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| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| SIDC09D60E6 UNSAWN | Infineon Technologies | Description: DIODE STD 600V 20A SAWN ON FOIL Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sawn on foil Current - Average Rectified (Io): 20A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC09D60E6X1SA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE STD 600V 20A SAWN ON FOIL Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sawn on foil Current - Average Rectified (Io): 20A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC09D60E6X1SA3 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 600V 20A DIE Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Die Current - Average Rectified (Io): 20A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC09D60E6Y | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 702 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC09D60E6YX1SA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 600V 20A WAFER Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sawn on foil Current - Average Rectified (Io): 20A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC09D60F6 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 600V 30A WAFER | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC09D60F6X1SA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 600V 30A DIE Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 30 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: Die Current - Average Rectified (Io): 30A Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC09D60F6X1SA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 600V 30A WAFER Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 30 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: Sawn on foil Current - Average Rectified (Io): 30A Technology: Standard Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC09D60F6X1SA4 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 600V 30A DIE Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 30 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: Die Current - Average Rectified (Io): 30A Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC09D60F6X1SA5 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 600V 30A DIE Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 30 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: Die Current - Average Rectified (Io): 30A Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC105D120H8X1SA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE STANDARD 1.2KV 200A SAWN Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 200A Supplier Device Package: Sawn on foil Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.41 V @ 45 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC10D120H6X1SA5 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 1.2KV 15A WAFER Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Part Status: Discontinued at Digi-Key Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sawn on foil Current - Average Rectified (Io): 15A Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC10D120H8X1SA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 1.2KV 15A WAFER Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.97 V @ 7.5 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: Sawn on foil Current - Average Rectified (Io): 15A Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC110D170H | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 1.7KV 200A WAFER | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 31 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC110D170HX1SA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE STANDARD 1.7KV 200A SAWN Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 200A Supplier Device Package: Sawn on foil Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 200 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1700 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC11D60SIC3 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 4A WAFER Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Discontinued at Digi-Key Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: Sawn on foil Current - Average Rectified (Io): 4A Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3459 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D120E6 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D120E6X1SA3 | Infineon Technologies | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D120E6X1SA4 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D120E6X1SA4 | Infineon Technologies | Description: DIODE STD 1200V 15A SAWN ON FOIL Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: Sawn on foil Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D120E6X7SA1 | Infineon Technologies | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D120E6ZJ | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D120EP6 | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D120F6 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D120F6X1SA3 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 1.2KV 15A WAFER Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 15 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Part Status: Discontinued at Digi-Key Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sawn on foil Current - Average Rectified (Io): 15A Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D120F6X1SA3 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D120F6X7SA1 | Infineon Technologies | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D120F6ZJ | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D120G6 | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D120H6 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D120H6X1SA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D120H6X1SA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE STD 1200V 25A SAWN ON FOIL Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 25A Supplier Device Package: Sawn on foil Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 25 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D120H6Y | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D120H6ZJ | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D120H8 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D120H8X1SA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 1.2KV 25A WAFER Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: Sawn on foil Current - Average Rectified (Io): 25A Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.97 V @ 25 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D120H8X1SA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D120H8X7SA1 | Infineon Technologies | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D60C6 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D60C6 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 600V 50A WAFER Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 50 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Discontinued at Digi-Key Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: Sawn on foil Current - Average Rectified (Io): 50A Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D60C6X1SA2 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D60C6Y | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D60C6Y | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 600V 50A WAFER Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 50A Supplier Device Package: Sawn on foil Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D60C6YX1SA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D60C6ZJ | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D60C8 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D60C8X1SA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE STANDARD 600V 50A DIE Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 50A Supplier Device Package: Die Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D60C8X1SA2 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D60C8X1SA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE STANDARD 600V 50A DIE Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 50A Supplier Device Package: Die Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D60C8X1SA3 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 600V 50A DIE Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 50 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: Die Current - Average Rectified (Io): 50A Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D60C8X7SA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 600V 50A DIE Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: Die Current - Average Rectified (Io): 50A Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 50 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D60C8X7SA1 | Infineon Technologies | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D60E6 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D60E6NJ | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D60E6X1SA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D60E6X1SA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE STD 600V 30A SAWN ON FOIL Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: Sawn on foil Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D60E6X1SA3 | Infineon Technologies | Description: DIODE STANDARD 600V 30A DIE Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: Die Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D60E6X1SA4 | Infineon Technologies | Description: DIODE STANDARD 600V 30A DIE Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: Die Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D60E6X7SA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE STANDARD 600V 30A DIE Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: Die Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D60E6X7SA1 | Infineon Technologies | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D60E6YX1SA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 600V 30A WAFER Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: Sawn on foil Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D60E6YX1SA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D60E6ZJ | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D60F6 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D60F6X1SA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE STANDARD 600V 45A DIE Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 45A Supplier Device Package: Die Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 45 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D60F6X1SA2 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D60F6X1SA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE STD 600V 45A SAWN ON FOIL Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 45A Supplier Device Package: Sawn on foil Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 45 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D60F6X1SA3 | Infineon Technologies | Description: DIODE STANDARD 600V 45A DIE Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 45A Supplier Device Package: Die Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 45 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D60F6X1SA4 | Infineon Technologies | Description: DIODE STANDARD 600V 45A DIE Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 45A Supplier Device Package: Die Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 45 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D60F6X7SA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE STANDARD 600V 45A DIE Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 45A Supplier Device Package: Die Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 45 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D60F6X7SA1 | Infineon Technologies | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D60F6ZJ | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D65C8 | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D65C8A | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D65C8X1SA2 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN CHIPS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC14D65C8X7SA1 | Infineon Technologies | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC161D170HX1SA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE STANDARD 1.7KV 300A SAWN Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 300A Supplier Device Package: Sawn on foil Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 300 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1700 V Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 300 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1700 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC16D60SIC3 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 5A WAFER Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Discontinued at Digi-Key Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: Sawn on foil Current - Average Rectified (Io): 5A Capacitance @ Vr, F: 170pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 5 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC19D60SIC3 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 6A WAFER Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Discontinued at Digi-Key Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: Sawn on foil Current - Average Rectified (Io): 6A Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC20D60C6 | Infineon Technologies | Description: DIODE STD 600V 75A SAWN ON FOIL Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 75A Supplier Device Package: Sawn on foil Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 75 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC20D65C8X1SA2 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN CHIPS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC23D120E6 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 178 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC23D120E6X1SA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 1.2KV 25A WAFER Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 25A Supplier Device Package: Sawn on foil Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 25 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC23D120F6 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 178 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC23D120F6X1SA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 1.2KV 25A WAFER Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 25A Supplier Device Package: Sawn on foil Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 25 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC23D120H6 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 178 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC23D120H6X1SA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 1.2KV 35A WAFER Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 35A Supplier Device Package: Sawn on foil Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 35 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC23D120H8X1SA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 1.2KV 35A WAFER Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 35A Supplier Device Package: Sawn on foil Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.97 V @ 35 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC23D60E6 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 600V 50A WAFER | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 178 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC23D60E6X1SA4 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 600V 50A WAFER Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 50A Supplier Device Package: Sawn on foil Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC23D60E6Y | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 600V 50A WAFER | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 283 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC23D60E6YX1SA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 600V 50A WAFER Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 50A Supplier Device Package: Sawn on foil Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC24D30SIC3 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 300V 10A WAFER Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: Sawn on foil Current - Average Rectified (Io): 10A Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC26D60C6 | Infineon Technologies | Description: DIODE STD 600V 100A SAWN ON FOIL Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 100A Supplier Device Package: Sawn on foil Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 100 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC26D60C6 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC26D60C6X1SA2 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC26D60C6Y | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC26D60C6YX1SA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC26D60C6ZJ | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDC26D60C8 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |