM Technology Solutions | Description: TRANS NPN 80V 3A TO5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 5µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V Supplier Device Package: TO-5 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| JANTXV2N3421 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 3A TO5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V Supplier Device Package: TO-5 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N3421L | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V Supplier Device Package: TO-5AA Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N3421L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N3421P | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N3421P | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V Supplier Device Package: TO-5AA Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N3421S | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 3A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/393 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N3421U4 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N3421U4 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 3A U4 Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 300nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V Supplier Device Package: U4 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N3439 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 350V 1A TO39 Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Bulk Qualification: MIL-PRF-19500/368 Grade: Military Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-39 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 2µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N3439 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 350V 1A 800mW Power BJT THT | auf Bestellung 119 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| JANTXV2N3439 | MICROSEMI | 2N3439JANTXV 2N3439 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N3439L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 350V 1A 800mW Long-Lead Power BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N3439L | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTXV2N3439L | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 350V 1A TO5 Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-5 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Qualification: MIL-PRF-19500/368 Grade: Military Current - Collector Cutoff (Max): 2µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 109 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N3439P | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 350V 1A 800mW PinD Test Power BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N3439U4 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 350 V Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N3439U4 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 350V 1A UA Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N3439UA | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 350V 1A 800mW Power BJT SMT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N3439UA | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 350V 1A UA Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 2µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: UA Grade: Military Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 800 mW Qualification: MIL-PRF-19500/368 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N3439UA | MICROSEMI | Trans GP BJT NPN 350V 1A 4-Pin UA 2N3439UA Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N3439UA/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 350V 1A 800mW Power BJT SMT TR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N3439UA/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 350V 1A UA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 2µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: UA Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 800 mW Qualification: MIL-PRF-19500/368 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N3440 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 250V 1A 800mW Power BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N3440 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 250V 1A TO-39 Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-39 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 2µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Bulk Qualification: MIL-PRF-19500/368 Grade: Military | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N3440 | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTXV2N3440L | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 111 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N3440L | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 250V 1A TO5 Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-5 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 2µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Packaging: Bulk Qualification: MIL-PRF-19500/368 Grade: Military | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N3440U4 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |