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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IS43LR16320C-6BLIISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA60
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Access time: 6ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 166MHz
Memory: 512Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 8Mx16bitx4
Kind of package: in-tray; tube
Case: TFBGA60
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320C-6BLI-TRISSIDRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320C-6BLI-TRISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA60
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Access time: 6ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 166MHz
Memory: 512Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 8Mx16bitx4
Kind of package: reel; tape
Case: TFBGA60
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320C-6BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 32M x 16
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 512Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320C-6BLI-TRISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320D-5BLIISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 60-Pin BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320D-5BLIINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSIDescription: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43LR16320D-5BLI - DRAM, Mobile DDR SDRAM, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 200 MHz, FBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: Mobile DDR SDRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.75 EUR
26+8.48 EUR
50+8.44 EUR
100+8.38 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320D-5BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 512M, 1.8V, MOBILE DDR, 32MX16,
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320D-5BLIISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 60-Pin BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320D-5BLIISSI 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 200Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320D-5BLI-TRISSI 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 200Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320D-5BLI-TRISSIIS43LR16320D-5BLI-TR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320D-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 512M, 1.8V, MOBILE DDR, 32MX16,
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16400B-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 64M 166MHZ 60BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16400B-6BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 64M 166MHZ 60BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16400C-6BLIISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 64MbDRAM; 1Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA60
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Access time: 6ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 166MHz
Memory: 64Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 1Mx16bitx4
Kind of package: in-tray; tube
Case: TFBGA60
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16400C-6BLIISSIDRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 4Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16400C-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 64MBIT PARALLEL 60TFBGA
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 64Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 4M x 16
Access Time: 5.5 ns
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16400C-6BLIISSIDRAM 64M, 1.8V, M-DDR 4Mx16, 166Mhz, RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16400C-6BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 64MBIT PARALLEL 60TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 4M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16400C-6BLI-TRISSIDRAM 64M, 1.8V, M-DDR 4Mx16, 166Mhz, RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16640A-5BLISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 1GbDRAM; 16Mx16bitx4; 200MHz; 5ns; TWBGA60; 0÷70°C
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Access time: 5ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: 0...70°C
Clock frequency: 200MHz
Memory: 1Gb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 16Mx16bitx4
Kind of package: in-tray; tube
Case: TWBGA60
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16640A-5BLISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 60-Pin TW-BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16640A-5BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 1GB 200MHZ 60BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16640A-5BLISSIDRAM 1G, 18V, Mobile DDR, 64Mx16, 200Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16640A-5BL-TRISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 1GbDRAM; 16Mx16bitx4; 200MHz; 5ns; TWBGA60; 0÷70°C
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Access time: 5ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: 0...70°C
Clock frequency: 200MHz
Memory: 1Gb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 16Mx16bitx4
Kind of package: reel; tape
Case: TWBGA60
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16640A-5BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 1GB 200MHZ 60BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16640A-5BL-TRISSIDRAM 1G, 18V, Mobile DDR, 64Mx16, 200Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16640A-5BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 1GB 200MHZ 60BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16640A-5BLIISSIDRAM 1G, 1.8V, 200Mhz 64Mx16 Mobile DDR
auf Bestellung 574 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.61 EUR
10+22.81 EUR
25+22.29 EUR
100+19.9 EUR
300+18.66 EUR
600+18.58 EUR
1200+18.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16640A-5BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 1GB 200MHZ 60BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16640A-5BLI-TRISSIDRAM 1G, 1.8V, 200Mhz 64Mx16 Mobile DDR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16640A-6BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 1GB 166MHZ 60BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16640A-6BLISSIDRAM 1G, 18V, Mobile DDR, 64Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.8 EUR
10+20.19 EUR
25+19.73 EUR
100+17.28 EUR
300+16.42 EUR
600+16.1 EUR
1200+15.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16640A-6BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 64M x 16
Access Time: 5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 1Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16640A-6BL-TRISSIDRAM 1G, 18V, Mobile DDR, 64Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16640A-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 1GB 166MHZ 60BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16640A-6BLIISSIDRAM 1G, 1.8V, 166Mhz 64Mx16 Mobile DDR
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.9 EUR
10+22.13 EUR
25+21.63 EUR
100+18.96 EUR
300+17.99 EUR
600+17.83 EUR
1200+17.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16640A-6BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 1GB 166MHZ 60BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16640A-6BLI-TRISSIDRAM 1G, 1.8V, Mobile DDR, 64Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16640C-5BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TFBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 208 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Write Cycle Time - Word, Page: 14.4ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 64M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16640C-5BLIISSIDRAM 1G, 1.8V, Mobile DDR, 64Mx16, 200Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16640C-5BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 208 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Write Cycle Time - Word, Page: 14.4ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 64M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16640C-6BLISSIDRAM 1G, 1.8V, Mobile DDR, 64Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.24 EUR
10+23.43 EUR
25+22.71 EUR
50+21.66 EUR
100+21.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16640C-6BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TFBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 64M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16640C-6BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 64M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16640C-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TFBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 64M x 16
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16640C-6BLIISSIDRAM 1G, 1.8V, Mobile DDR, 64Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16640C-6BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 64M x 16
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16800F-6BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 128M 166MHZ 60BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16800F-6BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 128M 166MHZ 60BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16800F-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR SDRAM 128MBIT 60FBGA
auf Bestellung 1406 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16800F-6BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 128M 166MHZ 60FBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16800G-6BLISSIDRAM Chip DDR SDRAM 128Mbit 8Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16800G-6BLISSIDRAM Chip DDR SDRAM 128Mbit 8Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
275+10.02 EUR
Mindestbestellmenge: 275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16800G-6BLISSIDRAM 128M, 1.8V, M-DDR 8Mx32, 166Mhz, RoHS
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.65 EUR
10+8.98 EUR
25+8.71 EUR
50+8.52 EUR
100+8.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16800G-6BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 128Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 8M x 16
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.82 EUR
10+9.14 EUR
25+8.87 EUR
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100+8.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16800G-6BLISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 2Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA60
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Access time: 6ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: 0...70°C
Clock frequency: 166MHz
Memory: 128Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 2Mx16bitx4
Kind of package: in-tray; tube
Case: TFBGA60
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16800G-6BL-TRISSIDRAM 128M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IS43LR16800G-6BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 8M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IS43LR16800G-6BL-TRISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 2Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA60
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Access time: 6ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: 0...70°C
Clock frequency: 166MHz
Memory: 128Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 2Mx16bitx4
Kind of package: reel; tape
Case: TFBGA60
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IS43LR16800G-6BL-TRISSIDRAM Chip DDR SDRAM 128Mbit 8Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA T/R
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IS43LR16800G-6BLIISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 2Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA60
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Access time: 6ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 166MHz
Memory: 128Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 2Mx16bitx4
Kind of package: in-tray; tube
Case: TFBGA60
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IS43LR16800G-6BLIISSIDRAM Chip DDR SDRAM 128Mbit 8Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IS43LR16800G-6BLIISSIDRAM 128M, 1.8V, M-DDR 8Mx32, 166Mhz, RoHS
auf Bestellung 588 Stücke:
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IS43LR16800G-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 8M x 16
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Packaging: Tray
Memory Type: Volatile
Memory Size: 128Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
auf Bestellung 82 Stücke:
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IS43LR16800G-6BLI-TRISSIDRAM 128M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT, T&R
auf Bestellung 1289 Stücke:
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IS43LR16800G-6BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 8M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16800G-6BLI-TRISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 2Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA60
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Access time: 6ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 166MHz
Memory: 128Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 2Mx16bitx4
Kind of package: reel; tape
Case: TFBGA60
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IS43LR16800G-6BLI-TRISSIDRAM Chip DDR SDRAM 128Mbit 8Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA T/R
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IS43LR32100C-6BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 32M PARALLEL 90TFBGA
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 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
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IS43LR32100C-6BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 32M PARALLEL 90TFBGA
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IS43LR32100C-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 32M PARALLEL 90TFBGA
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 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
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IS43LR32100C-6BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 32M PARALLEL 90TFBGA
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IS43LR32100D-6BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 32MBIT PARALLEL 90TFBGA
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 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
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IS43LR32100D-6BLISSIDRAM 32M, 1.8V, Mobile DDR, 1Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32100D-6BL-TRISSIDRAM 32M, 1.8V, Mobile DDR, 1Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IS43LR32100D-6BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 32MBIT PARALLEL 90TFBGA
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IS43LR32100D-6BLIISSIDRAM 32M, 1.8V, Mobile DDR, 1Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
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IS43LR32100D-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 32MBIT PARALLEL 90TFBGA
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 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
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IS43LR32100D-6BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 32MBIT PARALLEL 90TFBGA
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IS43LR32100D-6BLI-TRISSIDRAM 32M, 1.8V, Mobile DDR, 1Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IS43LR32160B-6BLISSIDRAM 512M, 1.8V, 166Mhz 16Mx32 DDR Mobile
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32160B-6BLISSIDRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 16Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32160B-6BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
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IS43LR32160B-6BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IS43LR32160B-6BL-TRISSIDRAM 512M, 1.8V, 166Mhz 16Mx32 DDR Mobile
Produkt ist nicht verfügbar
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IS43LR32160B-6BLIISSIDRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 16Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA
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 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32160B-6BLIISSIDRAM 512M, 1.8V, 166Mhz 16Mx32 DDR Mobile
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.76 EUR
10+23.86 EUR
25+23.54 EUR
100+20.61 EUR
240+19.79 EUR
480+19.46 EUR
1200+18.14 EUR
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IS43LR32160B-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IS43LR32160 - 512M, 1.8V, MOBILE
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
150+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
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IS43LR32160B-6BLI-TRISSIDRAM 512M, 1.8V, 166Mhz 16Mx32 DDR Mobile
Produkt ist nicht verfügbar
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IS43LR32160B-6BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32160C-5BLIISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 512Mbit 16Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32160C-6BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 32
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 512Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 90-TFBGA
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32160C-6BLISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 512Mbit 16Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32160C-6BLISSIDRAM 512M, 18V, Mobile DDR, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32160C-6BL-TRISSIDRAM 512M, 18V, Mobile DDR, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32160C-6BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 32
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 512Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 90-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32160C-6BL-TRISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 512Mbit 16Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32160C-6BLIISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 4Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 4Mx32bitx4
Clock frequency: 166MHz
Case: TFBGA90
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Access time: 6ns
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray; tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
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