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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IS43LR32800G-5BLIISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 8Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32800G-6BLISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 8Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA
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 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32800G-6BLISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 2Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 2Mx32bitx4
Clock frequency: 166MHz
Case: TFBGA90
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Access time: 6ns
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray; tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32800G-6BLISSIDRAM 256M, 18V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
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 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32800G-6BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 90-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 8M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32800G-6BL-TRISSIDRAM 256M, 18V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32800G-6BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 90-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 8M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32800G-6BLIISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 8Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA
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 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32800G-6BLIISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 2Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 2Mx32bitx4
Clock frequency: 166MHz
Case: TFBGA90
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Access time: 6ns
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray; tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32800G-6BLIISSIDRAM 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR SDRAM
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.85 EUR
10+13.67 EUR
25+13.39 EUR
50+13.34 EUR
100+11.98 EUR
240+11.3 EUR
480+11.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32800G-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 90-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 8M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.72 EUR
10+20.17 EUR
25+19.54 EUR
50+19.08 EUR
240+18.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32800G-6BLI-TRISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 8Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA T/R
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32800G-6BLI-TRISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 2Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 2Mx32bitx4
Clock frequency: 166MHz
Case: TFBGA90
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Access time: 6ns
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32800G-6BLI-TRISSIDRAM 256M, 18V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32800G-6BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 90-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 8M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32800H-6BLISSIDRAM 256M, 18V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32800H-6BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 90-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: LVCMOS
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 8M x 32
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32800H-6BL-TRISSIDRAM 256M, 18V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32800H-6BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 90-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: LVCMOS
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 8M x 32
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32800H-6BLIISSIDRAM 256M, 18V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32800H-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 90-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: LVCMOS
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 8M x 32
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32800H-6BLI-TRISSIDRAM 256M, 18V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32800H-6BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 90-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: LVCMOS
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 8M x 32
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR16256A-083RBLIISSIDRAM 1.2V 2400 MT/s 4Gb 256Mx16 DDR4 SDRAM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR16256B-075UBLISSIDRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2666MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS
auf Bestellung 963 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.79 EUR
10+39.66 EUR
25+38.41 EUR
50+37.47 EUR
100+36.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR16256B-075UBL-TRISSIDRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2666MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR16256B-075UBLIISSIDRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2666MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, IT
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+117.12 EUR
10+108.14 EUR
25+104.64 EUR
50+101.97 EUR
100+98.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR16256B-075UBLI-TRISSIDRAM 4G, 1.5V, DDR4, 256Mx16, 2666MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, IT, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR16256B-083RBLISSIDRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s at 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+44.97 EUR
10+41.66 EUR
25+40.34 EUR
50+39.35 EUR
100+37.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR16256B-083RBLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96BGA
Packaging: Tray
Package / Case: 96-BGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Technology: SDRAM - DDR4
Clock Frequency: 1.2 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-BGA
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 256M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.04 EUR
10+17.7 EUR
25+17.15 EUR
50+16.74 EUR
198+15.93 EUR
396+15.53 EUR
594+15.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR16256B-083RBLISSIDRAM Chip DDR4 SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.2V 96-Pin FBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 198 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR16256B-083RBL-TRISSIDRAM Chip DDR4 SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.2V 96-Pin FBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR16256B-083RBL-TRISSIDRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR16256B-083RBLIISSIDRAM Chip DDR4 SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.2V 96-Pin TW-BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 198 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR16256B-083RBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96BGA
Packaging: Tray
Package / Case: 96-BGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Technology: SDRAM - DDR4
Clock Frequency: 1.2 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-BGA
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 256M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+105.71 EUR
10+97.66 EUR
25+94.5 EUR
50+92.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR16256B-083RBLIINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSIDescription: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43QR16256B-083RBLI - DRAM, DDR4, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 1.2 GHz, FBGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 4Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.2GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR16256B-083RBLIISSIDRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s a. 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, IT
auf Bestellung 2796 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.06 EUR
10+18.58 EUR
25+18.18 EUR
100+15.92 EUR
198+15.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR16256B-083RBLIISSIDRAM 4GBIT PARALLEL BGA-96 (-40..+95°C) Мікросхеми пам'яті
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR16256B-083RBLI-TRISSIDRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, IT, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR16256B-083RBLI-TRISSIDRAM Chip DDR4 SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.2V 96-Pin TW-BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR16512A-075VBLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2666MT/
Packaging: Bulk
Package / Case: 96-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Technology: SDRAM - DDR4
Clock Frequency: 1.333 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-TWBGA (10x14)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 18 ns
Memory Organization: 512M x 16
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR16512A-075VBLISSIDRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2666MT/s at 19-19-19, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+81.3 EUR
10+75.21 EUR
25+72.78 EUR
50+70.98 EUR
100+68.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR16512A-075VBL-TRISSIDRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2666MT/s at 19-19-19, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR16512A-075VBLIISSIDRAM Chip DDR4 SDRAM 8Gbit 512Mx16 1.2V 96-Pin TWBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR16512A-075VBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2666MT/
Packaging: Bulk
Package / Case: 96-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Technology: SDRAM - DDR4
Clock Frequency: 1.333 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-TWBGA (10x14)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 18 ns
Memory Organization: 512M x 16
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR16512A-075VBLIISSIDRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2666MT/s at 19-19-19, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT
auf Bestellung 1365 Stücke:
Lieferzeit 374-378 Tag (e)
1+89.45 EUR
10+82.73 EUR
25+80.09 EUR
50+78.1 EUR
100+75.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR16512A-075VBLI-TRISSIDRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2666MT/s at 19-19-19, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR16512A-075VBLI-TRISSIDRAM Chip DDR4 SDRAM 8Gbit 512Mx16 1.2V 96-Pin TWBGA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR16512A-083TBLISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 8GbDRAM; 512Mx16bit; 14.16ns; TWBGA96; 0÷95°C
Memory: 8Gb DRAM
Supply voltage: 1.2V DC
Kind of memory: DDR4; SDRAM
Case: TWBGA96
Mounting: SMD
Access time: 14.16ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: 0...95°C
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 512Mx16bit
Kind of package: in-tray; tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 136 Stücke
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IS43QR16512A-083TBLISSIDRAM 8G, 12V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s a. 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.41 EUR
10+31.86 EUR
25+31.42 EUR
100+27.18 EUR
272+26.04 EUR
544+25.85 EUR
1088+24.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR16512A-083TBL-TRISSIDRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s a. 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, T&R
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR16512A-083TBL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 96-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Technology: SDRAM - DDR4
Clock Frequency: 1.2 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-TWBGA (10x14)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 18 ns
Memory Organization: 512M x 16
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IS43QR16512A-083TBLIINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSIDescription: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43QR16512A-083TBLI - DRAM, DDR4, 8 Gbit, 512M x 16 Bit, 1.2 GHz, FBGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.2GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+47.03 EUR
10+40.67 EUR
25+37.14 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR16512A-083TBLIISSIDRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s @ 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.44 EUR
10+33.01 EUR
25+32.65 EUR
50+31.86 EUR
100+29.54 EUR
272+28.21 EUR
544+27.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR16512A-083TBLIISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 8GbDRAM; 512Mx16bit; 14.16ns; TWBGA96; -40÷95°C
Memory: 8Gb DRAM
Supply voltage: 1.2V DC
Kind of memory: DDR4; SDRAM
Case: TWBGA96
Mounting: SMD
Access time: 14.16ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...95°C
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 512Mx16bit
Kind of package: in-tray; tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR16512A-083TBLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 96-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Technology: SDRAM - DDR4
Clock Frequency: 1.2 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-TWBGA (10x14)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 18 ns
Memory Organization: 512M x 16
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR16512A-083TBLI-TRISSIDRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s a. 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT, T&R
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR16512B-062AABLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8G, 1.2V, DDR4, 512MX16, 3200MT/
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 Mindestbestellmenge: 198 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR16512B-062AABL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8G, 1.2V, DDR4, 512MX16, 3200MT/
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR81024A-075VBLISSIDRAM 8G, 1.2V, DDR4, 1Mx8, 2666MT/s at 19-19-19, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
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 Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR81024A-075VBL-TRISSIDRAM 8G, 1.2V, DDR4, 1Mx8, 2666MT/s at 19-19-19, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, T&R
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR81024A-075VBLIISSIDRAM 8G, 1.2V, DDR4, 1Mx8, 2666MT/s at 19-19-19, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR81024A-075VBLI-TRISSIDRAM 8G, 1.2V, DDR4, 1Mx8, 2666MT/s at 19-19-19, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT, T&R
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR81024A-083TBLISSIDRAM 8G, 1.2V, DDR4, 1Mx8, 2400MT/s at 17-17-17, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR81024A-083TBL-TRISSIDRAM 8G, 1.2V, DDR4, 1Mx8, 2400MT/s at 17-17-17, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, T&R
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR81024A-083TBLIISSIDRAM 8G, 1.2V, DDR4, 1Mx8, 2400MT/s at 17-17-17, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+165.12 EUR
10+152.42 EUR
25+147.44 EUR
50+143.72 EUR
100+107.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR81024A-083TBLI-TRISSIDRAM 8G, 1.2V, DDR4, 1Mx8, 2400MT/s at 17-17-17, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT, T&R
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR81024B-062AABLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8G, 1.2V, DDR4, 1MX8, 3200MT/S @
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 Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR81024B-062AABL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8G, 1.2V, DDR4, 1MX8, 3200MT/S @
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR85120B-075UBLISSIDRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2666MT/s at 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR85120B-075UBL-TRISSIDRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2666MT/s at 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR85120B-075UBLIISSIDRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2666MT/s at 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+93.15 EUR
10+86.01 EUR
25+83.23 EUR
50+81.11 EUR
100+78.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR85120B-075UBLI-TRISSIDRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2666MT/s at 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT, T&R
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR85120B-083RBLISSIDRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s @ 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.47 EUR
10+18.99 EUR
25+18.41 EUR
50+18.2 EUR
100+17.55 EUR
272+16.45 EUR
1088+16.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR85120B-083RBL-TRISSIDRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s a. 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR85120B-083RBLIISSIDRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s @ 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.3 EUR
10+20.69 EUR
25+20 EUR
50+19.75 EUR
100+19.04 EUR
272+18.02 EUR
544+17.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR85120B-083RBLI-TRISSIDRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s a. 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR8K02S2A-083TBLISSIDRAM 16G, 1.2V, DDR4, 2Mx8, Dual Rank, 2400MT/s a. 17-17-17, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR8K02S2A-083TBLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 16GBIT PAR 78LWBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 78-LFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 90°C (TC)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Technology: SDRAM - DDR4
Clock Frequency: 1.2 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 78-LWBGA (10x14)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 18 ns
Memory Organization: 2G x 8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR8K02S2A-083TBL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 16GBIT PAR 78LWBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 78-LFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 90°C (TC)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Technology: SDRAM - DDR4
Clock Frequency: 1.2 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 78-LWBGA (10x14)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 18 ns
Memory Organization: 2G x 8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR8K02S2A-083TBL-TRISSIDRAM 16G, 1.2V, DDR4, 2Mx8, Dual Rank, 2400MT/s a. 17-17-17, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR8K02S2A-083TBLIISSIDRAM 16G, 1.2V, DDR4, 2Mx8, Dual Rank, 2400MT/s a. 17-17-17, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR8K02S2A-083TBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 16GBIT PAR 78LWBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 78-LFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Technology: SDRAM - DDR4
Clock Frequency: 1.2 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 78-LWBGA (10x14)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 18 ns
Memory Organization: 2G x 8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR8K02S2A-083TBLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 16GBIT PAR 78LWBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 78-LFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Technology: SDRAM - DDR4
Clock Frequency: 1.2 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 78-LWBGA (10x14)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 18 ns
Memory Organization: 2G x 8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR8K02S2A-083TBLI-TRISSIDRAM 16G, 1.2V, DDR4, 2Mx8, Dual Rank, 2400MT/s a. 17-17-17, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160B-5TL
auf Bestellung 3080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160B-5TL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Technology: SDRAM - DDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 700 ps
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160B-5TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Technology: SDRAM - DDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 700 ps
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160B-5TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Technology: SDRAM - DDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 700 ps
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160B-6TLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Technology: SDRAM - DDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 700 ps
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 216 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160B-6TLINTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43R16160B-6TL - DRAM, DDR, 256 Mbit, 4 BLK (4M x 16), 166 MHz, TSOP-II, 66 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: DDR
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
hazardous: false
DRAM-Dichte: 256
MSL: MSL 5 - 48 Stunden
Zugriffszeit: 700
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 2.5
Betriebstemperatur, min.: 0
Taktfrequenz: 166
euEccn: NLR
Seitengröße: 256
Anzahl der Pins: 66
Produktpalette: IS43R
Betriebstemperatur, max.: 70
Speicherkonfiguration DRAM: 4 BLK (4M x 16)
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160B-6TL
auf Bestellung 2080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160B-6TL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Technology: SDRAM - DDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 700 ps
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160B-6TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Technology: SDRAM - DDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 700 ps
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160B-6TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Technology: SDRAM - DDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 700 ps
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-5BLISSIDRAM 256M (16Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-5BLISSIDRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 60-Pin TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-5BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Technology: SDRAM - DDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 700 ps
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-5BL-TRISSIDRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 60-Pin TFBGA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-5BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Technology: SDRAM - DDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 700 ps
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH