Produkte > DMG
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| DMG214010R | Panasonic Industry | Description: TRANS PREBIAS 1PNP 1NPN MINI6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V / 210 @ 2mA, 10V Frequency - Transition: 150MHz Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: Mini6-G4-B | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG2301L | Diodes Incorporated | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG2301L-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 290000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG2301L-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS | auf Bestellung 1802 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG2301L-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG2301L-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 14987 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG2301L-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG2301L-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG2301L-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG2301L-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG2301L-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG2301L-7 | DIODES/ZETEX | Single P-Channel 20 V 1.5 W 5.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet DMG2301L-7 TDMG2301L Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| DMG2301L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 10 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG2301L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG2301L-7 Produktcode: 207975
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| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DMG2301L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 375000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG2301L-7 | Diodes | MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG2301L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 57000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG2301L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 101 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 101 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG2301L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG2301L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 15009 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG2301L-7 | DIODES/ZETEX | Single P-Channel 20 V 1.5 W 5.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet DMG2301L-7 TDMG2301L Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| DMG2301L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 135000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG2301L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG2301L-7 | DIODES/ZETEX | Single P-Channel 20 V 1.5 W 5.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet DMG2301L-7 TDMG2301L Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 11700 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| DMG2301L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 10 V | auf Bestellung 4357 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG2301L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 135000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG2301L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG2301L-7 | DIODES/ZETEX | Single P-Channel 20 V 1.5 W 5.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet DMG2301L-7 TDMG2301L Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| DMG2301L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 375000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG2301L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG2301L-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS | auf Bestellung 30482 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG2301L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG2301L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 15009 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG2301L-7-ML | MOSLEADER | Description: P 20V 3A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG2301LK | Diodes Incorporated | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG2301LK-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | auf Bestellung 175 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG2301LK-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG2301LK-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 840mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG2301LK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 840mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 32906 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG2301LK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 921 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 921 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG2301LK-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG2301LK-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.136 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 840mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 840mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.136ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.136ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 4580 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG2301LK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 59530 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG2301LK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 840mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1A, 4.5V | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG2301LK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG2301LK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG2301LK-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG2301LK-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.136 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 840mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.136ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 4580 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG2301LK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 59530 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG2301LK-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | auf Bestellung 23714 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG2301LK-7 | DIODES/ZETEX | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A Automotive 3-Pin SOT-23 DMG2301LK-7 TDMG2301LK Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| DMG2301LK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG2301LK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 921 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 921 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG2301U | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG2301U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG2301U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 6 V | auf Bestellung 185459 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG2301U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG2301U-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG2301U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG2301U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 6 V | auf Bestellung 183000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG2301U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 75000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG2301U-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG2301U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG2301U-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET P-CHANNEL SOT-23 | auf Bestellung 14631 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG2302U | Diodes Incorporated | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG2302U-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 20V N-Chan | auf Bestellung 928 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG2302U-7 | Diodes | SOT-23 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG2302U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 50µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V | auf Bestellung 57000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG2302U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG2302U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 50µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V | auf Bestellung 59957 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG2302U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG2302UK | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG2302UK-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG2302UK-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG2302UK-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | auf Bestellung 10602 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG2302UK-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 8297 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG2302UK-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG2302UK-13 Produktcode: 198291
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| DMG2302UK-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 1.1W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Drain current: 2.2A Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 12A Drain-source voltage: 20V Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 1.4nC On-state resistance: 0.12Ω Power dissipation: 1.1W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG2302UK-7 | Diodes | MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG2302UK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG2302UK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG2302UK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG2302UK-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 0.66W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Drain current: 2.2A Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 12A Drain-source voltage: 20V Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar On-state resistance: 90mΩ Power dissipation: 0.66W | auf Bestellung 4799 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG2302UK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 721 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 721 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG2302UK-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG2302UK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 660mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 660mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.061ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 9238 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG2302UK-7 | DIODES/ZETEX | Transistor N-MOSFET; 20V; 12V; 120mOhm; 2,8A; 660mW; -55°C ~ 150°C; DMG2302UK-7, DMG2302UK-13; DMG2302UK Diodes TDMG2302uk Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| DMG2302UK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG2302UK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 27785 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG2302UK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 721 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 721 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG2302UK-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | auf Bestellung 301123 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG2302UK-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG2302UK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 660mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 9238 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG2302UK-7 | DIODES/ZETEX | Transistor N-MOSFET; 20V; 12V; 120mOhm; 2,8A; 660mW; -55°C ~ 150°C; DMG2302UK-7, DMG2302UK-13; DMG2302UK Diodes TDMG2302uk Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| DMG2302UK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG2302UKQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG2302UKQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | auf Bestellung 1857 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG2302UKQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG2302UKQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 1.1W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Drain current: 2.2A Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 12A Drain-source voltage: 20V Kind of package: 13 inch reel; tape Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 1.4nC On-state resistance: 0.12Ω Power dissipation: 1.1W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG2302UKQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 7609 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG2302UKQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | auf Bestellung 77607 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG2302UKQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG2302UKQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 660mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 660mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DMG2302UKQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.061ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2030 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG2302UKQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2005 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG2302UKQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG2302UKQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 1.1W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Drain current: 2.2A Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 12A Drain-source voltage: 20V Kind of package: 7 inch reel; tape Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 1.4nC On-state resistance: 0.12Ω Power dissipation: 1.1W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG2302UKQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 36155 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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