Produkte > DXT
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| DXTP03060BFG-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXTP03060BFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTP03060BFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 3.4W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Dauerkollektorstrom: 5.5A Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 1853 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXTP03060BFG-7 | Diodes Incorporated | Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 50A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.07 W | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP03060BFG-7 | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 5.5A; PowerDI®3333-8 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 5.5A Case: PowerDI®3333-8 Mounting: SMD Frequency: 120MHz Quantity in set/package: 2000pcs. Current gain: 10...300 Kind of package: reel; tape | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXTP03060BFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTP03060BFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 3.4W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Dauerkollektorstrom: 5.5A Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 1853 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXTP03060CFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTP03060CFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 3.4W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Dauerkollektorstrom: 5.5A Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 1737 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXTP03060CFG-7 | Diodes Incorporated | Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 240 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.07 W | auf Bestellung 11980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP03060CFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTP03060CFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 3.4W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Dauerkollektorstrom: 5.5A Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 1737 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXTP03060CFG-7 | Diodes Incorporated | Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 240 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.07 W | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP03060CFG-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXTP03100BFG-7 | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 5A; PowerDI®3333-8 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 5A Case: PowerDI®3333-8 Current gain: 5...300 Mounting: SMD Quantity in set/package: 2000pcs. Kind of package: reel; tape Frequency: 125MHz | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXTP03100BFG-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transist | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXTP03100BFG-7 | Diodes Incorporated | Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33 Power - Max: 1.07 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Frequency - Transition: 125MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 11980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP03100BFG-7 | Diodes Incorporated | Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.07 W | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP03100CFG-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXTP03100CFG-7 | Diodes Incorporated | Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3 Power - Max: 1.07 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 380mV @ 400mA, 4A Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Frequency - Transition: 125MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 2V | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP03100CFG-7 | Diodes Incorporated | Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 380mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.07 W | auf Bestellung 11960 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP03140BFG-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 140V 4A POWERDI3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 1.07 W | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP03140BFG-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXTP03140BFG-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 140V 4A POWERDI3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 1.07 W | auf Bestellung 7830 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP03200BP5-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 200V 2A POWERDI 5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 105MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 3.2 W | auf Bestellung 4704 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP03200BP5-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTP03200BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 3.2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI5 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 105MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 3975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXTP03200BP5-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 200V PNP High Volt Vceo -200V 3.2W | auf Bestellung 4008 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP03200BP5-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 200V 2A POWERDI 5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 105MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 3.2 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXTP03200BP5-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTP03200BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 3.2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI5 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 105MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 3975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXTP03200BP5Q-13 | Diodes Incorporated | Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR PDI5 T Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 105MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 740 mW Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP03200BP5Q-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor PDI5 T&R 5K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXTP06080BFG-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 80V 1A POWERDI3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.07 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXTP06080BFG-7 | Diodes Zetex | DXTP06080BFG-7 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXTP06080BFG-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 80V 1A POWERDI3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.07 W | auf Bestellung 1955 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP06080BFG-7 | Diodes Zetex | DXTP06080BFG-7 | auf Bestellung 26000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXTP06080BFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 80V 1A POWERDI3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.07 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1325 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP06080BFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 80V 1A POWERDI3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.07 W Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXTP07025BFG-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 25V 3A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXTP07025BFG-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 25V 3A POWERDI3 Qualification: AEC-Q101 Power - Max: 900 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Grade: Automotive Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Frequency - Transition: 160MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 61980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP07025BFG-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXTP07025BFG-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 25V 3A POWERDI3 Qualification: AEC-Q101 Power - Max: 900 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Grade: Automotive Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Frequency - Transition: 160MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP07025BFGQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTP07025BFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 3 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.4W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXTP07025BFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 25V 3A POWERDI3 Qualification: AEC-Q101 Power - Max: 1.1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Grade: Automotive Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Frequency - Transition: 160MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 41980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP07025BFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 25V 3A POWERDI3 Qualification: AEC-Q101 Power - Max: 1.1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Grade: Automotive Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Frequency - Transition: 160MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP07025BFGQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTP07025BFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 3 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.4W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXTP07040CFG-7 | Diodes Incorporated | Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXTP07040CFG-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP07040CFG-7 | Diodes Incorporated | Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3 | auf Bestellung 1990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXTP07040CFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXTP07040CFGQ-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor | auf Bestellung 2389 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP07040CFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3 | auf Bestellung 1980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXTP07060BFG-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 3A POWERDI3 Power - Max: 900 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Frequency - Transition: 140MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 7985 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP07060BFG-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP07060BFG-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 3A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXTP07060BFG-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 3A POWERDI3 Power - Max: 900 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Frequency - Transition: 140MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP07060BFG-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 3A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXTP07060BFGQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; automotive industry Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Mounting: SMD Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXTP07060BFGQ-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K | auf Bestellung 1759 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP07100BFG-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 100V 2A POWERDI3 Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Power - Max: 900 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Grade: Automotive Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Frequency - Transition: 140MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) | auf Bestellung 11980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP07100BFG-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor | auf Bestellung 5904 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP07100BFG-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 100V 2A POWERDI3 Qualification: AEC-Q101 Power - Max: 900 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Grade: Automotive Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Frequency - Transition: 140MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP07100BFG-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 100V 2A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXTP07100BFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.1 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP07100BFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.1 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP19020DP5-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 20V 8A POWERDI 5 Power - Max: 3 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Frequency - Transition: 176MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerDI™ 5 Packaging: Tape & Reel (TR) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 800mA, 8A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXTP19020DP5-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP | auf Bestellung 4855 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP19020DP5-13 | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 20V; 8A; 3W; PowerDI®5 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 20V Collector current: 8A Case: PowerDI®5 Mounting: SMD Frequency: 176MHz Power dissipation: 3W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXTP19020DP5-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 20V 8A POWERDI 5 Power - Max: 3 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Part Status: Active Frequency - Transition: 176MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 800mA, 8A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerDI™ 5 Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: PowerDI™ 5 | auf Bestellung 4653 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP22040CFG-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 2A POWERDI3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.07 W | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP22040CFG-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXTP22040CFG-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 2A POWERDI3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.07 W | auf Bestellung 19980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP22040CFGQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTP22040CFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.4W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXTP22040CFGQ-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXTP22040CFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 2A POWERDI3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.07 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP22040CFGQ-7 | Diodes Zetex | DXTP22040CFGQ-7 | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXTP22040CFGQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTP22040CFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.4W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 45 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXTP22040CFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 2A POWERDI3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.07 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 19980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP22040DFG-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 2A POWERDI3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.07 W | auf Bestellung 23980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP22040DFG-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 2A POWERDI3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.07 W | auf Bestellung 22000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP22040DFG-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXTP22040DFGQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTP22040DFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120 DC-Stromverstärkung hFE: 120 Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 3.4 Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXTP22040DFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 2A POWERDI3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.07 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 41770 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP22040DFGQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTP22040DFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40 Verlustleistung: 3.4 DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120 Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXTP22040DFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 2A POWERDI3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.07 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP3C100PD-13 | Diodes Incorporated | Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI50 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Power - Max: 1.76W Current - Collector (Ic) (Max): 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 325mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD) | auf Bestellung 2480 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP3C100PD-13 | Diodes Incorporated | Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI50 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Power - Max: 1.76W Current - Collector (Ic) (Max): 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 325mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXTP3C100PDQ-13 | Diodes Incorporated | Description: SS Low Sat Transistor PowerDI506 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD) Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 325mV @ 200mA, 2A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V Current - Collector (Ic) (Max): 3A Power - Max: 1.76W Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Transistor Type: 2 PNP (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Bulk | auf Bestellung 1481 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP3C100PSQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 5W; PowerDI®5060-8 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 3A Power dissipation: 5W Case: PowerDI®5060-8 Mounting: SMD Quantity in set/package: 2500pcs. Kind of package: reel; tape Frequency: 125MHz Pulsed collector current: 8A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXTP3C100PSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 100V 3A POWERDI5060-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 5 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1353 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP3C100PSQ-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 100V PNP High Pwr Low Sat Transistor | auf Bestellung 799 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP3C100PSQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTP3C100PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PowerDI5060 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 125MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXTP3C100PSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 100V 3A POWERDI5060-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 5 W Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXTP3C100PSQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTP3C100PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PowerDI5060 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 125MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXTP3C60PS-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor | auf Bestellung 3370 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP3C60PS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTP3C60PS-13 - Bipolares Transistor-Array, PNP, 60 V, 3 A tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 5W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3A Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 35hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 175°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXTP3C60PS-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60VPOWERDI5060-8 | auf Bestellung 9265 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXTP3C60PS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 3A; 5W; PowerDI®5060-8 Type of transistor: PNP Case: PowerDI®5060-8 Mounting: SMD Power dissipation: 5W Quantity in set/package: 2500pcs. Collector current: 3A Pulsed collector current: 8A Collector-emitter voltage: 60V Kind of package: reel; tape Polarisation: bipolar | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXTP3C60PS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTP3C60PS-13 - Bipolares Transistor-Array, PNP, 60 V, 3 A tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 5W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3A Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 35hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 175°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXTP3C60PS-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60VPOWERDI5060-8 | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXTP3C60PSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 3A POWERDI5060-8 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Power - Max: 5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Grade: Automotive Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Frequency - Transition: 135MHz | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXTP3C60PSQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTP3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 135MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 4938 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXTP3C60PSQ-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 60V PNP Medium Pwr Low Sat Transistor | auf Bestellung 715 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP3C60PSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 3A POWERDI5060-8 Qualification: AEC-Q101 Power - Max: 5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Grade: Automotive Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Frequency - Transition: 135MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 1990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP3C60PSQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTP3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 135MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 4938 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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