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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2SA1878-7100ShindengenBipolar Transistors - BJT
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2SA1878-7112ShindengenBipolar Transistors - BJT
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2SA1879-4100ShindengenBipolar Transistors - BJT
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2SA1879-4112ShindengenBipolar Transistors - BJT
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2SA1879-7000ShindengenBipolar Transistors - BJT
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2SA1879-7012ShindengenBipolar Transistors - BJT
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2SA1879-7100ShindengenBipolar Transistors - BJT
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2SA1879-7112ShindengenBipolar Transistors - BJT
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2SA188NECCAN
auf Bestellung 841 Stücke:
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2SA1880-4012ShindengenBipolar Transistors - BJT
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2SA1880-4112ShindengenBipolar Transistors - BJT
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2SA1880-7000ShindengenBipolar Transistors - BJT
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2SA1880-7012ShindengenBipolar Transistors - BJT
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2SA1880-7100ShindengenBipolar Transistors - BJT
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2SA1880-7112ShindengenBipolar Transistors - BJT
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2SA1881-6-TB(IS6)
auf Bestellung 12000 Stücke:
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2SA1882
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2SA1882T-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1882T-TD-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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2SA1882T-TD-EonsemiDescription: BIP PNP 1.5A 15V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2959+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2959 Stücke
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2SA1887ToshibaBipolar Transistors - BJT 220NIS2 PLS PLNN,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07),
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2SA1887TOSHIBATO-220 10+
auf Bestellung 1200 Stücke:
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2SA1887 (F)ToshibaBipolar Transistors - BJT
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2SA1887(F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 10A TO220NIS
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: TO-220NIS
Frequency - Transition: 45MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
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2SA1887FTOSHIBA
auf Bestellung 2100 Stücke:
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2SA189NECCAN
auf Bestellung 657 Stücke:
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2SA1890KESENES09+
auf Bestellung 200018 Stücke:
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2SA1890-RKESENES09+
auf Bestellung 41988 Stücke:
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2SA18900RLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 80V 1A MINIP3-F1
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: MiniP3-F1
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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2SA1890GRLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 80V 1A MINIP3-F2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: MiniP3-F2
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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2SA1896KESENES09+
auf Bestellung 200018 Stücke:
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2SA1896-S(AM/S2N)
auf Bestellung 123000 Stücke:
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2SA1896S-TD
auf Bestellung 372 Stücke:
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2SA1898
auf Bestellung 8000 Stücke:
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2SA1898S-TDSANYO99+ SOT-89
auf Bestellung 1000 Stücke:
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2SA18H
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2SA19NECCAN
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2SA190
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2SA1900
Produktcode: 131728
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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2SA1900ROHMSOT223
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2SA1900ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
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2SA1900 T100QROHMSOT89-AL
auf Bestellung 28000 Stücke:
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2SA1900 T100Q SOT89-AL PROHM
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2SA1900-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: PNP SIGNAL TRANSISTOR,SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Supplier Device Package: SOT-89
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
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2SA1900-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP SIGNAL TRANSISTOR,SOT-89
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2SA1900/QROHMSOT-89
auf Bestellung 9960 Stücke:
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2SA1900T100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
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2SA1900T100QRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 1A MPT3
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
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2SA1900T100QRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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2SA1900T100QROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 50V 1A SO-89
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2SA1900T100QRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 1A MPT3
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: MPT3
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1900T100Q/ALROHMSOT-89
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1900T100QSOT89-ALROHM
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1902
auf Bestellung 17400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1903
auf Bestellung 17400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1907Sanken Electric Company, Ltd.Trans GP BJT PNP 80V 6A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.48 EUR
100+2.33 EUR
250+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
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2SA1907Sanken Electric Company, Ltd.Trans GP BJT PNP 80V 6A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+3.47 EUR
100+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
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2SA1907Sanken Electric Company, Ltd.Trans GP BJT PNP 80V 6A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.58 EUR
47+3.74 EUR
51+3.37 EUR
100+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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2SA1907Sanken Electric USA Inc.Description: TRANS PNP 80V 6A TO-3PF
Supplier Device Package: TO-3PF
Frequency - Transition: 20MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2A, 4V
Power - Max: 60 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 12A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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2SA1908Sanken Electric USA Inc.Description: TRANS PNP 120V 8A TO-3PF
Power - Max: 75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Supplier Device Package: TO-3PF
Frequency - Transition: 20MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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2SA1909Sanken Electric USA Inc.Description: TRANS PNP 140V 10A TO-3PF
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Power - Max: 80 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3PF
Frequency - Transition: 20MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1909Sanken Electric Company, Ltd.Trans GP BJT PNP 140V 10A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF
auf Bestellung 929 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+4.15 EUR
100+3.81 EUR
500+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1909Sanken Electric Company, Ltd.Trans GP BJT PNP 140V 10A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF
auf Bestellung 929 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+5.47 EUR
39+4.45 EUR
43+4.02 EUR
100+3.72 EUR
500+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA191
auf Bestellung 3560 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA192
auf Bestellung 3550 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2sa1924
Produktcode: 78049
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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2SA193NECCAN
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930
Produktcode: 15193
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ToshibaTransistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220F
Grenzfrequenz fT, MHz: 200 MHz
Spannung Uce, V: 180 V
Spannung Ucb, V: 180 V
Strom Ic, A: 2 A
Stromverstärkung h21, max: 320
auf Bestellung: 274 St.
  • 274 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.49 EUR
10+1.34 EUR
100+1.24 EUR
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2SA1930JSMicro SemiconductorTransistor PNP; 320; 20W; 180V; 2A; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2SA1930,Q(J; 2SA1930(Q,M); TCSA1930; 2SA1930 JSMICRO T2SA1930 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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2SA1930EVVODescription: SILICON PNP POWER TRANSISTOR,TO-
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2SA1930Toshiba2SA1930Q PNP 180V 2A Транзистори
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2SA1930 (Q,M)ToshibaТранзистори
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2SA1930 (Q,M)onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
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2SA1930(LBS2MATQ,MToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 180V 2A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930(LBS2MATQ,MToshibaToshiba
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2SA1930(ONK,Q,M)ToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930(ONK,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 180V 2A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
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2SA1930(Q)ToshibaBipolar Transistors - BJT Pb-FF 220NIS1 PLS PLNN,ACTIVE,
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2SA1930(Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 180V 2A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 2 W
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2SA1930(Q,M)ToshibaBipolar Transistors - BJT PNP 180V 2A Transistor
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930(ROHS)TOSHIBA
auf Bestellung 2150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930+2SC5171
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930,CKQ(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 180V 2A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 2 W
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2SA1930,CKQ(JToshibaToshiba
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2SA1930,LBS2DIAQ(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 180V 2A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 2 W
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2SA1930,LBS2DIAQ(JToshibaToshiba
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2SA1930,ONKQ(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 180V 2A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 2 W
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2SA1930,ONKQ(JToshibaToshiba
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2SA1930,Q(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 180V 2A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 2 W
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2SA1930,Q(JToshibaToshiba
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2SA1930-Q/2SC5171-Q
Produktcode: 174703
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ToshibaTransistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220FP
Grenzfrequenz fT, MHz: 200 МГц
Spannung Uce, V: 180 В
Spannung Ucb, V: 180 В
Strom Ic, A: 2 А
Bemerkung: NPN/PNP-Paar
auf Bestellung: 4 Paar
  • 4 Paar - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+8.62 EUR
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2SA1930-Q/2SC5171-QSPTECH2SA1930 : Tranzystor PNP; 320; 2W; 180V; 1A; 200MHz; -55°C ~ 150°C; 2SC5171 : Tranzystor NPN; 320; 2W; 180V; 1A; 200MHz; -55°C ~ 150°C; 2SA1930+2SC5171 komplet T2SA1930/2sc5171
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+13.76 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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2SA1930/2SC5171
auf Bestellung 2380 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1930A1SIRECTIFIERCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 180V; 2A; TO220F
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 180V
Collector current: 2A
Case: TO220F
Current gain: 100...320
Mounting: THT
Kind of package: tube
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2SA1930A2SIRECTIFIERCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 180V; 2A; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 180V
Collector current: 2A
Case: TO220AB
Current gain: 100...320
Mounting: THT
Kind of package: tube
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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2SA1930A6SIRECTIFIERCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 180V; 2A; TO263
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 180V
Collector current: 2A
Case: TO263
Current gain: 100...320
Mounting: SMD
Kind of package: tube
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2SA1931
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1931ToshibaBipolar Transistors - BJT 220NIS1 PLS PLNN,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07),
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2SA1931(NOMARK,A,QToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 5A TO-220NIS
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: TO-220NIS
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
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2SA1931,BOSCHQ(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 5A TO-220NIS
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: TO-220NIS
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
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2SA1931,KEHINQ(MToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 5A TO-220NIS
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: TO-220NIS
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
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