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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRF630NInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630N MinosTO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630N-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 300mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630N-ML MOSLEADER TIRF630 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630N-R4942
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 9,3 А, Ptot, Вт = 82, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 575 @ 25, Qg, нКл = 35 @ 10 В, Rds = 300 мОм @ 5,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 14560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+1.45 EUR
157+1.09 EUR
176+0.95 EUR
500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF
Produktcode: 15961
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 9,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 575/35
Montage: THT
verfügbar: 2 St.
  • 2 St. - stock Köln
auf Bestellung: 197 St.
  • 197 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+0.7 EUR
10+0.62 EUR
100+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
370+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 370 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V
auf Bestellung 6292 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.48 EUR
14+1.55 EUR
50+1.15 EUR
100+1.02 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF630NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 82W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
auf Bestellung 2398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+3.45 EUR
132+1.76 EUR
178+1.2 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 8007 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+1.96 EUR
131+1.32 EUR
166+1.01 EUR
184+0.89 EUR
500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 402 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+0.98 EUR
205+0.84 EUR
218+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 14573 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+2.3 EUR
120+1.4 EUR
157+1.04 EUR
176+0.88 EUR
500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.76 EUR
2000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 402 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
146+1.19 EUR
178+0.94 EUR
205+0.8 EUR
218+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 146 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBFInternational RectifierTO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 8007 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+1.96 EUR
131+1.29 EUR
166+0.98 EUR
184+0.84 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4929 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.76 EUR
2000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.49 EUR
10+1.15 EUR
100+1.02 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 23.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
auf Bestellung 476 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 18200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
931+0.7 EUR
1010+0.64 EUR
10000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 931 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
370+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 370 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBFAKMA1Infineon TechnologiesIRF630NPBFAKMA1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBFAKMA1Infineon TechnologiesDescription: PLANAR 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NSInternational RectifierN-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NS IRF630NS smd TIRF630ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NSPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 300mOhms 23.3nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF630NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 82W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF630NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 82W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NSTRLPBFInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
auf Bestellung 5388 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.31 EUR
10+1.89 EUR
100+1.56 EUR
500+1.29 EUR
800+1.01 EUR
4800+0.99 EUR
9600+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NSTRRIRTO-263
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF630PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
auf Bestellung 1584 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.84 EUR
95+2.46 EUR
134+1.61 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBFSTMIRF630PBF IRF630 N-кан. MOSFET 200V, 9A, 0.35Ом, 75Вт, TO-220 (PowerMesh II) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+3.01 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+3.01 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+1.69 EUR
105+1.63 EUR
123+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+1.5 EUR
127+1.36 EUR
250+1.2 EUR
500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 200V 9A N-CH MOSFET
auf Bestellung 17936 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.06 EUR
10+2.14 EUR
100+1.68 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+4.44 EUR
62+2.75 EUR
81+2 EUR
100+1.73 EUR
500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+2.84 EUR
81+2.12 EUR
100+1.87 EUR
500+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.47 EUR
103+1.63 EUR
105+1.54 EUR
123+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 3142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.36 EUR
10+2.8 EUR
50+2.12 EUR
100+1.9 EUR
500+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 200V 9A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1824 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+1.71 EUR
100+1.44 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.07 EUR
10000+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.36 EUR
10+2.8 EUR
50+2.12 EUR
100+1.9 EUR
500+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; IRF630S TIRF630s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRF630SPBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 166 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 200V 9A N-CH MOSFET
auf Bestellung 3167 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.66 EUR
10+2.28 EUR
100+2.05 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.57 EUR
2000+1.49 EUR
5000+1.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 944 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.65 EUR
10+2.99 EUR
50+2.27 EUR
100+2.03 EUR
500+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 166 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+1.63 EUR
113+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630ST4STSMD-220
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 2371 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.65 EUR
10+2.99 EUR
50+2.27 EUR
100+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630STRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 200V 9.0 Amp
auf Bestellung 1582 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.66 EUR
10+2.28 EUR
100+2.05 EUR
500+1.55 EUR
800+1.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630STRR
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630STRRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.65 EUR
10+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630STRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 200V 9.0 Amp
auf Bestellung 562 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.66 EUR
10+3.01 EUR
100+2.12 EUR
500+1.77 EUR
800+1.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630STRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF631HARRISIRF631
auf Bestellung 5126 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
325+2.01 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 325 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF631Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
auf Bestellung 5221 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
381+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 381 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF632HARRISIRF632
auf Bestellung 4520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
237+2.76 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 237 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF632HARRISIRF632
auf Bestellung 1798 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
237+2.76 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 237 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF632Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
auf Bestellung 21535 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
214+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 214 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF632HARRISIRF632
auf Bestellung 1727 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
237+2.76 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 237 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF632HARRISIRF632
auf Bestellung 13276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
237+2.76 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 237 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF633Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF633NSC9130
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF634International RectifierN-MOSFET 8.1A 250V 74W 0.45Ω IRF634 TIRF634
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF634STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 250 Volt 8 Amp
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF634STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 250V 8A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF634VishayN-MOSFET 8.1A 250V 74W 0.45Ω IRF634 TIRF634
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF634Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF634
Produktcode: 18551
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Montage: THT
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IRF634Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF6
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IRF634B
auf Bestellung 1705 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF634B-FP001onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.05A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF634B_FP001ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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