Produkte > FDM
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| FDMT80080DC | onsemi | MOSFETs 80V N ch Dual Cool Power Trench MOSFET | auf Bestellung 2426 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMT80080DC | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; Idm: 1453A; 156W; DFNW8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 160A Pulsed drain current: 1453A Power dissipation: 156W Case: DFNW8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.22mΩ Mounting: SMD Gate charge: 273nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMT80080DC | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMT80080DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 254 A, 1350 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 254A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: Dual Cool 88 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 3849 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMT80080DC | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMT80080DC | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 1524 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMT80080DC | Fairchild/ON Semiconductor | N-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 36 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 20720 @ 40, Qg, нКл = 273 @ 10 В, Rds = 1,35 мОм @ 36 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,2, 156, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 254 A,... Транзистори Корпус: PowerVDFN- Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMT80080DC | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 36A/254A 8DUAL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 254A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20720 pF @ 40 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMT80080DC | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMT80080DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 254 A, 1350 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 254A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: Dual Cool 88 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 3849 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMT80080DC | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 1524 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMW2512NZ | Fairchild Semiconductor | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | auf Bestellung 65743 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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