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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDMS8660ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/49A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5865 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
auf Bestellung 134017 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
317+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 317 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8660ASONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8660AS - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 134017 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
382+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 382 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8660SonsemiMOSFETs 30V 40A 2.4 OHM NCH POWER T
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8660SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 25A/40A 8PQFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4345 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8660SFSC
auf Bestellung 7946 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8660SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 25A/40A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4345 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8660Sonsemi / FairchildMOSFET 30V 40A 2.4 OHM NCH POWER T
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8660S(Transistor)
Produktcode: 61186
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8662Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 28A POWER56
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8662Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 28A POWER56
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8662Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 28A POWER56
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8670Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/42A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3940 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
auf Bestellung 74504 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
346+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 346 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8670ASFAIRCHILD
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8670ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/42A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3615 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
auf Bestellung 18418 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
346+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 346 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8670ASONS/FAIMOSFET 30V N-Channel PowerTrench Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8670ASONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8670AS - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 22348 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
417+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 417 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8670AS Fairchild
Produktcode: 116187
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8670SON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
auf Bestellung 2476 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8670SFAIRCHILD10+ POWER56
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8670SON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/42A 8QFN
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8670SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8670SON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/42A 8QFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8670SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.57 EUR
80+2.11 EUR
81+2 EUR
108+1.45 EUR
250+1.33 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8670SRochester Electronics, LLCDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
auf Bestellung 6925 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 298 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8672ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/28A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
auf Bestellung 34183 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
468+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 468 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8672SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/35A 8PQFN
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2515 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
auf Bestellung 13015 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
381+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 381 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8672SFAIRCHILD1010+ POWER56
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8674FSC
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8674ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8674 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 147879 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
629+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 629 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8674
Produktcode: 129280
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8674Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/21A 8PQFN
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
auf Bestellung 147879 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
523+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 523 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
269+0.64 EUR
272+0.63 EUR
274+0.61 EUR
275+0.6 EUR
276+0.58 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 269 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 6735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+1.49 EUR
167+1.01 EUR
169+0.95 EUR
172+0.9 EUR
174+0.86 EUR
250+0.81 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.75 EUR
3000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8680ONS/FAIMOSFET N-CH 30V 14A POWER56 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8680ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8680 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.007 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
auf Bestellung 281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.7 EUR
67+3.5 EUR
100+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8680onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/35A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 6735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
189+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 7561 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
418+0.42 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 418 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8680ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8680 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.007 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
auf Bestellung 281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 7561 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
418+0.42 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 418 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8680onsemi / FairchildMOSFETs 30V N-CHANNEL
auf Bestellung 329 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.55 EUR
10+3.19 EUR
100+2.4 EUR
250+2.09 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.8 EUR
3000+1.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8680onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/35A 8PQFN
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
auf Bestellung 201 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.08 EUR
10+3.67 EUR
100+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8690Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/27A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 15 V
auf Bestellung 425565 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
329+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 329 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8690FAI06+
auf Bestellung 755 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8692Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/28A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V
auf Bestellung 62002 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
606+1 EUR
Mindestbestellmenge: 606 Stücke
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FDMS8692FSC
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDMS8692ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8692 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 62002 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
729+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 729 Stücke
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FDMS8692onsemi / FairchildMOSFET 30V N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
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FDMS8692SFAIRCHIL2004
auf Bestellung 692 Stücke:
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FDMS8692_F121onsemi / FairchildMOSFET
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FDMS8820ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 28A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS8820onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/116A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5315 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 116A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 21741 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.39 EUR
10+2.15 EUR
100+1.45 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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FDMS8820ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 28A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS8820ON Semiconductor
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8820ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 28A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS8820onsemi / FairchildMOSFETs NCh 30V 116A 2.4mOhm
auf Bestellung 17199 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.4 EUR
10+1.86 EUR
100+1.27 EUR
500+1.12 EUR
1000+1 EUR
3000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8820onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/116A 8PQFN
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5315 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 116A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.93 EUR
6000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8820ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 28A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8820ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 28A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS8848NZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 22.8A/49A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.8A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 22.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8075 pF @ 20 V
auf Bestellung 728 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
296+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 296 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8848NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8848NZ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 993 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
357+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 357 Stücke
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FDMS8860ASFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1031+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 1031 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8880onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A/21A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1585 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8880onsemiMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 951 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.77 EUR
10+2.32 EUR
100+1.52 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.04 EUR
3000+0.88 EUR
6000+0.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8888ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS8888
Produktcode: 121291
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8888onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A/21A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1585 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8888onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A/21A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1585 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8888onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel PwrTrench 30V 21A 9.5mOhm
auf Bestellung 1044 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.54 EUR
100+1.34 EUR
500+1.13 EUR
1000+0.95 EUR
3000+0.67 EUR
6000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8888onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A/21A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1585 pF @ 15 V
auf Bestellung 1622 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
802+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 802 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8D8N15CONN
auf Bestellung 1224 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8D8N15ConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 12.2A/85A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 75 V
auf Bestellung 2213 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.23 EUR
10+6.13 EUR
100+4.36 EUR
500+3.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8D8N15CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 12.2A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+3.27 EUR
56+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8D8N15CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 12.2A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8D8N15ConsemiMOSFETs FET ENGR DEV-NOT REL
auf Bestellung 3276 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.23 EUR
10+6.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8D8N15ConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 12.2A/85A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8D8N15CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 12.2A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 942000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8D8N15CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 12.2A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8D8N15CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 12.2A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 942000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS9408Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1838 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
342+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 342 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS9408ON SemiconductorFDMS9408
auf Bestellung 1838 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
355+1.83 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 355 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS9408-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V 80A Power56 N-Chnl PowerTrench
auf Bestellung 1611 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS9408-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 80A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS9408-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 80A 8-Pin PQFN EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS9408-F085-DON SemiconductorFDMS9408-F085-D
auf Bestellung 21705 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
353+1.84 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.48 EUR
10000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 353 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS9408L-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 80A 8-Pin PQFN EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS9408L-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V 80A NChnl Logic Level Power Trench
auf Bestellung 582 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS9408L-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 80A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS9408L_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 80A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS9408L_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 80A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS9408L_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 80A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS9408_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 80A 8PQFN
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS9408_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 80A 8PQFN
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FDMS9408_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 80A 8PQFN
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FDMS9409-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V 65A N-Chnl Power Trench MOSFET
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FDMS9409L-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Channel Power Trench MOSFET
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FDMS9409_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 65A
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FDMS9409_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 65A
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