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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SPP02N60C3HKSA1Infineon TechnologiesMOSFET Order Manufacturer Part Number SPP02N60C3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP02N60C3INInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP02N60C3XKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - SPP02N60C3XKSA1 - SPP02N60 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER M
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
607+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 607 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP02N60C3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: LOW POWER_LEGACY
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP02N60C3XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 1.8A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP02N60C3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: LOW POWER_LEGACY
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
auf Bestellung 73020 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
429+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 429 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP02N60S5INFINEON09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP02N60S5Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
auf Bestellung 5264 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
577+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 577 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP02N60S5Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 1.8A TO220-3 CoolMOS S5
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP02N60S5HKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 1.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP02N80C3InfineonSPP02N80C3 N-MOSFET 800V 2A TO220 CoolMOS Транзистори
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SPP02N80C3Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 800V 2A TO220-3 CoolMOS C3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP02N80C3Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP02N80C3INFINEON
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP02N80C3
Produktcode: 47201
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SPP02N80C3HKSA1Infineon TechnologiesMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP02N80C3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 2A TO220-3
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP02N80C3XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_LEGACY
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP02N80C3XKSA1InfineonSPP02N80C3XKSA1 SPP02N80C3 MOSFET N-CH 800V 2A TO220-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP0332BEssentraConduit Fittings & Accessories STRAIGHT PULL PLUG:EPDM BLACK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP0335AEssentraConduit Fittings & Accessories STRAIGHT PULL PLUG:SILICON NATURAL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP0388BEssentraConduit Fittings & Accessories STRAIGHT PULL PLUG:EPDM BLACK
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.83 EUR
10+0.74 EUR
100+0.61 EUR
600+0.54 EUR
1000+0.44 EUR
2600+0.39 EUR
10000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP03N60C3Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 3.2A TO220-3 CoolMOS C3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP03N60C3Infineon TechnologiesDescription: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
auf Bestellung 81011 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
799+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 799 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP03N60C3HKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP03N60C3HKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 3.2A TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP03N60C3HKSA1
Produktcode: 113411
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InfineonTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 650 В
Drain-Strom Idd, A: 3,2 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,4 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 400/13
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.02 EUR
10+0.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP03N60C3HKSA1InfineonMOSFET N-CH 650V 3.2A TO220-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP03N60C3HKSA1Infineon TechnologiesMOSFET Order Manufacturer Part Number SPP03N60C3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP03N60C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2011 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
682+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 682 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP03N60C3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: LOW POWER_LEGACY
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP03N60C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 24665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
682+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 682 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP03N60C3XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 3.2A TO220-3
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP03N60C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 521907 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
682+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 682 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP03N60C3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: LOW POWER_LEGACY
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
auf Bestellung 624418 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
346+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 346 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP03N60C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 76000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
682+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 682 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP03N60S5
Produktcode: 23827
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InfineonTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 3,2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 420/ -
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.34 EUR
10+1.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP03N60S5InfineonТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP03N60S5Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
auf Bestellung 29235 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
495+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 495 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP03N60S5Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 3.2A TO220-3 CoolMOS S5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP03N60S5HKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 3.2A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP03N60S5HKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP03N60S5XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_LEGACY
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP03N60S5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: LOW POWER_LEGACY
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
auf Bestellung 49697 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
337+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 337 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP03N60S5XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
422+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 422 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP03N60S5XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 29828 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
422+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 422 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP03N60S5XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP03N60S5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: LOW POWER_LEGACY
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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SPP03N60S5XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
422+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 422 Stücke
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SPP03N60S5XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
422+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 422 Stücke
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SPP03N60S5XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
422+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 422 Stücke
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SPP03N60S5XKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - SPP03N60S5XKSA1 - SPP03N60 COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
477+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 477 Stücke
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SPP03N60S5XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 17130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
422+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 422 Stücke
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SPP03N60S5XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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SPP0445CEssentraConduit Fittings & Accessories STRAIGHT PULL PLUG:EPDM BLACK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SPP0468AEssentraConduit Fittings & Accessories STRAIGHT PULL PLUG:SILICON NATURAL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SPP04N06C2
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SPP04N50C3
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SPP04N50C3Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 500V 4.5A TO220-3 CoolMOS C3
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SPP04N50C3HKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 560V 4.5A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP04N50C3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: LOW POWER_LEGACY
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP04N50C3XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - SPP04N50C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 560 V, 4.5 A, 0.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 560
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.85
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP04N50C3XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 560V 4.5A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP04N60C2Infineon TechnologiesSPP04N60C2
auf Bestellung 19000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
682+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 682 Stücke
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SPP04N60C2Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
auf Bestellung 19000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
545+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 545 Stücke
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SPP04N60C2
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SPP04N60C3Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 4.5A TO220-3 CoolMOS C3
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SPP04N60C3Infineon technologies
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SPP04N60C3
Produktcode: 25397
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Transistoren > MOSFET N-CH
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SPP04N60C3HKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 4.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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SPP04N60C3HKSA1Infineon TechnologiesMOSFET Order Manufacturer Part Number SPP04N60C3
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SPP04N60C3HKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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SPP04N60C3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP04N60C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 3557 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
257+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 257 Stücke
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SPP04N60C3XKSA1InfineonMOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220-3 Транзистори
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SPP04N60C3XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 4.5A TO220-3
auf Bestellung 1057 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.78 EUR
10+2.7 EUR
500+2.31 EUR
1000+2.28 EUR
2500+2.07 EUR
5000+1.99 EUR
10000+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP04N60C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP04N60C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
257+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 257 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP04N60C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 416 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
257+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 257 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP04N60C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP04N60C3XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - SPP04N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4.5 A, 0.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP04N60E3
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP04N60S5Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 41600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
386+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 386 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP04N60S5INFINEON99+ SOP4
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP04N60S5Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
auf Bestellung 42120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
308+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 308 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP04N60S5Infineon TechnologiesGaN FETs N-Ch 600V 4.5A TO220-3 CoolMOS S5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP04N60S5Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
386+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 386 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP04N60S5BKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP04N80C3INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; 63W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+2.43 EUR
40+2.17 EUR
44+1.94 EUR
50+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP04N80C3Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3
auf Bestellung 885 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.33 EUR
10+2.76 EUR
100+1.87 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.34 EUR
2500+1.26 EUR
5000+1.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP04N80C3InfineonТранзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 4А; 63Вт; TO220; CoolMOS™ Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP04N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES
Produktcode: 214685
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP04N80C3XKInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP04N80C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP04N80C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4668 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+3.59 EUR
99+1.71 EUR
109+1.5 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.88 EUR
2500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP04N80C3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V
auf Bestellung 333 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.69 EUR
50+1.78 EUR
100+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP04N80C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP04N80C3XKSA1InfineonTransistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 3Ohm; 4A; 63W; -55°C ~ 150°C; SPP04N80C3 TSPP04n80c3
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP04N80C3XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - SPP04N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5 EUR
103+2.26 EUR
116+1.86 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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SPP04N80C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 413 Stücke:
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381+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 381 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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