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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
ZXMD63C02XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8-MSOP
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ZXMD63C02XTAZETEXMSOP
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ZXMD63C02XTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8MSOP
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ZXMD63C03XZETEX06+;
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ZXMD63C03XTA
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ZXMD63C03XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8-MSOP
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ZXMD63C03XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8-MSOP
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ZXMD63C03XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8-MSOP
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ZXMD63C03XTADiodes IncorporatedMOSFET 30V N&P Chnl HDMOS
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ZXMD63C03XTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8MSOP
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ZXMD63N02XZETEX06+;
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ZXMD63N02XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOP
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ZXMD63N02XTA
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ZXMD63N02XTADiodes IncorporatedMOSFET Dual 20V N Chl HDMOS
auf Bestellung 695 Stücke:
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ZXMD63N02XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOP
auf Bestellung 483345000 Stücke:
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ZXMD63N02XTADiodesMOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOP Транзистори
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ZXMD63N02XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOP
auf Bestellung 400045000 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMD63N02XTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8MSOP
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ZXMD63N03XZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
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ZXMD63N03XTADiodes IncorporatedMOSFET Dual 30V N Chl HDMOS
auf Bestellung 944 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMD63N03XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP
auf Bestellung 4000 Stücke:
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1000+2.2 EUR
2000+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMD63N03XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP
auf Bestellung 4715 Stücke:
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5+4.5 EUR
10+4.03 EUR
100+3.24 EUR
500+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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ZXMD63N03XTC
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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ZXMD63N03XTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8MSOP
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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ZXMD63P02XZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMD63P02XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.25nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-MSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMD63P02XTAZETEX07+ SOT-223
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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ZXMD63P02XTADiodes IncorporatedMOSFET Dual 20V P Chl HDMOS
auf Bestellung 843 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMD63P02XTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 8MSOP
Supplier Device Package: 8-MSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.25nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.04W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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ZXMD63P03XZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMD63P03XTADiodes IncorporatedMOSFET Dual 30V P Chl HDMOS
auf Bestellung 1530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMD63P03XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 30V 8-MSOP
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ZXMD63P03XTAZETEXTSSOP8
auf Bestellung 3351 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMD63P03XTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 30V 8MSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMD65N02ZETEX09+ SO-8
auf Bestellung 1149 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMD65N02N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8-SOIC
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ZXMD65N03ZETEX09+ SO-8
auf Bestellung 1073 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMD65N03N8
auf Bestellung 5200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMD65N03N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMD65P02ZETEX09+ SO-8
auf Bestellung 1275 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMD65P02N8ZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMD65P02N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMD65P02N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMD65P02N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMD65P02N8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMD65P03ZETEX09+ SO-8
auf Bestellung 2793 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMD65P03N8ZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMD65P03N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 30V 3.8A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMHC10A07N8TCDiodes INC.Транзистор польовий 2N+2P, Udss, В = 100, Id = 800 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 138 @ 60, Qg, нКл = 2,9 @ 10 В, Rds = 700 мОм @ 1,5 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,87, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 680 мА,... Транзистори Корпус: S
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 15 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMHC10A07N8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 100V 0.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA, 680mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 59286 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.36 EUR
10+2.11 EUR
100+1.38 EUR
500+1.09 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMHC10A07N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 100V 0.8A/0.68A 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMHC10A07N8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 100V 0.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA, 680mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 57500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.9 EUR
5000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMHC10A07N8TCDiodes Inc./ZetexMOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMHC10A07N8TCDIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 100/-100V; 0.9/-0.7A; 0.87W
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100/-100V
Drain current: 0.9/-0.7A
Power dissipation: 0.87W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9/1.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge
auf Bestellung 2047 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+1.46 EUR
70+1.23 EUR
83+1.04 EUR
100+0.95 EUR
500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMHC10A07N8TCDiodes IncorporatedMOSFETs Mosfet H-Bridge 100/-100 1.1/-0.9
auf Bestellung 22896 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.5 EUR
10+2.2 EUR
100+1.5 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.08 EUR
2500+0.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMHC10A07N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 100V 0.8A/0.68A 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMHC10A07T8ZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMHC10A07T8Diodes IncorporatedMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMHC10A07T8TADiodes IncorporatedMOSFETs 100V 1.4A N-Channel MOSFET H-Bridge
auf Bestellung 1075 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.09 EUR
10+2.92 EUR
100+2.15 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.58 EUR
2000+1.52 EUR
5000+1.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMHC10A07T8TADIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; complementary pair; 1.3W
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 100/-100V
Drain current: 1.4/-1.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SM8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 700mΩ/1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9/3.5nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMHC10A07T8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMHC10A07T8TA - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 100 V, 100 V, 1 A, 1 A, 0.7 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3 EUR
500+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMHC10A07T8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 100V SM8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A, 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.28 EUR
10+3.42 EUR
100+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMHC10A07T8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 100V 1A/0.8A 8-Pin SM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMHC10A07T8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 100V SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A, 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMHC10A07T8TADiodes Inc./ZetexMOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMHC10A07T8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMHC10A07T8TA - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 100 V, 100 V, 1 A, 1 A, 0.7 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.75 EUR
55+4.3 EUR
100+3 EUR
500+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMHC3A01N8Diodes IncorporatedMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMHC3A01N8DICTDiodes Inc./ZetexMOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC Транзистори
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+4.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMHC3A01N8TA
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMHC3A01N8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.17A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.17A, 1.64A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.77 EUR
5000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMHC3A01N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.17A/1.64A 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMHC3A01N8TCDiodes IncorporatedMOSFETs Mosfet H-Bridge 30/-30V 2.7/-2.1A
auf Bestellung 22043 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.59 EUR
10+1.48 EUR
100+1.08 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.88 EUR
2500+0.77 EUR
5000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMHC3A01N8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.17A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.17A, 1.64A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
auf Bestellung 19926 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.92 EUR
12+1.86 EUR
100+1.24 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMHC3A01N8TC
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMHC3A01N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.17A/1.64A 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMHC3A01T8ZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMHC3A01T8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+1.96 EUR
98+1.75 EUR
99+1.7 EUR
111+1.48 EUR
250+1.44 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMHC3A01T8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMHC3A01T8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMHC3A01T8TADiodes Inc./ZetexMOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMHC3A01T8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMHC3A01T8TA
Produktcode: 163888
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMHC3A01T8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8
Part Status: Active
auf Bestellung 1357 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.55 EUR
10+2.93 EUR
100+2 EUR
500+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMHC3A01T8TADiodes IncorporatedMOSFETs 30/30V 3.1/2.3A N & P Channel
auf Bestellung 3645 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.39 EUR
10+2.45 EUR
100+1.82 EUR
250+1.81 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMHC3A01T8TA
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMHC3A01T8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+1.96 EUR
98+1.71 EUR
99+1.64 EUR
111+1.4 EUR
250+1.33 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMHC3F381N8TCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMHC3F381N8TC - Dual-MOSFET, H-Brücke, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.98 A, 3.98 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.98A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 870mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 870mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1236 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.47 EUR
113+2.06 EUR
151+1.42 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMHC3F381N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.98A/3.36A 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMHC3F381N8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 30V 3.98A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.98A, 3.36A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430pF @ 15V, 670pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.84 EUR
5000+0.79 EUR
7500+0.75 EUR
12500+0.71 EUR
17500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMHC3F381N8TCDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET H-BRIDGE SOP-8L
auf Bestellung 9026 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.87 EUR
10+1.86 EUR
100+1.24 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.89 EUR
2500+0.77 EUR
5000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMHC3F381N8TCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMHC3F381N8TC - Dual-MOSFET, H-Brücke, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.98 A, 3.98 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.98A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 870mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 870mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1236 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+3.47 EUR
113+2.06 EUR
151+1.42 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMHC3F381N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.98A/3.36A 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMHC3F381N8TCDIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 30/-30V; 3.98/-3.36A; 0.87W
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3.98/-3.36A
Power dissipation: 0.87W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge
Pulsed drain current: 22.9...-19.6A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMHC3F381N8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 30V 3.98A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.98A, 3.36A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430pF @ 15V, 670pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
auf Bestellung 94901 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.09 EUR
11+1.96 EUR
100+1.31 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMHC6A07N8Diodes IncorporatedMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMHC6A07N8TC
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMHC6A07N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMHC6A07N8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.39A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.39A, 1.28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
auf Bestellung 289923 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.17 EUR
11+1.98 EUR
100+1.31 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMHC6A07N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMHC6A07N8TCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07N8TC - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.39 A, 1.39 A
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.39A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 870mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 870mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5214 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+3.05 EUR
128+1.82 EUR
181+1.19 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
5000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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