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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRLR8729TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 8.9mOhms 10nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8729TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8729TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR8729TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 58 A, 0.006 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 55W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 4670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.9 EUR
138+1.68 EUR
141+1.52 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8743Infineon Technologies
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8743PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 160A DPAK
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4880 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Produkt ist nicht verfügbar
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IRLR8743PBFInfineonMOSFET N-CH 30V 160A DPAK Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8743PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 39nC
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IRLR8743PBF
Produktcode: 31850
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 113 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0031 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4880/39
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung: 5 St.
  • 5 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+2.27 EUR
10+2.07 EUR
100+1.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8743PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR8743PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 0.0031 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 160
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 135
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.9
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8743PBFInternational RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8743PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8743TRInternational RectifierTransistor N-MOSFET; 30V; 20V; 3,9mOhm; 160A; 135W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRLR8743TRL; IRLR8743TR; IRLR8743; IRLR8743-GURT; IRLR8743; IRLR8743TR TIRLR8743
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8743TR-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4mOhm; 155A; 89,3W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR8743; IRLR8743TRL; IRLR8743TR; SP001558578; SP001568702; SP001552904; IRLR8743TR-ML MOSLEADER TIRLR8743 MOS
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IRLR8743TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 160A 39nC 3.1mOhm Qg log lvl
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8743TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 160A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4880 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8743TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8743TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 30V 160A DPAK Транзистори
auf Bestellung 920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8743TRPBF
Produktcode: 184092
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8743TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 160A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4880 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8743TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8743TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR8743TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 3100 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 135W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 48685 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+2.8 EUR
113+2.07 EUR
125+1.73 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8743TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8743TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 160A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 160A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 1327 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8743TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8743TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 39nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8743TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 160A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4880 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8743TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8743TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR8743TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 3100 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 135W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 48685 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.8 EUR
113+2.07 EUR
125+1.73 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR9024N
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR9343-701PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 20A IPAK
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I-PAK (LF701)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 750 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR9343PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 20A DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR9343PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 P-CH HEXFET 105mOhms 31nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR9343PBFInternational RectifierMOSFET P-CH 55V 20A DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR9343PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR9343PBF
Produktcode: 55827
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR9343TRUMWDescription: MOSFET P-CH 55V 20A DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR9343TRUMWTransistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 170mOhm; 20A; 79W; -40°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR9343; IRLR9343TRL; IRLR9343TR; SP001569064; SP001567302; SP001552884; IRLR9343TR UMW TIRLR9343 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR9343TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 20A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR9343TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR9343TRPBFInternational RectifierMOSFET P-CH 55V 20A DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR9343TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR9343TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 20 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
auf Bestellung 3560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.75 EUR
117+2 EUR
250+1.65 EUR
1000+1.31 EUR
3000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR9343TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -20A; 79W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -20A
Power dissipation: 79W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR9343TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 23974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.56 EUR
99+1.68 EUR
108+1.49 EUR
143+1.07 EUR
500+0.76 EUR
2000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR9343TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 20A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V
auf Bestellung 8487 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.62 EUR
10+2.3 EUR
50+1.74 EUR
100+1.55 EUR
500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IRLR9343TRPBF
Produktcode: 201393
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR9343TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 23974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.56 EUR
99+1.71 EUR
108+1.55 EUR
143+1.13 EUR
500+0.82 EUR
2000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR9343TRPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 20, Ciss, пФ @ Uds, В = 660 @ 50, Qg, нКл = 47 нС @ 10 В, Rds = 105 мОм @ 3.4 А, 10 В, Ugs(th) = ±20 В, Р, Вт = 79 Вт, Тексп, °C = -40...+175, Тип монт. = smd, TO-252AA,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 12 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR9343TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR9343TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 20 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
auf Bestellung 3560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+3.75 EUR
117+2 EUR
250+1.65 EUR
1000+1.31 EUR
3000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR9343TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.01 EUR
6000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR9343TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 20A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.04 EUR
6000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR9343TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.76 EUR
4000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR9343TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 P-CH HEXFET 105mOhms 31nC
auf Bestellung 8677 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.64 EUR
10+1.74 EUR
100+1.56 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.2 EUR
2000+1.04 EUR
4000+1.01 EUR
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IRLS3034
Produktcode: 99538
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 195 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,4 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 10315/108
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
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1+4.66 EUR
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IRLS3034Infineon Technologies
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IRLS3034-7PInfineon Technologies
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLS3034-7P
Produktcode: 46336
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLS3034-7PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 200A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10990 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLS3034-7PPBFInfineon TechnologiesIRLS3034-7PPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube Si - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLS3034-7PPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 1.4mOhms 120nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLS3034PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 1.7mOhms 108nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLS3034PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLS3034PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+8.14 EUR
24+7.12 EUR
50+6.35 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLS3034TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 737 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
181+3.57 EUR
500+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 181 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLS3034TRL7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 200A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10990 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLS3034TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+6.96 EUR
36+4.7 EUR
100+4.27 EUR
500+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLS3034TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLS3034TRL7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRLS3034TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 1400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 380W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.82 EUR
250+4.74 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLS3034TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 711292 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
181+3.57 EUR
500+3.34 EUR
1000+3.08 EUR
10000+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 181 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLS3034TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+6.96 EUR
36+4.81 EUR
100+4.43 EUR
500+3.95 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLS3034TRL7PPInfineonIRLS3034TRL7PP N-Channel 40 V 240A (Tc) 380W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLS3034TRL7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRLS3034TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 1400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 380W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.09 EUR
38+6.25 EUR
50+5.3 EUR
100+4.82 EUR
250+4.74 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLS3034TRL7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 200A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10990 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLS3034TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLS3034TRL7PPInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 380A 1.4mOhm 120nC
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.51 EUR
10+5.59 EUR
100+4.36 EUR
500+3.86 EUR
800+3.64 EUR
2400+3.47 EUR
4800+3.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLS3034TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
190+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLS3034TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLS3034TRLPBFInfineonIRLS3034TRLPBF MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLS3034TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V
auf Bestellung 8800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLS3034TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLS3034TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.03 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLS3034TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 343A 1.7mOhm 108nC
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.89 EUR
10+3.5 EUR
100+3.17 EUR
500+2.59 EUR
800+2.53 EUR
2400+2.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLS3034TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLS3034TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLS3034TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 512 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.74 EUR
44+3.9 EUR
100+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLS3034TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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800+2.33 EUR
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IRLS3034TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRLS3034TRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRLS3034TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLS3034TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
auf Bestellung 291 Stücke:
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31+8.29 EUR
51+4.59 EUR
100+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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IRLS3034TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V
auf Bestellung 9072 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.02 EUR
10+4.58 EUR
50+3.55 EUR
100+3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRLS3034TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 512 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.74 EUR
44+3.82 EUR
100+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IRLS3036Infineon TechnologiesMOSFETs
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IRLS3036
Produktcode: 99539
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 240 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2,2 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 11270/110
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+6 EUR
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IRLS3036-7PInfineon Technologies
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IRLS3036-7P
Produktcode: 99540
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK-7 (TO-263-7)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 240 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,5 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 11270/110
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+6 EUR
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IRLS3036-7PPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLS3036-7PPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 180
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 380
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
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IRLS3036-7PPBFInfineon TechnologiesMOSFET 60V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 1.9mOhms
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IRLS3036-7PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11270 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRLS3036-7PPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 913 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.02 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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IRLS3036-7PPBFInfineonIRLS3036-7PPBF MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK Транзистори
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IRLS3036PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V
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IRLS3036TRLInternational RectifierN-MOSFET 240A 60V 380W 0.0019Ω IRLS3036 TIRLS3036
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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