Produkte > IRF
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||
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| IRF6635TR1PBF | IR | 0812+ DirectFET-MN? | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6635TR1PBF Produktcode: 81465
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRF6635TRPBF | IOR | 2008 | auf Bestellung 1949 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6635TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5970 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6635TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5970 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Packaging: Tape & Reel (TR) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6636 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 81A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric ST Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6636TR1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 81A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric ST Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6636TR1PBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6636TR1PBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6636TR1PBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6636TRPBF | Infineon / IR | MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET (ST) | auf Bestellung 4375 Stücke: Lieferzeit 318-322 Tag (e) |
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| IRF6636TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric ST Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 81A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6637 | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6637 | RECTLFIEY | 09+ | auf Bestellung 1518 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6637TR1 | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6637TR1 | IR | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRF6637TR1 | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6637TR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6637TR1PBF | IR | 0702 | auf Bestellung 1469 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6637TRPBF | IOR | 2007 | auf Bestellung 57 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6637TRPBF | Infineon Technologies | Description: IRF6637 - 12V-300V N-CHANNEL POW Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 15 V | auf Bestellung 4686 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6637TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7.7mOhms 11nC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6637TRPBF | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 30V 14A/59A DIRECTFT Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 15 V | auf Bestellung 26574 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6638TR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 25A DIRECTFET Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 140A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6638TR1PBF | International Rectifier/Infineon | N-канальный combines the latest HEXFET® Power MOSFET... Транзистори Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6638TRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET N-CH 30V 25A DIRECTFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6638TRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET N-CH 30V 25A DIRECTFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6638TRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET N-CH 30V 25A DIRECTFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6641 | IOR | 2006 | auf Bestellung 2342 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6641TR1PBF | International Rectifier | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6641TR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59.9mOhm @ 5.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 26A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6641TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 4.6A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6641TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 59.9mOhms 34nC | auf Bestellung 2672 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6641TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 4.6A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6641TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59.9mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V | auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6641TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.6A; 89W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 4.6A Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Power dissipation: 89W Technology: HEXFET® | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6641TRPBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF6641TRPBF - IRF6641 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 144 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6641TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59.9mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6643TR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 7.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 35A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6643TR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 7.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 35A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6643TR1PBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 150V 35A 35mOhm 39nC Qg | auf Bestellung 72 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6643TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | auf Bestellung 3440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6643TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | auf Bestellung 24214 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6643TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF6643TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.0345 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MZ Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0345ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6643TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6643TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | auf Bestellung 979 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6643TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6643TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 7.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 35A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6643TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 150V 1 N-CH HEXFET 34.5mOhms 39nC | auf Bestellung 7689 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6643TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6643TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | auf Bestellung 14400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6643TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF6643TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.0345 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MZ Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0345ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6643TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6643TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | auf Bestellung 951 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6643TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6643TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | auf Bestellung 9833 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6643TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | auf Bestellung 3437 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6643TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 7.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 35A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 707 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6643TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6644 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET Packaging: Tube Package / Case: DirectFET™ Isometric MN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6644 | Infineon Technologies | MOSFETs 100V 1 N-CH 10.3mOhm DirectFET 20V 3.7Vgs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6644 | IRF6644 Транзисторы MOS FET Power | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRF6644MDF2 | IOR | 2007 | auf Bestellung 1050 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6644PBF | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6644TR1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6644TR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 150µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 60A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric MN Packaging: Tape & Reel (TR) Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6644TR1PBF | IR | 1011+ DirectFET-MT | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6644TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R | auf Bestellung 9560 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6644TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R | auf Bestellung 28800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6644TRPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R | auf Bestellung 6604 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6644TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R | auf Bestellung 322 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6644TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R | auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6644TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF6644TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.013 ohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MN Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 2807 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6644TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6644TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10.3A; 89W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10.3A Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Power dissipation: 89W Technology: HEXFET® | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6644TRPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R | auf Bestellung 171243 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6644TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R | auf Bestellung 8389 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6644TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6644TRPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R | auf Bestellung 151875 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6644TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R | auf Bestellung 4588 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6644TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R | auf Bestellung 326 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6644TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF6644TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.013 ohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MN Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1807 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6644TRPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R | auf Bestellung 18357 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6644TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R | auf Bestellung 28800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6644TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 100V 1 N-CH 10.3mOhm DirectFET 20V 3.7Vg | auf Bestellung 8499 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6644TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R | auf Bestellung 26832 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6644TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R | auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6644TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric MN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V | auf Bestellung 5305 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6644TRPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R | auf Bestellung 258452 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6645 | Infineon Technologies | MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SJ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6645 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET Packaging: Tube Package / Case: DirectFET™ Isometric SJ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ SJ Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6645TR | International Rectifier | N-MOSFET 100V 5.7A 35mΩ 2.2W IRF6645TR Infineon TIRF6645 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF6645TR | Infineon | N-MOSFET 100V 5.7A 35mΩ 2.2W IRF6645TR Infineon TIRF6645 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF6645TR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric SJ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ SJ Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6645TR1PBF Produktcode: 32430
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRF6645TR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: DIRECTFET™ SJ Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric SJ Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF6645TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SJ | auf Bestellung 5058 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6645TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R | auf Bestellung 4780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6645TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric SJ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ SJ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 25 V | auf Bestellung 14400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6645TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R | auf Bestellung 33521 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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