Produkte > 2SA
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| 2SA2122GOLSO | PANASONIC | SOT-323 | auf Bestellung 102000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA2124-S-TD-E | onsemi | Description: TRANS PNP 30V 2A PCP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA2124-S-TD-E | onsemi | Description: TRANS PNP 30V 2A PCP | auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA2124-S-TD-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SA2124-S-TD-E - 2SA2124 - TRANSISTOR PNP 30V 2A tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA2124-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA2124-TD-E | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 30V | auf Bestellung 5478 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA2124-TD-E | ON Semiconductor | auf Bestellung 1840 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2SA2124-TD-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SA2124-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 2090 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 2090 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA2124-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA2124-TD-E | onsemi | Description: TRANS PNP 30V 2A PCP | auf Bestellung 2054 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA2124-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA2124-TD-E | onsemi | Description: TRANS PNP 30V 2A PCP | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA2124-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 20509 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA2125 | onsemi | BIP PNP 3A 50V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA2125-S-TD-E | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 3A PCP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 390MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 3.5 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA2125-S-TD-E | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 3A PCP Power - Max: 3.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PCP Frequency - Transition: 390MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Bulk | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA2125-S-TD-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SA2125-S-TD-E - 2SA2125 - BIPOLAR PNP TRANSISTOR, 3A 50V tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA2125-S-TD-H | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 3A PCP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 390MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 3.5 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA2125-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA2125-TD-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SA2125-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 3.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 380MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 245 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA2125-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA2125-TD-E | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 3A; 1.3W; SOT89 Mounting: SMD Collector current: 3A Power dissipation: 1.3W Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 200...560 Frequency: 390MHz Polarisation: bipolar Case: SOT89 Type of transistor: PNP Kind of package: reel; tape | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA2125-TD-E | onsemi | Bipolar Transistors - BJT DC-DC CONVERTER | auf Bestellung 1101 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA2125-TD-E | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 3A PCP Power - Max: 3.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Active Supplier Device Package: PCP Frequency - Transition: 390MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 3581 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA2125-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA2125-TD-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SA2125-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 3.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 380MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 245 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA2125-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 20995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA2125-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA2125-TD-E | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 3A PCP Power - Max: 3.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Active Supplier Device Package: PCP Frequency - Transition: 390MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA2125-TD-E | ON Semiconductor | auf Bestellung 1264 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2SA2125-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA2125-TD-H | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA2125-TD-H | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 3A PCP Power - Max: 3.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Active Supplier Device Package: PCP Frequency - Transition: 390MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 775 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA2125-TD-H | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SA2125-TD-H - BIPOLAR TRANSISTOR MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: Lead (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA2125-TD-H | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 3A; 1.3W; SOT89 Mounting: SMD Collector current: 3A Power dissipation: 1.3W Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 200...560 Frequency: 390MHz Polarisation: bipolar Case: SOT89 Type of transistor: PNP Kind of package: reel; tape | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA2125-TD-H | onsemi | Bipolar Transistors - BJT DC-DC CONVERTER | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA2125-TD-H | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 3A PCP DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 3.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Active Supplier Device Package: PCP Frequency - Transition: 390MHz | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA2126 | onsemi | BIP PNP 3A 50V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA2126-E | onsemi | Bipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA2126-E | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 3A TP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Bag Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TP Frequency - Transition: 390MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 520mV @ 100mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA2126-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SA2126-E - 2SA2126-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 22000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA2126-E | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 3A TP Packaging: Bag Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 520mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 390MHz Supplier Device Package: TP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW | auf Bestellung 22000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA2126-H | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 3A TP Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 520mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 390MHz Supplier Device Package: TP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW | auf Bestellung 111 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA2126-H | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 50V | auf Bestellung 865 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA2126-S-TL-E | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 50V | auf Bestellung 4900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA2126-S-TL-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 4900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA2126-S-TL-E | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 3A TPFA Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TP-FA Frequency - Transition: 390MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 520mV @ 100mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Bulk | auf Bestellung 33600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA2126-S-TL-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA2126-S-TL-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SA2126-S-TL-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 27300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA2126-S-TL-E | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 3A TPFA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 520mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 390MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA2126-S-TL-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 27300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA2126-TL-E | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 3A TP-FA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 520mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 390MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW | auf Bestellung 16800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA2126-TL-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 49700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA2126-TL-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 7175 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA2126-TL-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SA2126-TL-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 3460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA2126-TL-E | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 3A; 0.8W; DPAK Mounting: SMD Collector current: 3A Power dissipation: 0.8W Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 200...560 Frequency: 390MHz Polarisation: bipolar Case: DPAK Type of transistor: PNP Kind of package: reel; tape | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA2126-TL-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA2126-TL-E | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 3A TP-FA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 520mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 390MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW | auf Bestellung 17079 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA2126-TL-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA2126-TL-E | onsemi | Bipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING | auf Bestellung 1973 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA2126-TL-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA2126-TL-H | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 3A; 0.8W; TO252 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 3A Power dissipation: 0.8W Case: TO252 Current gain: 200...560 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 390MHz | auf Bestellung 920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA2126-TL-H | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 446939 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA2126-TL-H | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 3A TP-FA Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TP-FA Frequency - Transition: 390MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 520mV @ 100mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA2126-TL-H | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 50V | auf Bestellung 2025 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA2126-TL-H | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 12590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA2126-TL-H | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 79800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA2126-TL-H | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 3A TP-FA Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TP-FA Frequency - Transition: 390MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 520mV @ 100mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) | auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA2126-TL-H | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SA2126-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 390MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 448033 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA2126-TL-H. | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SA2126-TL-H. - BIPOLAR TRANSISTOR MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: Lead (19-Jan-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA2127 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 50V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA2127 | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 2A 3-MP Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 420MHz Supplier Device Package: 3-MP Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA2127 | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SA2127 - 2SA2127, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 8930 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA2127 | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 2A 3-MP Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 420MHz Supplier Device Package: 3-MP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 8930 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA2127-AE | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 2A 3-MP Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Part Status: Obsolete DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Packaging: Bulk Supplier Device Package: 3-MP Frequency - Transition: 420MHz | auf Bestellung 22014 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA2127-AE | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 2A 1000mW 3-Pin Case MP T/R | auf Bestellung 22014 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA2127-AE | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 2A 3-MP Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 3-MP Frequency - Transition: 420MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA2127-AE | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SA2127-AE - 2SA2127 - PNP BIPOLAR TRANSISTOR tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 22014 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA2127-AEX | ON Semiconductor | Description: TRANS BIPO TO-93 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA2127X | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SA2127X - 2SA2127X, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA2127X | onsemi | Description: 2SA2127 - BIPOLAR PNP TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA2127X | ON Semiconductor | 2SA2127X | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA212H | auf Bestellung 3625 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SA213 | NEC | CAN | auf Bestellung 397 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA214 | NEC | CAN | auf Bestellung 468 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA21400P | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS PNP 180V 1.5A TO-220D-A1 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-220D-A1 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V Power - Max: 2 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA21400Q | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS PNP 180V 1.5A TO220D-A1 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA2142(TE16L1,NQ) | Toshiba | Trans GP BJT PNP 600V 0.5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA2142(TE16L1,NQ) | Toshiba | Trans GP BJT PNP 600V 0.5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA2142(TE16L1,NQ) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 600V 0.5A PW-MOLD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 35MHz Supplier Device Package: PW-MOLD Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA2142(TE16L1,NQ) | Toshiba | Trans GP BJT PNP 600V 0.5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 25 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA2142(TE16L1,NQ) | Toshiba | Trans GP BJT PNP 600V 0.5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R | auf Bestellung 7900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA2142(TE16L1,NQ) | Toshiba | Trans GP BJT PNP 600V 0.5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA2142(TE16L1,NQ) | Toshiba | Trans GP BJT PNP 600V 0.5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R | auf Bestellung 607 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA2142(TE16L1,NQ) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 600V 0.5A PW-MOLD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 35MHz Supplier Device Package: PW-MOLD Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 2481 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA2142(TE16L1,NQ) | Toshiba | Trans GP BJT PNP 600V 0.5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R | auf Bestellung 517 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA2142(TE16L1NQ) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT High-Voltage Switch Vceo -600V Ta 25c | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA215 | NEC | CAN | auf Bestellung 198 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA2151 | Sanken Electric USA Inc. | Description: TRANS PNP 200V 15A TO-3P Power - Max: 160 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-3P Frequency - Transition: 20MHz Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Packaging: Bulk DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA21512SC6011 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
