Produkte > IRL
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IRLZ14 | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLZ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ14 | Siliconix | N-MOSFET 10A 60V 43W 0.2Ω IRLZ14 IRLZ14 TIRLZ14 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLZ14 Produktcode: 24762
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V Drain-Strom Idd, A: 10 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 400/8,4 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: THT | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRLZ14L | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 10A TO262-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ14PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ14PBF Produktcode: 40553
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V Drain-Strom Idd, A: 10 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 400/8,4 Montage: THT | verfügbar: 12 St.
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| IRLZ14PBF | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; Idm: 40A; 43W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 7.2A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 43W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 8.4nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ14PBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ14PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ14PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 310 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ14PBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO220 N-CH 60V 10A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ14PBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRLZ14PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ14PBF-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO220 N-CH 60V 10A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ14PBF-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ14PBF-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ14S | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ14SPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO263 N-CH 60V 10A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ14SPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ14SPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ14SPBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRLZ14SPBF - MOSFET, N D2-PAK tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 | auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ14SPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ14SPBF | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; Idm: 40A; 43W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 7.2A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 43W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.4nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ14STRL | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ14STRLPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ14STRLPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ14STRLPBF | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; Idm: 40A; 43W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 7.2A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 43W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ14STRLPBF | Vishay / BC Components | MOSFETs TO263 N-CH 60V 10A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ14STRLPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLZ14STRR | auf Bestellung 753 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLZ14STRR | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ14STRRPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ14STRRPBF | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; Idm: 40A; 43W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 7.2A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 43W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.4nC Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ14STRRPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ14STRRPBF | Vishay / BC Components | MOSFETs TO263 N-CH 60V 10A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ24 | Siliconix | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRLZ24 TIRLZ24 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLZ24 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 17A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 5V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ24 | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLZ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ24L | auf Bestellung 1572 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLZ24L | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 17A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 5V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ24LPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ24LPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-Chan 60V 17 Amp | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ24LPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ24LPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 17A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 5V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ24N | International Rectifier | N-MOSFET 18A 55V 45W 0.06Ω IRLZ24N TIRLZ24n Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLZ24N Produktcode: 17389
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Idd, A: 18 A | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ24NL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 18A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ24NLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 18A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 650 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ24NPBF Produktcode: 222247
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| Vbsemi | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В Drain-Strom Idd, A: 36 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,028 Ом Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 190/66 Bemerkung: Керування логічним рівнем Montage: THT | Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 400 St.
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ24NPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 55V 18A 60mOhm 10nC LogLvlAB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ24NPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLZ24NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 18 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ24NPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 18 А, Ptot, Вт = 45, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 480 @ 25, Qg, нКл = 15 @ 5 В, Rds = 60 мОм @ 11 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ24NPBF Produktcode: 40554
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Idd, A: 18 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,06 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 480/15 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: THT | auf Bestellung: 12 St.
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| IRLZ24NPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 18A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ24NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLZ24NPBF | International Rectifier | TO-220 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ24NS | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ24NS Produktcode: 99543
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| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D2PAK (TO-263) Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Idd, A: 18 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,06 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 480/15 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRLZ24NSPBF | International Rectifier | D2PAK=TO-263AB Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ24NSPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 60mOhms 10nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ24NSPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ24NSTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ24NSTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ24NSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 55V 18A 60mOhm 10nC Log Lvl | auf Bestellung 5383 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLZ24NSTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLZ24NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 18 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ24NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 689 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLZ24NSTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLZ24NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 18 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ24NSTRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ24PBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 17A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 5V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ24PBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO220 60V 17A N-CH MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ24PBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRLZ24PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ24PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ24PBF-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO220 N CHAN 60V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ24PBF-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ24PBF-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 17A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 5V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ24S | IR | 09+ | auf Bestellung 5030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ24S | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 5V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ24SPBF | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-Chan 60V 17 Amp 100mohm @ 5V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ24SPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 5V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ24STRL | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ24STRR | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ34 Produktcode: 17390
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Idd, A: 30 A | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ34 | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLZ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ34 | IR | 09+ | auf Bestellung 5030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ34 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ34(94-4580) | auf Bestellung 72500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLZ34-??? | IR | TO-220AB | auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ34L | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ34L | auf Bestellung 1822 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLZ34LPBF | Vishay | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRLZ34N | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 60mOhm; 30A; 68W; -55°C ~ 175°C; IRLZ34N TIRLZ34 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLZ34N | NXP Semiconductors | MOSFETs RAIL PWR-MOS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ34N | UMW | Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 60mOhm; 30A; 68W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLZ34; IRLZ34-BE3; IRLZ34N; SP001553290; IRLZ34N UMW TIRLZ34 UMW Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 172 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLZ34N | Infineon / IR | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ34N Produktcode: 965
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Lieblingsprodukt
| IR, NXP | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220AB Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Idd, A: 30 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,035 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1600/35 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: THT | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRLZ34NL | IR | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRLZ34NL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ34NL(94-4877) | auf Bestellung 11950 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLZ34NLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ34NPBF | International Rectifier | (HEXSFET N-CH LOG LEV VDSS=60V ID=30A) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLZ34NPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V | auf Bestellung 9021 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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