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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IS43QR85120B-083RBL-TRISSIDRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s a. 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, T&R
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR85120B-083RBLIISSIDRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s @ 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.3 EUR
10+20.69 EUR
25+20 EUR
50+19.75 EUR
100+19.04 EUR
272+18.02 EUR
544+17.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR85120B-083RBLI-TRISSIDRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s a. 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT, T&R
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR8K02S2A-083TBLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 16GBIT PAR 78LWBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 78-LFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 90°C (TC)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Technology: SDRAM - DDR4
Clock Frequency: 1.2 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 78-LWBGA (10x14)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 18 ns
Memory Organization: 2G x 8
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+149.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR8K02S2A-083TBLISSIDRAM 16G, 1.2V, DDR4, 2Mx8, Dual Rank, 2400MT/s a. 17-17-17, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR8K02S2A-083TBL-TRISSIDRAM 16G, 1.2V, DDR4, 2Mx8, Dual Rank, 2400MT/s a. 17-17-17, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, T&R
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR8K02S2A-083TBL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 16GBIT PAR 78LWBGA
Memory Organization: 2G x 8
Access Time: 18 ns
Memory Interface: Parallel
Package / Case: 78-LFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 78-LWBGA (10x14)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 1.2 GHz
Technology: SDRAM - DDR4
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Operating Temperature: 0°C ~ 90°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 16Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR8K02S2A-083TBLIISSIDRAM 16G, 1.2V, DDR4, 2Mx8, Dual Rank, 2400MT/s a. 17-17-17, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR8K02S2A-083TBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 16GBIT PAR 78LWBGA
Memory Organization: 2G x 8
Access Time: 18 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 78-LWBGA (10x14)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 1.2 GHz
Technology: SDRAM - DDR4
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 16Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 78-LFBGA
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR8K02S2A-083TBLI-TRISSIDRAM 16G, 1.2V, DDR4, 2Mx8, Dual Rank, 2400MT/s a. 17-17-17, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT, T&R
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR8K02S2A-083TBLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 16GBIT PAR 78LWBGA
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 16Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 78-LFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Memory Organization: 2G x 8
Access Time: 18 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 78-LWBGA (10x14)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 1.2 GHz
Technology: SDRAM - DDR4
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160B-5TL
auf Bestellung 3080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160B-5TL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 16
Access Time: 700 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Technology: SDRAM - DDR
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160B-5TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Technology: SDRAM - DDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 700 ps
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160B-5TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Technology: SDRAM - DDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 700 ps
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160B-6TLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 16
Access Time: 700 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - DDR
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 216 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160B-6TLINTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43R16160B-6TL - DRAM, DDR, 256 Mbit, 4 BLK (4M x 16), 166 MHz, TSOP-II, 66 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: DDR
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
hazardous: false
DRAM-Dichte: 256
MSL: MSL 5 - 48 Stunden
Zugriffszeit: 700
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 2.5
Betriebstemperatur, min.: 0
Taktfrequenz: 166
euEccn: NLR
Seitengröße: 256
Anzahl der Pins: 66
Produktpalette: IS43R
Betriebstemperatur, max.: 70
Speicherkonfiguration DRAM: 4 BLK (4M x 16)
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160B-6TL
auf Bestellung 2080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160B-6TL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 16
Access Time: 700 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - DDR
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160B-6TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Technology: SDRAM - DDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 700 ps
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160B-6TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Technology: SDRAM - DDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 700 ps
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-5BLISSIDRAM 256M (16Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-5BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 16
Access Time: 700 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x13)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Technology: SDRAM - DDR
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-5BLISSIDRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 60-Pin TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-5BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 16
Access Time: 700 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x13)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Technology: SDRAM - DDR
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-5BL-TRISSIDRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 60-Pin TFBGA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-5BL-TRISSIDRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-5BLIISSIDRAM 256M (16Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-5BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 16
Access Time: 700 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x13)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Technology: SDRAM - DDR
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-5BLI-TRISSIDRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 60-Pin TFBGA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-5BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 16
Access Time: 700 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x13)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Technology: SDRAM - DDR
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-5BLI-TRISSIDRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-5TLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 16
Access Time: 700 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Technology: SDRAM - DDR
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 216 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-5TLISSIDRAM 256M (16Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-5TLISSIDRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 66-Pin TSOP-II
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-5TL-TRISSIDRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-5TL-TRISSIDRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 66-Pin TSOP-II T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-5TL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 16
Access Time: 700 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Technology: SDRAM - DDR
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-5TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 16
Access Time: 700 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Technology: SDRAM - DDR
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 324 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-5TLIISSIDRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-5TLIISSIDRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 66-Pin TSOP-II
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-5TLI-TRISSIDRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-5TLI-TRISSIDRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 66-Pin TSOP-II T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-5TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 16
Access Time: 700 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Technology: SDRAM - DDR
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-6BIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-6BI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-6BLISSIDRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 60-Pin TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-6BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 16
Access Time: 700 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x13)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - DDR
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-6BLISSIDRAM 256M (16Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.96 EUR
10+10.91 EUR
25+10.72 EUR
100+10.6 EUR
190+9.89 EUR
570+9.56 EUR
1140+9.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-6BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 16
Access Time: 700 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x13)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - DDR
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-6BL-TRISSIDRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-6BLIISSIDRAM 256M (16Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.28 EUR
10+12.21 EUR
25+11.96 EUR
50+11.91 EUR
100+10.28 EUR
190+10.26 EUR
570+10.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-6BLIISSIDRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 60-Pin TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 16
Access Time: 700 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x13)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - DDR
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-6BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 16
Access Time: 700 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x13)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - DDR
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-6BLI-TRISSIDRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-6TLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 16
Access Time: 700 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - DDR
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 324 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-6TLISSIDRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 66-Pin TSOP-II
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-6TLISSIDRAM 256M (16Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.61 EUR
10+9.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-6TLISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx32bit; 166MHz; 6ns; TSOP66 II; tube
Kind of package: tube
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Case: TSOP66 II
Operating temperature: 0...70°C
Access time: 6ns
Supply voltage: 2.5V DC
Memory: 256Mb DRAM
Clock frequency: 166MHz
Memory organisation: 16Mx32bit
Kind of memory: SDRAM
Type of integrated circuit: DRAM memory
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-6TL-TRINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSIDescription: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43R16160D-6TL-TR - SDRAM, 16M x 16 Bit, 700ps, parallele Schnittstelle, TSOP-II-66
tariffCode: 85423245
DRAM-Ausführung: DDR
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 2.5V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 66Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+23.15 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-6TL-TRISSIDRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 66-Pin TSOP-II T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-6TL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 16
Access Time: 700 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - DDR
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-6TL-TRISSIDRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 66-Pin TSOP-II T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-6TL-TRINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSIDescription: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43R16160D-6TL-TR - SDRAM, 16M x 16 Bit, 700ps, parallele Schnittstelle, TSOP-II-66
tariffCode: 85423245
DRAM-Ausführung: DDR
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 2.5V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 66Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+23.15 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-6TL-TRISSIDRAM 256M (16Mx16) 166MHz DDR 2.5v
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-6TLIISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx32bit; 166MHz; 6ns; TSOP66 II; tube
Kind of package: tube
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Case: TSOP66 II
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 6ns
Supply voltage: 2.5V DC
Memory: 256Mb DRAM
Clock frequency: 166MHz
Memory organisation: 16Mx32bit
Kind of memory: SDRAM
Type of integrated circuit: DRAM memory
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-6TLIISSIDRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 66-Pin TSOP-II
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+14.58 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-6TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 16
Access Time: 700 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - DDR
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 324 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-6TLIISSIDRAM 256M (16Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.37 EUR
10+15.24 EUR
25+14.77 EUR
50+14.41 EUR
108+14.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-6TLIISSIDRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 66-Pin TSOP-II
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-6TLI-TRISSIDRAM 256M (16Mx16) 166MHz DDR 2.5v
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-6TLI-TRISSIDRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 66-Pin TSOP-II T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160D-6TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 16
Access Time: 700 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - DDR
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160F-5BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Technology: SDRAM - DDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 700 ps
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 380 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160F-5BLISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 200MHz; 5ns; TFBGA60
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Case: TFBGA60
Operating temperature: 0...70°C
Access time: 5ns
Supply voltage: 2.5V DC
Memory: 256Mb DRAM
Clock frequency: 200MHz
Memory organisation: 4Mx16bitx4
Kind of memory: DDR1; SDRAM
Type of integrated circuit: DRAM memory
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160F-5BLISSIDRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160F-5BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Technology: SDRAM - DDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 700 ps
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160F-5BL-TRISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 200MHz; 5ns; TFBGA60
Kind of package: reel; tape
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Case: TFBGA60
Operating temperature: 0...70°C
Access time: 5ns
Supply voltage: 2.5V DC
Memory: 256Mb DRAM
Clock frequency: 200MHz
Memory organisation: 4Mx16bitx4
Kind of memory: DDR1; SDRAM
Type of integrated circuit: DRAM memory
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160F-5BL-TRISSIDRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160F-5BL-TRISSIDRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 60-Pin TFBGA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160F-5BLIISSIDRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 60-Pin TFBGA
auf Bestellung 17300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.71 EUR
22+7.63 EUR
25+7.13 EUR
100+6.14 EUR
190+5.38 EUR
380+5.11 EUR
570+4.83 EUR
1140+4.78 EUR
2660+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160F-5BLIISSIDRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 60-Pin TFBGA
auf Bestellung 17300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.71 EUR
22+7.79 EUR
25+7.4 EUR
100+6.49 EUR
190+5.83 EUR
380+5.68 EUR
570+5.49 EUR
1140+5.44 EUR
2660+5.41 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160F-5BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Technology: SDRAM - DDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 700 ps
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 380 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160F-5BLIISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 200MHz; 5ns; TFBGA60
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Case: TFBGA60
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 5ns
Supply voltage: 2.5V DC
Memory: 256Mb DRAM
Clock frequency: 200MHz
Memory organisation: 4Mx16bitx4
Kind of memory: DDR1; SDRAM
Type of integrated circuit: DRAM memory
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160F-5BLIISSIDRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.39 EUR
10+16.15 EUR
25+15.66 EUR
50+15.29 EUR
100+14.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160F-5BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Technology: SDRAM - DDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 700 ps
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160F-5BLI-TRISSIDRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160F-5BLI-TRISSIDRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 60-Pin TFBGA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160F-5TLISSIDRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.43 EUR
10+17.11 EUR
25+16.59 EUR
50+16.18 EUR
108+15.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160F-5TLISSIDRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 66-Pin TSOP-II
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160F-5TLISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 200MHz; 5ns; TSOP66 II
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Case: TSOP66 II
Operating temperature: 0...70°C
Access time: 5ns
Supply voltage: 2.5V DC
Memory: 256Mb DRAM
Clock frequency: 200MHz
Memory organisation: 4Mx16bitx4
Kind of memory: DDR1; SDRAM
Type of integrated circuit: DRAM memory
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160F-5TLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Technology: SDRAM - DDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 700 ps
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 324 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16160F-5TL-TRISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 200MHz; 5ns; TSOP66 II
Kind of package: reel; tape
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Case: TSOP66 II
Operating temperature: 0...70°C
Access time: 5ns
Supply voltage: 2.5V DC
Memory: 256Mb DRAM
Clock frequency: 200MHz
Memory organisation: 4Mx16bitx4
Kind of memory: DDR1; SDRAM
Type of integrated circuit: DRAM memory
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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IS43R16160F-5TL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Technology: SDRAM - DDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 700 ps
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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IS43R16160F-5TL-TRISSIDRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.15 EUR
10+5.59 EUR
25+5.46 EUR
50+5.18 EUR
100+4.88 EUR
250+4.86 EUR
500+4.69 EUR
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IS43R16160F-5TL-TRISSIDRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 66-Pin TSOP-II T/R
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IS43R16160F-5TLIISSIDRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
auf Bestellung 1481 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.85 EUR
10+18.27 EUR
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IS43R16160F-5TLIISSIDRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 66-Pin TSOP-II
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 Mindestbestellmenge: 108 Stücke
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IS43R16160F-5TLIISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 200MHz; 5ns; TSOP66 II
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Case: TSOP66 II
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 5ns
Supply voltage: 2.5V DC
Memory: 256Mb DRAM
Clock frequency: 200MHz
Memory organisation: 4Mx16bitx4
Kind of memory: DDR1; SDRAM
Type of integrated circuit: DRAM memory
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