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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRF6629TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
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IRF6631IOR2006
auf Bestellung 1267 Stücke:
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IRF6631TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
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IRF6631TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
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IRF6631TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
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IRF6631TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
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IRF6633
auf Bestellung 2000 Stücke:
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IRF6633APBFIOR2007
auf Bestellung 14843 Stücke:
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IRF6633ATR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
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IRF6633ATR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
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IRF6633ATR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
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IRF6633ATRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET-MU
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IRF6633BPBFIOR2007
auf Bestellung 2700 Stücke:
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IRF6633CPBFIOR2007
auf Bestellung 2436 Stücke:
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IRF6633DPBFIOR2007
auf Bestellung 2502 Stücke:
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IRF6633EPBFIOR2007
auf Bestellung 1946 Stücke:
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IRF6633TR1Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET-MP
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IRF6633TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
auf Bestellung 245 Stücke:
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IRF6633TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
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IRF6633TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
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IRF6633TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
auf Bestellung 2155 Stücke:
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IRF6633TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
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 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6633TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
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IRF6635IOR2005
auf Bestellung 2780 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF6635Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
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 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
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IRF6635International RectifierMFET N-CH 30V 32A DirectFETtm Транзистори
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IRF6635MDF2IOR2007
auf Bestellung 1740 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6635PBFIOR2007
auf Bestellung 3679 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF6635PBF-FREEZEIOR2007
auf Bestellung 2348 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6635TR1Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6635TR1Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6635TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5970 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6635TR1PBFIR0812+ DirectFET-MN?
auf Bestellung 2000 Stücke:
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IRF6635TR1PBF
Produktcode: 81465
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6635TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5970 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6635TRPBFIOR2008
auf Bestellung 1949 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6636Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 81A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
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 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6636TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 81A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6636TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6636TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6636TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6636TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 10 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6636TRPBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET (ST)
auf Bestellung 4375 Stücke:
Lieferzeit 318-322 Tag (e)
1+4.63 EUR
10+4.19 EUR
100+3.37 EUR
500+2.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6637RECTLFIEY09+
auf Bestellung 1518 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6637Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
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 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6637TR1IR
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6637TR1Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6637TR1Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6637TR1PBFIR0702
auf Bestellung 1469 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6637TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6637TRPBFIOR2007
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6637TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7.7mOhms 11nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6637TRPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/59A DIRECTFT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 15 V
auf Bestellung 26574 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
332+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 332 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6637TRPBFInfineon TechnologiesDescription: IRF6637 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 15 V
auf Bestellung 4686 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
332+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 332 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6638TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 25A DIRECTFET
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6638TR1PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальный combines the latest HEXFET® Power MOSFET... Транзистори Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6638TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 25A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6638TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 25A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6638TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 25A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6641IOR2006
auf Bestellung 2342 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6641TR1PBFInternational RectifierТранзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6641TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59.9mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6641TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59.9mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
150+3.84 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6641TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 4.6A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6641TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59.9mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6641TRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF6641TRPBF - IRF6641 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
144+5.32 EUR
Mindestbestellmenge: 144 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6641TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 59.9mOhms 34nC
auf Bestellung 2672 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.52 EUR
10+7.72 EUR
100+6.37 EUR
250+6.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6641TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 4.6A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6643TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Packaging: Cut Tape (CT)
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IRF6643TR1PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 150V 35A 35mOhm 39nC Qg
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IRF6643TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
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IRF6643TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 150V 1 N-CH HEXFET 34.5mOhms 39nC
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IRF6643TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
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IRF6643TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6643TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.0345 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0345ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRF6643TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
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IRF6643TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Packaging: Cut Tape (CT)
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5+4.9 EUR
10+3.18 EUR
100+2.19 EUR
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Mindestbestellmenge: 335 Stücke
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IRF6643TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
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335+1.95 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 335 Stücke
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IRF6643TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
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67+2.59 EUR
78+2.2 EUR
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500+1.48 EUR
1000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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IRF6643TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6643TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.0345 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0345ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IRF6643TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF6643TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 3440 Stücke:
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67+2.62 EUR
78+2.17 EUR
100+1.69 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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IRF6643TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 24214 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
335+1.95 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 335 Stücke
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IRF6643TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
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 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
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IRF6644Infineon TechnologiesMOSFETs 100V 1 N-CH 10.3mOhm DirectFET 20V 3.7Vgs
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IRF6644IRF6644 Транзисторы MOS FET Power
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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IRF6644Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
Packaging: Tube
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6644MDF2IOR2007
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF6644PBFInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6644TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6644TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 150µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6644TR1PBFIR1011+ DirectFET-MT
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6644TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.65 EUR
80+2.17 EUR
84+2 EUR
104+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6644TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
auf Bestellung 171243 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
244+2.68 EUR
500+2.38 EUR
1000+2.14 EUR
10000+1.87 EUR
100000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6644TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
auf Bestellung 8389 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
244+2.68 EUR
500+2.38 EUR
1000+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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