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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2N4115GENERAL SEMI GSI2N4115
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+26.37 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4115General SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 5A TO59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-3, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-59
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 37 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4116Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N4116GENERAL SEMI GSI2N4116
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+467.93 EUR
25+447.42 EUR
100+424.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4116Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200µA, 2mA
Supplier Device Package: TO-59
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 37 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N4117
Produktcode: 42857
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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-72
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 0,5 A
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
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2N4117InterFET Corp.JFET СНЯТ С ПРОИЗВОДСТВА Транзистори
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+64.13 EUR
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2N4117InterFETJFETs JFET N-Channel -40V Low Ciss
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.54 EUR
10+32.46 EUR
100+28.06 EUR
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2N4117AVishay02+/03
auf Bestellung 6165 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N4117AInterFETJFETs JFET N-Channel -40V Low Ciss
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4117AVishay SiliconixDescription: JFET N-CH 40V TO206AF
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30 µA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 600 mV @ 1 nA
Power - Max: 300 mW
Supplier Device Package: TO-206AF (TO-72)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4117A
Produktcode: 133077
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4117AInterFET Corp.JFET JFET N-Channel -40V 50mA 300mW 2mW Транзистори
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2N4117AVishay SemiconductorsJFETs RECOMMENDED ALT 2N41
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4117A TO-72 4LLinear Integrated Systems, Inc.Description: JFET N-CH 40V TO72-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Supplier Device Package: TO-72-4
Power - Max: 300 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 600 mV @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30 µA @ 10 V
auf Bestellung 116 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.61 EUR
10+9.9 EUR
50+7.88 EUR
100+7.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4117A-2Vishay SiliconixDescription: JFET N-CH 40V TO206AF
Packaging: Bulk
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30 µA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 600 mV @ 1 nA
Power - Max: 300 mW
Supplier Device Package: TO-206AF (TO-72)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4117A-E3Vishay SiliconixDescription: JFET N-CH 40V TO206AF
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30 µA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 600 mV @ 1 nA
Power - Max: 300 mW
Supplier Device Package: TO-206AF (TO-72)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4117A-E3Vishay SiliconixJFET СНЯТ С ПРОИЗВОДСТВА Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4117A-E3Vishay SemiconductorsJFET 40V 0.03mA
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4118InterFETJFETs JFET N-Channel -40V Low Ciss
auf Bestellung 462 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.46 EUR
10+31.71 EUR
100+27.39 EUR
500+25.95 EUR
1000+22.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4118VISHAY
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4118AVISHAY
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4118AVishay SemiconductorsJFETs 40V 0.08mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4118AVishay SiliconixDescription: JFET N-CH 40V TO206AF
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80 µA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 nA
Power - Max: 300 mW
Supplier Device Package: TO-206AF (TO-72)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4118A TO-72 4LLinear Integrated Systems, Inc.Description: ULTRA HIGH INPUT IMPEDANCE N-CHA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4118A TO-72 4L ROHSLinear Integrated Systems, Inc.Description: JFET N-CH 40V TO72-4
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Packaging: Bulk
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80 µA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 nA
Power - Max: 300 mW
Supplier Device Package: TO-72-4
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 728 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.26 EUR
10+8.96 EUR
100+6.54 EUR
500+5.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4118A-2Vishay / SiliconixJFET Field Effect Trnstr
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4118A-2Vishay SiliconixDescription: JFET N-CH 40V TO206AF
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80 µA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 nA
Power - Max: 300 mW
Supplier Device Package: TO-206AF (TO-72)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4118A-E3Vishay SiliconixJFET СНЯТ С ПРОИЗВОДСТВА Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4118A-E3Vishay SiliconixDescription: JFET N-CH 40V TO206AF
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80 µA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 nA
Power - Max: 300 mW
Supplier Device Package: TO-206AF (TO-72)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4119SILICONI
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4119InterFETJFETs JFET N-Channel -40V Low Ciss
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4119AInterFETJFETs JFET N-Channel -40V Low Ciss
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+54.6 EUR
10+43.71 EUR
100+37.78 EUR
500+35.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4119AVishay SiliconixDescription: JFET N-CH 40V TO206AF
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Packaging: Bulk
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200 µA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2 V @ 1 nA
Power - Max: 300 mW
Supplier Device Package: TO-206AF (TO-72)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4119A TO-72 4LLinear Integrated Systems, Inc.Description: JFET N-CH 40V TO72-4
Packaging: Bulk
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200 µA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2 V @ 1 nA
Power - Max: 300 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-72-4
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
auf Bestellung 362 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.14 EUR
10+8.88 EUR
100+6.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4119A-2Vishay SiliconixDescription: JFET N-CH 40V TO206AF
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200 µA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2 V @ 1 nA
Power - Max: 300 mW
Supplier Device Package: TO-206AF (TO-72)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4119A-E3Vishay SiliconixDescription: JFET N-CH 40V TO206AF
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200 µA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2 V @ 1 nA
Power - Max: 300 mW
Supplier Device Package: TO-206AF (TO-72)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N411AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N412MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4120MOTCAN
auf Bestellung 648 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4121MOTOROLA
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4123onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT TO-92
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4123Harris CorporationDescription: TRANS NPN 30V 0.2A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 350 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4123NTE Electronics, Inc.Trans GP BJT NPN 30V 0.2A 3-Pin TO-92
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4123 APM PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 30V,200mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4123 APM PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 30V 200MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 950mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Tape & Box (TB)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4123 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 30V,200mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4123 APM TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 30V 200MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Tape & Box (TB)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4123 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT . .
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4123 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 30V 0.2A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4123 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 40Vcbo 30Vceo 5.0Vebo 200mA 625mW
auf Bestellung 3630 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.36 EUR
10+0.83 EUR
100+0.55 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.38 EUR
2500+0.32 EUR
5000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4123 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 30V 200MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Box
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4123 TRE PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 30V,200mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4123 TRE PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 30V 200MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 950mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4123 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 30V,200mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4123 TRE TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 30V 200MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 250MHz
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4123-APMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 30V 0.2A TO-92
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4123BUonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.2A TO-92-3
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4123RLRMonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.2A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 115989 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4537+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4537 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4123RLRMONSEMIDescription: ONSEMI - 2N4123RLRM - 2N4123RLRM, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
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auf Bestellung 136265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2174+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2174 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4123RLRMonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.2A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4123RLRMON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 111989 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6834+0.094 EUR
10000+0.083 EUR
100000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 6834 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4123TAonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.2A TO-92-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V
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Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4123TARonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.2A TO-92-3
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4123TFonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.2A TO-92-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4123TFRonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.2A TO-92-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
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Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4124onsemiBipolar Transistors - BJT NPN Bipolar Transistor, TO-92
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4124ONS/FAINPN, Uкэ=25V, Iк=200 mA , 300МГц, TO-92 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4124
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4124NTE ELECTRONICSDescription: NTE ELECTRONICS - 2N4124 - T-NPN SI- GEN PUR AMP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4124onsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.2A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4124 APM PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 25V 200MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Tape & Box (TB)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4124 APM PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 25V,200mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4124 APM TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 25V 200MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4124 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 25V,200mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4124 APP PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 30Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 200mA 625mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4124 APP PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 25V 200MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4124 APP TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 25V 200MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4124 APP TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 30Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 200mA 625mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4124 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4124 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 30Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 200mA 625mW
auf Bestellung 8690 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.36 EUR
10+0.84 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.37 EUR
2500+0.32 EUR
5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4124 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4124 PBFREECentral SemiconductorCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.2A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 120...360
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4124 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 25V TO-92-3
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
auf Bestellung 8161 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.46 EUR
24+0.9 EUR
100+0.58 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
2500+0.36 EUR
5000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4124 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 25V 200MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4124 TIN/LEADCentral Semiconductor2N4124 TIN/LEAD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4124 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 30Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 200mA 625mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4124 TRA PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 25V 200MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4124 TRA PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 30Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 200mA 625mW
auf Bestellung 9345 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.73 EUR
10+1.23 EUR
100+0.76 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.44 EUR
2000+0.39 EUR
4000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4124 TRA TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 25V 200MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4124 TRA TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 30Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 200mA 625mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4124 TRE PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 25V 200MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4124 TRE PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 25V,200mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4124 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 25V,200mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4124 TRE TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 25V 200MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4124-APMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 25V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 5176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2376+0.073 EUR
2404+0.069 EUR
2422+0.065 EUR
2451+0.063 EUR
2470+0.06 EUR
2500+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 2376 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4124-APMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 25V 0.2A TO-92
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4124-BPMicro Commercial CoDescription: TRANS NPN 25V 0.2A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4124BUONSEMIDescription: ONSEMI - 2N4124BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 625
Übergangsfrequenz ft: 300
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 25
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20000 Stücke
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2N4124BUonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.2A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
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