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IRLZ34NPBF

IRLZ34NPBF

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Produktcode: 40555
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 30 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,035 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 880/25
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
auf Bestellung: 96 St.
  • 96 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Technische Details IRLZ34NPBF IR

  • MOSFET, N, 55V, 27A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:55V
  • On State Resistance:0.035ohm
  • Max Voltage Vgs:2V
  • Power Dissipation:56W
  • Transistor Case Style:TO-220AB
  • No. of Pins:3
  • Case Style:TO-220AB
  • Cont Current Id:27A
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:2.7`C/W
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vgs th:2V
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation Pd:56W
  • Pulse Current Idm:110A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:55V
  • Typ Voltage Vgs th:2V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF Infineon Technologies infineonirlz34ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF Infineon Technologies infineonirlz34ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF Infineon Technologies infineonirlz34ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF Infineon Technologies infineonirlz34ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF Infineon Technologies infineonirlz34ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF Infineon Technologies infineonirlz34ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlz34n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 27A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 27A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.7nC
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: tube
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IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF Infineon Technologies irlz34npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567206892720 description Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.95 EUR
50+1.4 EUR
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IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF Infineon Technologies Infineon_IRLZ34N_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 55V 27A 16.7nC 35mOhm LogLvAB
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IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF INFINEON INFN-S-A0012905113-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLZ34NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 27 A, 0.035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 56W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
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104+2.25 EUR
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Mindestbestellmenge: 55 Stücke
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IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF Infineon Technologies infineonirlz34ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLZ34NPBF description infineonirlz34ndatasheetv0101en.pdf
IRLZ34NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLZ34NPBF description infineonirlz34ndatasheetv0101en.pdf
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLZ34NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLZ34NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 27A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 27A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.7nC
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: tube
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47+1.82 EUR
87+0.98 EUR
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IRLZ34NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
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IRLZ34NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 27A 16.7nC 35mOhm LogLvAB
auf Bestellung 5400 Stücke:
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IRLZ34NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLZ34NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 27 A, 0.035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 56W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
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132+1.62 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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1N4007
Produktcode: 176822
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1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev., V: 1000 В
Iausr., A: 1 А
Beschreibung: Gleichrichter
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,1 В
auf Bestellung: 53469 St.
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470uF 16V EXR 10x12,5mm (low imp.) (EXR471M16B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Produktcode: 1318
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EXR_080421.pdf
470uF 16V EXR 10x12,5mm (low imp.) (EXR471M16B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 470 µF
Nennspannung: 16 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x12,5 mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 10 St.
  • 10 St. - stock Köln
erwartet: 10000 St.
  • 10000 St. - erwartet 10.08.2026
AnzahlPrivatkunde
1+0.31 EUR
10+0.26 EUR
100+0.23 EUR
1000+0.1 EUR
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20 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-20KR-Hitano) (S)
Produktcode: 13795
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CR-S_080911.pdf
20 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-20KR-Hitano) (S)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 20 kOhm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
verfügbar: 1200 St.
  • 1200 St. - stock Köln
auf Bestellung: 5190 St.
  • 5190 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.027 EUR
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1000+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000
Produktcode: 20638
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2N7000-D.PDF
2N7000
Hersteller: NXP
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 0,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/-
Montage: THT
verfügbar: 50 St.
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L7805CV
Produktcode: 24792
7 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description L7800 series.pdf
L7805CV
Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220
Eingangsspannung Uin, V: 35 V
Ausgangsspannung Uout, V: 5 V
Ausgangsstrom Iout, A: 1,5 A
Spannungsabfall Udrop, V: 1,7 V
Ausgangstyp: Fest
Temperaturbereich: 0...125°C
Montage: THT
verfügbar: 118 St.
  • 118 St. - stock Köln
erwartet: 30 St.
  • 30 St. - erwartet
auf Bestellung: 600 St.
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