Produkte > si3
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| SI3474B-A01-IM | Skyworks Solutions | Octal Ethernet port PSE with up to 4 90W 802.3bt ports | auf Bestellung 260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI3474B-A01-IM | Skyworks Solutions Inc. | Description: OCTAL ETHERNET PORT PSE WITH UP Power - Max: 90 W Number of Channels: 8 Part Status: Active Auxiliary Sense: No Supplier Device Package: 56-QFN (8x8) Standards: 802.3at (PoE), 802.3bt Internal Switch(s): No Current - Supply: 17mA Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Type: Controller (PSE) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad Packaging: Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI3474B-A01-IM | Skyworks Solutions | Octal Ethernet port PSE with up to 4 90W 802.3bt ports | auf Bestellung 3640 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI3474B-A01-IM | Skyworks Solutions | Octal Ethernet port PSE with up to 4 90W 802.3bt ports | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 260 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI3474B-A01-IM | Skyworks Solutions | Octal Ethernet port PSE with up to 4 90W 802.3bt ports | auf Bestellung 260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI3474B-A01-IM | Skyworks Solutions, Inc. | Power Switch ICs - POE/LAN 802.3bt 90W 4 Port PoE PSE Controller | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI3474B-A01-IM | Skyworks Solutions | Octal Ethernet port PSE with up to 4 90W 802.3bt ports | auf Bestellung 3640 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI3474B-A01-IMR | Skyworks Solutions, Inc. | Power Switch ICs - POE/LAN 802.3bt 90W 4 Port PoE PSE Controller | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI3474B-A01-IMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: OCTAL ETHERNET PORT PSE WITH UP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Type: Controller (PSE) Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Current - Supply: 17mA Internal Switch(s): No Standards: 802.3at (PoE), 802.3bt Supplier Device Package: 56-QFN (8x8) Auxiliary Sense: No Part Status: Active Number of Channels: 8 Power - Max: 90 W | auf Bestellung 7958 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI3474B-A01-IMR | Skyworks Solutions | Octal Ethernet port PSE with up to 4 90W 802.3bt ports | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI3474B-A01-IMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: OCTAL ETHERNET PORT PSE WITH UP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Type: Controller (PSE) Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Current - Supply: 17mA Internal Switch(s): No Standards: 802.3at (PoE), 802.3bt Supplier Device Package: 56-QFN (8x8) Auxiliary Sense: No Part Status: Active Number of Channels: 8 Power - Max: 90 W | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI3474B-A02-IM | Skyworks Solutions, Inc. | Power Switch ICs - POE/LAN 802.3bt 90W 4 Port PoE PSE Controller | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 260 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI3474B-A02-IM | Skyworks Solutions Inc. | Description: IEEE 802.3BT FOUR ETHERNET PORT Packaging: Tray Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Type: Controller (PSE) Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 50V ~ 57V Current - Supply: 17mA Internal Switch(s): Both Standards: 802.3at (PoE+), 802.3af (PoE), 802.3bt Supplier Device Package: 56-QFN (8x8) Auxiliary Sense: No Number of Channels: 4 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 260 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI3474B-A02-IMR | Skyworks Solutions, Inc. | Power Switch ICs - POE/LAN 802.3bt 90W 4 Port PoE PSE Controller | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI3474B-A02-IMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: IEEE 802.3BT FOUR ETHERNET PORT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Type: Controller (PSE) Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 50V ~ 57V Current - Supply: 17mA Internal Switch(s): Both Standards: 802.3at (PoE+), 802.3af (PoE), 802.3bt Supplier Device Package: 56-QFN (8x8) Auxiliary Sense: No Number of Channels: 4 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI3474DV-T1-BE3 | Vishay | Trans MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI3474DV-T1-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TSOP6 100V 3.8A N-CH MOSFET | auf Bestellung 61185 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI3474DV-T1-BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 3.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI3474DV-T1-BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 3.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V | auf Bestellung 6759 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI3474DV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI3474DV-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 3.8A; Idm: 14A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.8A Pulsed drain current: 14A Power dissipation: 2.33W Case: SC74; TSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 126mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI3474DV-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI3474DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.8 A, 0.102 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - Verlustleistung: 3.6W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm | auf Bestellung 5443 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI3474DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A 6TSOP Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI3474DV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 6-Pin TSOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI3474DV-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 100V Vds 20V Vgs TSOP-6 | auf Bestellung 652 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI3474DV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI3474DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A 6TSOP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 17085 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI3475DV | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI3475DV Produktcode: 50923
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| Vishay | Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: TSOP-6 Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V Drain-Strom Id, A: 0,59 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,37 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 500/11,7 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI3475DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 200V 950MA 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.61Ohm @ 900mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI3475DV-T1-E3 | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI3475DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI3475DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI3476DV-T1-BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 3.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 4.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI3476DV-T1-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TSOP6 N-CH 80V 3.5A | auf Bestellung 8650 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI3476DV-T1-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 4.6A 6-Pin TSOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI3476DV-T1-BE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 3.7A; Idm: 18A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 3.7A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 3.6W Case: SC74; TSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 93mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.9nC Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI3476DV-T1-BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 3.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 4.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2294 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI3476DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 4.6A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 40 V | auf Bestellung 26582 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI3476DV-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 4.6A; Idm: 18A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 4.6A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 3.6W Case: SC74; TSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 126mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI3476DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 4.6A 6TSOP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 3.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI3476DV-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 80V Vds 20V Vgs TSOP-6 | auf Bestellung 41345 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI3476DV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 4.6A 6-Pin TSOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI3477DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 6 V | auf Bestellung 10246 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI3477DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI3477DV-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI3477DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.0175 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 4.2W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm | auf Bestellung 2054 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI3477DV-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -12V Vds 10V Vgs TSOP-6 | auf Bestellung 15253 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI3477DV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI3477DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 6 V | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI3477DV-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI3477DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.0175 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 4.2W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm | auf Bestellung 2054 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI3477DV-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8A; Idm: -40A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -8A Pulsed drain current: -40A Power dissipation: 4.2W Case: SC74; TSOP6 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 33mΩ Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI3480-A01-GM | Silicon Labs | Hot Swap Voltage Controllers 8-port Power Manager to be used with Si3452/3 PSE Port ControllersSi3480-A01-GM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI3480-A01-GM | Silicon Labs | Description: IC CTLR 4/8-PORT POE 20-QFN | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 91 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI3480-A01-GM | Silicon Labs | QFN 20/I°/8-port Power Manager to be used with Si3452/3 PSE Port Controller SI3480 Anzahl je Verpackung: 91 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI3480-A01-GMR | Silicon Labs | Description: IC CTLR 4/8-PORT POE 20-QFN | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI3480-A01-GMR | Silicon Labs | QFN 20/I°/8-PORT POWER MANAGER TO BE USED WITH SI3452/3 PSE PORT CONTROLLER SI3480QFN Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI3480-A01-GMR | Silicon Labs | Hot Swap Voltage Controllers 8-port Power Manager to be used with Si3452/3 PSE Port Controllers | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI3480MS8-KIT | Silicon Labs | -40 TO 85 OC/8-PORT POWER MANAGER EVAL KIT TO BE USED WITH SI3452/3 PSE POR EVALKIT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI3480MS8-KIT | Silicon Labs | Power Management IC Development Tools 8p Pwr Mngr Eval Kit Si3452/3PSE Prt Ctrl | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI3480MS8-KIT | Skyworks Solutions Inc. | Description: KIT EVAL 8PORT SI3480/52/SI3500 Embedded: No Supplied Contents: Board(s), Cable(s) Utilized IC / Part: Si3452, Si3480, Si3500 Type: Power Management Function: Power Over Ethernet (POE), PSE Packaging: Box | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI3481DV-T1 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI3481DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI3481DV-T1-E3 | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI3481DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI3481DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI3481DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI3482-A01-GM | Skyworks Solutions | Power Over Ethernet PSE Controller 2.7V 3.6V 30W 24-Pin QFN EP | auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI3482-A01-GM | Skyworks Solutions | Power Over Ethernet PSE Controller 2.7V 3.6V 30W 24-Pin QFN EP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 75 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI3482-A01-GM | Skyworks Solutions | Power Over Ethernet PSE Controller 2.7V 3.6V 30W 24-Pin QFN EP | auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI3482-A01-GM | Silicon Labs | Hot Swap Voltage Controllers 12/24/48-port Power Manager to be used with Si3452/3 PSE Port Controllers | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI3482-A01-GM | Silicon Labs | QFN 24/I°/12/24/48-PORT POWER MANAGER TO BE USED WITH SI3452/3 PSE PORT CON SI3482QFN Anzahl je Verpackung: 91 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI3482-A01-GM | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC POE CNTRL 24-48 PORT 24QFN Auxiliary Sense: No Supplier Device Package: 24-QFN (4x4) Standards: 802.3at (PoE+), 802.3af (PoE) Internal Switch(s): No Current - Supply: 12.1mA Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Type: Power Manager Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 24-WFQFN Exposed Pad Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 91 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI3482-A01-GMR | Silicon Labs | Hot Swap Voltage Controllers 12/24/48-port Power Manager to be used with Si3452/3 PSE Port Controllers | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI3482-A01-GMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC POE CNTRL 24-48 PORT 24QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 24-WFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Type: Power Manager Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Current - Supply: 12.1mA Internal Switch(s): No Standards: 802.3at (PoE+), 802.3af (PoE) Supplier Device Package: 24-QFN (4x4) Auxiliary Sense: No | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI3483-A02-GM | Silicon Labs / Bluegiga | Hot Swap Voltage Controllers 64 Port PSE Power Manager IC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI3483CDV | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI3483CDV-T1-BE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI3483CDV-T1-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TSOP6 P-CH 30V 6.1A | auf Bestellung 36532 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI3483CDV-T1-BE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V | auf Bestellung 4279 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI3483CDV-T1-E3 | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI3483CDV-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI3483CDV-T1-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs -30V Vds 20V Vgs TSOP-6 | auf Bestellung 6806 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI3483CDV-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI3483CDV-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI3483CDV-T1-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI3483CDV-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.034 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 2W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm | auf Bestellung 935 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI3483CDV-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI3483CDV-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V | auf Bestellung 832 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI3483CDV-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI3483CDV-T1-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI3483CDV-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.034 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 2W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm | auf Bestellung 935 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI3483CDV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI3483CDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V | auf Bestellung 74918 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI3483CDV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 78000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI3483CDV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI3483CDV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI3483CDV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI3483CDV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI3483CDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V | auf Bestellung 72000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI3483CDV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI3483CDV-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7A; Idm: -25A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -7A Pulsed drain current: -25A Power dissipation: 4.2W Case: SC74; TSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 53mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 804 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI3483CDV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 804 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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