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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
RJK0366DSP00J0RENESAS
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0368DPARENESAS
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0368DPA-00#J0Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 20A 8WPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: 8-WPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Bulk
auf Bestellung 61026 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
625+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 625 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0368DPA-WS#J0Rochester Electronics, LLCDescription: POWER TRANSISTOR, MOSFET
auf Bestellung 2085 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1137 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0368DPA00J0RENESAS
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RJK0369DSP-00#J0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0369DSP-00#J0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0369DSP-00#J0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0371DSP-00#J0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0371DSP-00#J0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0371DSP-00#J0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0374DSP-01#J0
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0374DSP-01#J0Renesas Electronics America IncDescription: POWER TRANSISTOR, MOSFET
auf Bestellung 265000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 306 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0375DSP-01#J0
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0379DPA-00#J53Renesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
221+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 221 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0379DPA-00#J5ARenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: 8-WPAK
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
204+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 204 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0379DPA-WS#J53Renesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
221+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 221 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0380DPA-00#J5ARenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0380DPA-02#J0Renesas Electronics America IncDescription: POWER TRANSISTOR, MOSFET
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
259+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 259 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0380DPA-02-J0
auf Bestellung 2003 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0380DPA-HF-HS
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0381DPA-00#J5ARenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 30V 40A 8WPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: 8-WPAK
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
319+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 319 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0383DPA
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0383DPA-09#J53Renesas Electronics America IncDescription: POWER TRANSISTOR, MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0384DPA
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0384DPA-00#J53Renesas Electronics America IncDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
133+4.47 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0389DPA
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0389DPA-00#J53Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15A/20A WPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0389DPA-00#J53Renesas ElectronicsRenesas Electronics
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0389DPA-02
auf Bestellung 1632 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0389DPA-WS#J53Renesas Electronics America IncDescription: POWER TRANSISTOR, MOSFET
auf Bestellung 2191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0390DPA
auf Bestellung 798200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0390DPA-00#J53Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: 8-WPAK
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 32.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Bulk
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
204+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 204 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0390DPA-00#J5ARenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: 8-WPAK
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 32.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
204+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 204 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0390DPA-02#J5ARenesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 339000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
204+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 204 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0390DPA-WS#J53Renesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 5858 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
204+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 204 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0391DPA
auf Bestellung 798200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0391DPA-00#J53SOP8
auf Bestellung 2767 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0391DPA-00#J53Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 50A W-PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0391DPA-00#J53Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 50A W-PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0391DPA-00#J53Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 50A W-PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0391DPA-00#J5ARenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WPAK (3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0391DPA-00#J5ARenesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 30V 50A 2.9mohm SON-8 5x6
auf Bestellung 4944 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.77 EUR
10+3.33 EUR
100+2.39 EUR
500+2 EUR
1000+1.73 EUR
3000+1.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0391DPA-00#J5ARENESASDescription: RENESAS - RJK0391DPA-00#J5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 2900 µohm, WPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
auf Bestellung 2845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.84 EUR
75+3.13 EUR
105+2.06 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0391DPA-00#J5ARenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WPAK (3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 10 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0391DPA-00#J5ARENESASDescription: RENESAS - RJK0391DPA-00#J5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 2900 µohm, WPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
auf Bestellung 2845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.84 EUR
75+3.13 EUR
105+2.06 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0391DPA-00-J53RENESASDIP8
auf Bestellung 2695 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0391DPA-WS#J53Renesas Electronics CorporationDescription: POWER TRANSISTOR, MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 3940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
204+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 204 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0391DPA-WS#J5ARenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH WPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0392DPARENESASQFN
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0392DPA-00#J53Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 45A W-PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0392DPA-00#J53Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 45A W-PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0392DPA-00#J53Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 45A W-PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0392DPA-00#J5ARenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 45A 2WPACK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0392DPA-00#J5ARenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 45A 2WPACK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0392DPA-00#J5ARenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 45A 2WPACK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0392DPA-00-J53RENESASQFN8
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0392DPA-WS#J53Renesas Electronics CorporationDescription: POWER TRANSISTOR, MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 2150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
217+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 217 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0393DPA-00#J53Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 40A 8WPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: 8-WPAK
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Bulk
auf Bestellung 38400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
233+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 233 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0393DPA-00#J5ARenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 40A 8WPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0393DPA-00#J5ARenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 40A 8WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0393DPA-00#J5ARenesas ElectronicsMOSFET BEAM Series FET, 30V, WPAK, Pb Free, HF
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0393DPA-0G#J7ARenesas Electronics CorporationDescription: POWER TRANSISTOR, MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
233+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 233 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0393DPA-HF-HS
auf Bestellung 3548 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0393DPA-WS#J5ARenesas Electronics America IncDescription: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0394DPA-00#J53Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 35A W-PAK
Produkt ist nicht verfügbar
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RJK0394DPA-00#J53Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 35A W-PAK
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RJK0394DPA-00#J53Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 35A W-PAK
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RJK0394DPA-00#J5ARenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 35A 8WPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: 8-WPAK
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Bulk
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
325+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 325 Stücke
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RJK0394DPA-02#J53Renesas Electronics CorporationDescription: POWER TRANSISTOR, MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
325+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 325 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0394DPA-WS#J53Renesas Electronics CorporationDescription: POWER TRANSISTOR, MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1055 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
325+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 325 Stücke
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RJK0395DPA
auf Bestellung 798200 Stücke:
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RJK0395DPA-00#J53Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: 8-WPAK
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Bulk
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
541+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 541 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0395DPA-00#J5ARenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: 8-WPAK
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
541+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 541 Stücke
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RJK0395DPA-WS#J53Renesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 2690 Stücke:
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541+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 541 Stücke
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RJK0396DPA-00#J53Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: 8-WPAK
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Bulk
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
406+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 406 Stücke
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RJK0396DPA-00#J5ARenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 30A WPAK
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RJK0397DPA-00#J53RenesasTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WPAK EP T/R
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462+1.42 EUR
513+1.25 EUR
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RJK0397DPA-00#J53Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 10 V
auf Bestellung 188485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
541+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 541 Stücke
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RJK0397DPA-00#J5ARenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 30A WPAK
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RJK0397DPA-02#J53
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RJK0397DPA-02#J53Renesas Electronics CorporationDescription: POWER TRANSISTOR, MOSFET
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auf Bestellung 6000 Stücke:
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RJK0397DPA-02#J53RenesasRJK0397DPA-02#J53
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462+1.42 EUR
513+1.25 EUR
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Mindestbestellmenge: 462 Stücke
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RJK0397DPA-0G#J7ARenesasRJK0397DPA-0G#J7A
auf Bestellung 18000 Stücke:
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462+1.42 EUR
513+1.25 EUR
1000+1.13 EUR
10000+0.99 EUR
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RJK0397DPA-0G#J7ARenesas Electronics CorporationDescription: POWER TRANSISTOR, MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 4993700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
541+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 541 Stücke
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RJK0397DPA-0G#J7ARenesasRJK0397DPA-0G#J7A
auf Bestellung 4975700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
462+1.42 EUR
513+1.25 EUR
1000+1.13 EUR
10000+0.99 EUR
100000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 462 Stücke
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RJK03A4DPA-00#J53Renesas Electronics America IncDescription: POWER TRANSISTOR, MOSFET
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 451 Stücke
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RJK03A4DPA-00#J5ARenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 42A WPAK
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RJK03B7DPA
auf Bestellung 798200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RJK03B7DPA-00#J53Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
541+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 541 Stücke
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RJK03B7DPA-00#J5ARenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V
auf Bestellung 197615 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
541+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 541 Stücke
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RJK03B7DPA-WS#J53Renesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 2890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
541+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 541 Stücke
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RJK03B8DPA
auf Bestellung 798200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RJK03B8DPA-00#J53Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 10 V
auf Bestellung 114786 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
541+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 541 Stücke
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RJK03B8DPA-00#J5ARenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 30A 2WPACK
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RJK03B8DPA-00#J5ARenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 30A 2WPACK
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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RJK03B8DPA-00#J5ARenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 30A 2WPACK
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RJK03B8DPA-WS#J53Renesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 2475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
541+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 541 Stücke
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RJK03B9DNS-00#J5Renesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 175000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
625+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 625 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK03B9DPA
auf Bestellung 798200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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