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IRLZ34NPBF

IRLZ34NPBF

irlz34npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567206892720
Produktcode: 40555
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 30
Rds(on), Ohm: 0.035
Ciss, pF/Qg, nC: 880/25
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
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Technische Details IRLZ34NPBF IR

  • MOSFET, N, 55V, 27A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:55V
  • On State Resistance:0.035ohm
  • Max Voltage Vgs:2V
  • Power Dissipation:56W
  • Transistor Case Style:TO-220AB
  • No. of Pins:3
  • Case Style:TO-220AB
  • Cont Current Id:27A
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:2.7`C/W
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vgs th:2V
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation Pd:56W
  • Pulse Current Idm:110A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:55V
  • Typ Voltage Vgs th:2V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlz34ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlz34ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Mindestbestellmenge: 145
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IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlz34ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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182+0.78 EUR
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1000+0.5 EUR
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Mindestbestellmenge: 146
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IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irlz34n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 27A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 27A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 16.7nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3388 Stücke:
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Anzahl Preis
61+1.19 EUR
102+0.7 EUR
129+0.56 EUR
141+0.51 EUR
250+0.46 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 61
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IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irlz34n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 27A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 27A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 16.7nC
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IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRLZ34N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 27A 16.7nC 35mOhm LogLvAB
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2000+0.68 EUR
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IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF Hersteller : Infineon Technologies irlz34npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567206892720 Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
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50+1.12 EUR
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5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012905113-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLZ34NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 27 A, 0.035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlz34ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlz34ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 31
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Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
/: THT
auf Bestellung 622 St.:
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470uF 16V EXR 10x12,5mm (EXR471M16B-Hitano)
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EXR_080421.pdf
470uF 16V EXR 10x12,5mm (EXR471M16B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 470uF
Nennspannung: 16V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x12,5mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 269 St.
10 St. - stock Köln
259 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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20 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-20K-Hitano)
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Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 20 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
verfügbar: 1620 St.
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420 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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5000 St. - erwartet 15.06.2026
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100+0.0056 EUR
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2N7000
Produktcode: 20638
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2N7000-D.PDF
2N7000
Hersteller: NXP
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60
Idd,A: 01.03.2000
Rds(on), Ohm: 5
Ciss, pF/Qg, nC: 60/-
JHGF: THT
verfügbar: 50 St.
erwartet: 2000 St.
2000 St. - erwartet 17.04.2026
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R16 10 kOhm linear mono (KLS4-WH148-1A-2-18T-B103-L15)
Produktcode: 28623
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R16 10 kOhm linear mono (KLS4-WH148-1A-2-18T-B103-L15)
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Widerstand > Widerstande wechselnd (Potentiometer)
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Beschreibung: Kohlenstoff- Potentiometer linear, mono
Typ: verdrehbar
Abmessungen: D=17 мм
Потужність: 0,06 W
Шток: 15 mm
Характеристика: Лінійний
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