
IRLZ34NPBF

Produktcode: 40555
Hersteller: IRGehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 30
Rds(on), Ohm: 0.035
Ciss, pF/Qg, nC: 880/25
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 121 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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1+ | 0.54 EUR |
10+ | 0.52 EUR |
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Technische Details IRLZ34NPBF IR
- MOSFET, N, 55V, 27A, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Max Voltage Vds:55V
- On State Resistance:0.035ohm
- Max Voltage Vgs:2V
- Power Dissipation:56W
- Transistor Case Style:TO-220AB
- No. of Pins:3
- Case Style:TO-220AB
- Cont Current Id:27A
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Junction to Case Thermal Resistance A:2.7`C/W
- Lead Spacing:2.54mm
- Max Voltage Vgs th:2V
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation Pd:56W
- Pulse Current Idm:110A
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:55V
- Typ Voltage Vgs th:2V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Weitere Produktangebote IRLZ34NPBF nach Preis ab 0.42 EUR bis 2.02 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IRLZ34NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 5199 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ34NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 952 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ34NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 8825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ34NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 8827 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ34NPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 27A; 56W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 27A Power dissipation: 56W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 35mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 16.7nC Features of semiconductor devices: logic level Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1262 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLZ34NPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 27A; 56W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 27A Power dissipation: 56W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 35mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 16.7nC Features of semiconductor devices: logic level Kind of package: tube |
auf Bestellung 1262 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ34NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V |
auf Bestellung 33399 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLZ34NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 821 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLZ34NPBF | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 56W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1772 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ34NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 12212 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ34NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ34NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 952 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ34NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRLZ34NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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Ciss, pF/Qg, nC: 620/35
/: THT
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Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 19
Rds(on),Om: 0.1
Ciss, pF/Qg, nC: 620/35
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Gehäuse: TO-220
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Rds(on),Om: 0.06
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
/: THT
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Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 31
Rds(on),Om: 0.06
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
/: THT
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Gehäuse: DIP-8
Beschreibung: Timer 1 Ausgang; 4.5...16V; 500 kHz
Temperaturbereich: 0...+70°C
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Beschreibung: Timer 1 Ausgang; 4.5...16V; 500 kHz
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verfügbar: 2080 Stück
429 Stück - stock Köln
1651 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 60
Ucbo,V: 60
Ic,A: 0,2
h21: 300
ZCODE: THT
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 60
Ucbo,V: 60
Ic,A: 0,2
h21: 300
ZCODE: THT
verfügbar: 38 Stück
Anzahl | Preis |
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1+ | 0.04 EUR |
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100+ | 0.03 EUR |
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IR4427PBF Produktcode: 74249
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH