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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI3483CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3483CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3483CDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.8 EUR
9000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3483CDV-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7A; Idm: -25A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 4.2W
Case: SC74; TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 53mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 804 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+1.38 EUR
94+0.9 EUR
124+0.69 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3483DDV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.2mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3483DDV-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 6.4A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3483DDV-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3483DDV-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0312 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0312ohm
auf Bestellung 1455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
119+2.11 EUR
192+1.21 EUR
295+0.73 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 119 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3483DDV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.2mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
auf Bestellung 5623 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.74 EUR
20+1.08 EUR
50+0.8 EUR
100+0.7 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3483DDV-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TSOP6 P-CH 30V 6.4A
auf Bestellung 41207 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.71 EUR
10+0.79 EUR
100+0.69 EUR
500+0.54 EUR
3000+0.4 EUR
24000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3483DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 6.4A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3483DDV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3483DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0312 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0312ohm
auf Bestellung 19780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+2.06 EUR
196+1.19 EUR
302+0.71 EUR
500+0.55 EUR
1500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3483DDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 6.4A/8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.2mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.42 EUR
9000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3483DDV-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TSOP6 P-CH 30V 6.4A
auf Bestellung 47725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.5 EUR
10+0.93 EUR
100+0.61 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.4 EUR
3000+0.37 EUR
6000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3483DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 6.4A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 348 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3483DDV-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8A; Idm: -30A; 3W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 3W
Case: SC74; TSOP6
On-state resistance: 51.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3483DDV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3483DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0312 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0312ohm
auf Bestellung 19780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+2.06 EUR
196+1.19 EUR
302+0.71 EUR
500+0.55 EUR
1500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3483DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 6.4A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3483DDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 6.4A/8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.2mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 14822 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.74 EUR
20+1.08 EUR
50+0.8 EUR
100+0.7 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3483DV
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3483DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3483DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3483DV-T1-E3
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3483DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3483DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3484-A01-GMSkyworks Solutions Inc.Description: IC POE CNTRL 64 CHANNEL 24QFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3484-A01-GMSilicon LabsPower Management Specialized - PMIC 64 Port PSE power manager IC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3484-A01-GMRSkyworks Solutions Inc.Description: IC POE CNTRL 64 CHANNEL 24QFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3484-A01-GMRSilicon LabsPower Management Specialized - PMIC 64 Port PSE power manager IC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3493BDV
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3493BDV-T
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3493BDV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.08W (Ta), 2.97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3493BDV-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TSOP6 P-CH 20V 7A
auf Bestellung 17338 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.64 EUR
10+1.25 EUR
100+1.11 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.86 EUR
3000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3493BDV-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 7A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3493BDV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.08W (Ta), 2.97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 10 V
auf Bestellung 7429 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.62 EUR
13+1.65 EUR
100+1.09 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3493BDV-T1-E3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -8A; Idm: -25A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 2.97W
Case: SC74; TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3493BDV-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.51 EUR
6000+0.5 EUR
9000+0.46 EUR
15000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3493BDV-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3493BDV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.08W (Ta), 2.97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 10 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3493BDV-T1-E3VISHAY09+ SOP8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3493BDV-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.54 EUR
6000+0.51 EUR
9000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3493BDV-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI3493BDV-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V 8.0A 2.97W 27.5mohm @ 4.5V
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2+2.64 EUR
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SI3493BDV-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3493BDV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.08W (Ta), 2.97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 10 V
auf Bestellung 8769 Stücke:
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8+2.7 EUR
13+1.7 EUR
50+1.26 EUR
100+1.12 EUR
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SI3493BDV-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
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9000+0.45 EUR
15000+0.43 EUR
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SI3493BDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
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3000+0.27 EUR
6000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI3493BDV-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V 8.0A 2.97W 27.5mohm @ 4.5V
auf Bestellung 7359 Stücke:
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2+2.64 EUR
10+1.67 EUR
100+1.11 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
3000+0.77 EUR
6000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3493BDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3493BDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.08W (Ta), 2.97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3493BDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3493BDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3493BDV-T1-GE3
auf Bestellung 33000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3493BDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3493BDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.08W (Ta), 2.97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 10 V
auf Bestellung 4317 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.7 EUR
13+1.7 EUR
50+1.26 EUR
100+1.12 EUR
500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3493DDV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3493DDV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3493DDV-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 5896 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.01 EUR
10+0.45 EUR
100+0.39 EUR
500+0.3 EUR
3000+0.23 EUR
9000+0.19 EUR
24000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3493DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.32 EUR
6000+0.2 EUR
9000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3493DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 7.5A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3493DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 346 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3493DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3493DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3493DDV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3493DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.024 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 3.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 9475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
126+1.99 EUR
213+1.09 EUR
249+0.86 EUR
500+0.63 EUR
1500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3493DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 7.5A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 1940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
866+0.2 EUR
902+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 866 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si3493DDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 20V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3493DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
156+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3493DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 7.5A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3493DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 7.5A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si3493DDV-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -20V Vds 8V Vgs TSOP-6
auf Bestellung 34166 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.78 EUR
10+1.23 EUR
100+0.79 EUR
500+0.67 EUR
3000+0.57 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3493DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
155+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 155 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3493DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3493DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 7.5A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 408 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 329 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si3493DDV-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -8A; Idm: -32A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 3.6W
Case: SC74; TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 51.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3493DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si3493DDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 20V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3493DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.32 EUR
6000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3493DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 7.5A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3493DDV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3493DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.024 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 3.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 9475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
126+1.99 EUR
213+1.09 EUR
249+0.86 EUR
500+0.63 EUR
1500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3493DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 637 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
407+0.43 EUR
578+0.3 EUR
581+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 407 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3493DV
auf Bestellung 1604 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3493DV-T1
auf Bestellung 2680 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3493DV-T1-E3VISHAYSOT-23-6 0809+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3493DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 5.3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3493DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 5.3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3495DV
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3495DV-T1
auf Bestellung 33000 Stücke:
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SI3495DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP
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SI3495DV-T1-E3
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SI3495DV-T1-GE3
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SI3495DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP
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SI3499DV
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SI3499DV-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFET P-CHANNEL 1.5-V (G-S)
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2+1.89 EUR
10+1.55 EUR
100+1.2 EUR
500+1.11 EUR
3000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SI3499DV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 1.5-V (G-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 2911 Stücke:
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10+2.09 EUR
12+1.88 EUR
100+1.46 EUR
500+1.21 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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SI3499DV-T1-BE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -7A; Idm: -20A; 2W
Mounting: SMD
Case: SC74; TSOP6
Power dissipation: 2W
Gate charge: 42nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: -7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -8V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±5V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 48mΩ
Pulsed drain current: -20A
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SI3499DV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 1.5-V (G-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
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SI3499DV-T1-E3VISHAYSOT23-6 09+
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SI3499DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP
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SI3499DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP
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