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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRLR8726TR-CNCHIPNOBOTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7,4mOhm; 90A; 39W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR8726; IRLR8726TRL; IRLR8726TR; SP001573950; SP001552846; SP001573108; IRLR8726TR-CN CHIPNOBO TIRLR8726 CNB
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 400 Stücke:
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100+0.51 EUR
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IRLR8726TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1927 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1528+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1528 Stücke
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IRLR8726TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 85A 5.8mOhm 30V 15nC Qg log lvl
auf Bestellung 758 Stücke:
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2+2.18 EUR
10+1.55 EUR
100+0.96 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.57 EUR
3000+0.49 EUR
6000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRLR8726TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2991 Stücke:
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1528+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1528 Stücke
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IRLR8726TRLPBFInternational RectifierN-CH MOSFET 30V 86A DPAK Транзистори
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IRLR8726TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 11137 Stücke:
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1528+0.43 EUR
10000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1528 Stücke
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IRLR8726TRLPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRLR8726TRLPBF - IRLR8726TRLPBF - TRENCH < 40V
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 8137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1432+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1432 Stücke
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IRLR8726TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1528+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1528 Stücke
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IRLR8726TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8726TRLPBFInfineon
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRLR8726TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8726TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
auf Bestellung 56263 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3 EUR
12+1.88 EUR
50+1.4 EUR
100+1.25 EUR
500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IRLR8726TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
498+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 498 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8726TRPBFInternational RectifierN-CH MOSFET 30V 86A DPAK Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8726TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR8726TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 5800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
auf Bestellung 6240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.93 EUR
203+1.15 EUR
250+0.93 EUR
1000+0.77 EUR
2000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8726TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8726TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 340A; 75W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4054 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+0.99 EUR
117+0.74 EUR
186+0.45 EUR
250+0.39 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8726TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8726TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
auf Bestellung 56000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.82 EUR
6000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8726TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8726TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8726TRPBF
Produktcode: 192200
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8726TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR8726TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 5800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
auf Bestellung 6240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.93 EUR
203+1.15 EUR
250+0.93 EUR
1000+0.77 EUR
2000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8726TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 15nC
auf Bestellung 12691 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.93 EUR
10+1.86 EUR
100+1.24 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.88 EUR
2000+0.81 EUR
4000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8726TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8726TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
683+0.96 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 683 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8729Infineon Technologies
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8729-CNCHIPNOBOTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 10mOhm; 80A; 49W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR8729; IRLR8729TRL; IRLR8729TR; SP001574172; SP001552874; SP001569082; IRLR8729-CN CHIPNOBO TIRLR8729 CNB
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8729PBFInternational RectifierN-CH 30V 58A DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8729PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 58A D-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8729PBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.9mOhms 10nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8729TRJSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 12mOhm; 80A; 46W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR8729; IRLR8729TRL; IRLR8729TR; SP001574172; SP001552874; SP001569082; IRLR8729TR JSMICRO TIRLR8729 JSM
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8729TRLInfineonTransistor N-MOSFET; 30V; 20V; 11,9mOhm; 58A; 55W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRLR8729; IRLR8729-GURT; IRLR8729TRL; IRLR8729TR; replacement is: IPD090N03LGATMA1; IRLR8729 TIRLR8729
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8729TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 58A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.42 EUR
9000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8729TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 58A D-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8729TRLPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRLR8729TRLPBF - IRLR8729 20V-30V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8729TRLPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 58A 8.9mOhm 30V 10nC Qg log lvl
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8729TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 58A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.39 EUR
9000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8729TRLPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRLR8729TRLPBF
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
962+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 962 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8729TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 8.9mOhms 10nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8729TRPBF
Produktcode: 169667
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8729TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 58A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8729TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR8729TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 58 A, 0.006 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 4670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.9 EUR
138+1.68 EUR
141+1.52 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8729TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8729TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR8729TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 58 A, 0.006 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 55W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 4670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.9 EUR
138+1.68 EUR
141+1.52 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8743Infineon Technologies
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8743PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8743PBFInternational RectifierТранзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8743PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR8743PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 0.0031 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 160
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 135
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.9
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8743PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 39nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8743PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 160A DPAK
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4880 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8743PBFInfineonMOSFET N-CH 30V 160A DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8743PBF
Produktcode: 31850
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 113 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0031 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4880/39
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung: 16 St.
  • 16 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+2.27 EUR
10+2.07 EUR
100+1.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8743TRInternational RectifierTransistor N-MOSFET; 30V; 20V; 3,9mOhm; 160A; 135W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRLR8743TRL; IRLR8743TR; IRLR8743; IRLR8743-GURT; IRLR8743; IRLR8743TR TIRLR8743
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8743TR-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4mOhm; 155A; 89,3W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR8743; IRLR8743TRL; IRLR8743TR; SP001558578; SP001568702; SP001552904; IRLR8743TR-ML MOSLEADER TIRLR8743 MOS
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8743TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 160A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4880 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8743TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 160A 39nC 3.1mOhm Qg log lvl
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8743TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+2.55 EUR
102+1.68 EUR
103+1.59 EUR
104+1.52 EUR
145+1.05 EUR
250+0.99 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8743TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 160A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4880 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8743TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR8743TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 3100 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 135W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 52434 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.55 EUR
111+2.09 EUR
156+1.38 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8743TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 30V 160A DPAK Транзистори
auf Bestellung 920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8743TRPBF
Produktcode: 184092
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8743TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 39nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8743TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8743TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 160A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4880 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8743TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR8743TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 3100 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 135W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 52434 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+3.55 EUR
111+2.09 EUR
156+1.38 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8743TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
171+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 171 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8743TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 160A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 160A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 1394 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+1.24 EUR
74+1.15 EUR
100+1.09 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR9024N
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR9343-701PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 20A IPAK
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I-PAK (LF701)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 750 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR9343PBF
Produktcode: 55827
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR9343PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 P-CH HEXFET 105mOhms 31nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR9343PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR9343PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 20A DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR9343PBFInternational RectifierMOSFET P-CH 55V 20A DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR9343TRUMWDescription: MOSFET P-CH 55V 20A DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR9343TRUMWTransistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 170mOhm; 20A; 79W; -40°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR9343; IRLR9343TRL; IRLR9343TR; SP001569064; SP001567302; SP001552884; IRLR9343TR UMW TIRLR9343 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR9343TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 20A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR9343TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR9343TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 23974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+2.58 EUR
101+1.69 EUR
145+1.13 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.76 EUR
2000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR9343TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 20A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.06 EUR
6000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR9343TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 23974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR9343TRPBFInternational RectifierMOSFET P-CH 55V 20A DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR9343TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR9343TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 20 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
auf Bestellung 3830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.43 EUR
117+2 EUR
250+1.25 EUR
1000+1.04 EUR
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IRLR9343TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -20A; 79W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -20A
Power dissipation: 79W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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IRLR9343TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR9343TRPBF
Produktcode: 201393
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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IRLR9343TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 P-CH HEXFET 105mOhms 31nC
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IRLR9343TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR9343TRPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 20, Ciss, пФ @ Uds, В = 660 @ 50, Qg, нКл = 47 нС @ 10 В, Rds = 105 мОм @ 3.4 А, 10 В, Ugs(th) = ±20 В, Р, Вт = 79 Вт, Тексп, °C = -40...+175, Тип монт. = smd, TO-252AA,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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IRLR9343TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 20A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V
auf Bestellung 8817 Stücke:
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6+3.71 EUR
10+2.36 EUR
50+1.77 EUR
100+1.58 EUR
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Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IRLR9343TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR9343TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 20 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
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73+3.43 EUR
117+2 EUR
250+1.25 EUR
1000+1.04 EUR
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Mindestbestellmenge: 73 Stücke
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IRLS3034
Produktcode: 99538
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 195 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,4 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 10315/108
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
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IRLS3034Infineon Technologies
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IRLS3034-7P
Produktcode: 46336
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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IRLS3034-7PInfineon Technologies
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IRLS3034-7PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 200A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10990 pF @ 40 V
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IRLS3034-7PPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 1.4mOhms 120nC
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IRLS3034-7PPBFInfineon TechnologiesIRLS3034-7PPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube Si - Arrow.com
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IRLS3034PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V
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