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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDMT80060DCONN
auf Bestellung 8954 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80060DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMT80060DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 292 A, 870 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 292A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.81 EUR
50+11.67 EUR
100+9.23 EUR
500+9.19 EUR
1500+9.06 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80060DConsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 43A/292A 8DUAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 292A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20170 pF @ 30 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.85 EUR
10+12.22 EUR
50+9.81 EUR
100+9.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80060DConsemiMOSFETs 60V Nch Dual Cool Power Trench MOSFET
auf Bestellung 4605 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.55 EUR
10+9.65 EUR
100+8.96 EUR
1000+8.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80060DCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 184A; Idm: 1825A; 156W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 184A
Pulsed drain current: 1825A
Power dissipation: 156W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 238nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80060DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 8-Pin TDFNW EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80060DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMT80060DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 292 A, 870 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 292A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.81 EUR
50+11.67 EUR
100+9.23 EUR
500+9.19 EUR
1500+9.06 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80060DConsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 43A/292A 8DUAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 292A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20170 pF @ 30 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+7.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80060DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 8-Pin TDFNW EP T/R
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+6.85 EUR
26+6.6 EUR
100+6.34 EUR
250+6.15 EUR
500+5.95 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80060DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 8-Pin TDFNW EP T/R
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+6.71 EUR
26+6.35 EUR
100+6.01 EUR
250+5.68 EUR
500+5.34 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80080DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 1524 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.52 EUR
39+4.39 EUR
40+4.24 EUR
100+4.07 EUR
250+3.94 EUR
500+3.82 EUR
1000+3.67 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80080DCFairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 36 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 20720 @ 40, Qg, нКл = 273 @ 10 В, Rds = 1,35 мОм @ 36 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,2, 156, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 254 A,... Транзистори Корпус: PowerVDFN-
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80080DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMT80080DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 254 A, 1350 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 254A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Dual Cool 88
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3849 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.1 EUR
500+5.89 EUR
1500+5.76 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80080DConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 36A/254A 8DUAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 254A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20720 pF @ 40 V
auf Bestellung 723 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.17 EUR
10+8.16 EUR
50+6.44 EUR
100+5.89 EUR
500+5.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80080DConsemi / FairchildMOSFETs 80V N ch Dual Cool Power Trench MOSFET
auf Bestellung 4046 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.94 EUR
10+5.81 EUR
100+5.09 EUR
500+5.05 EUR
1000+4.86 EUR
3000+4.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80080DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 1524 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.52 EUR
39+4.3 EUR
40+4.07 EUR
100+3.86 EUR
250+3.64 EUR
500+3.43 EUR
1000+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80080DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 224220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+5.25 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80080DCONN
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80080DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMT80080DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 254 A, 1350 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 254A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Dual Cool 88
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3849 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.75 EUR
50+7.54 EUR
100+6.1 EUR
500+5.89 EUR
1500+5.76 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80080DConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 36A/254A 8DUAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 254A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20720 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80080DConsemiMOSFETs 80V N ch Dual Cool Power Trench MOSFET
auf Bestellung 2328 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.3 EUR
10+8.69 EUR
100+6.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80080DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80080DCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; Idm: 1453A; 156W; DFNW8
Case: DFNW8
Kind of package: reel; tape
Drain current: 160A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.22mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1453A
Power dissipation: 156W
Gate charge: 273nC
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80080DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+5.25 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMW2512NZFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
auf Bestellung 65743 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1374+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1374 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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