IRLZ34NPBF

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Produktcode: 40555

Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 30
Rds(on), Ohm: 0.035
Ciss, pF/Qg, nC: 880/25
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT

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Technische Details IRLZ34NPBF IR

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit entfalten einschränken alle	Preis ohne MwSt
	IRLZ34NPBF	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube	auf Bestellung 2322 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 229+ 0.68 EUR 250+  0.63 EUR 500+  0.59 EUR 1000+  0.55 EUR Mindestbestellmenge: 229 kaufen
	IRLZ34NPBF	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube	auf Bestellung 430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 163+ 0.96 EUR 177+  0.85 EUR Mindestbestellmenge: 163 kaufen
	IRLZ34NPBF	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube	auf Bestellung 430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 153+ 1.02 EUR 163+  0.93 EUR 177+  0.82 EUR Mindestbestellmenge: 153 kaufen
	IRLZ34NPBF	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube	auf Bestellung 8430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 151+ 1.04 EUR 167+  0.9 EUR 186+  0.78 EUR 200+  0.73 EUR 500+  0.66 EUR 1000+  0.61 EUR 2000+  0.56 EUR 4000+  0.53 EUR Mindestbestellmenge: 151 kaufen
	IRLZ34NPBF	Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 27A; 56W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 27A Power dissipation: 56W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 35mΩ Mounting: THT Gate charge: 16.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	auf Bestellung 588 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 59+ 1.23 EUR 101+  0.71 EUR 122+  0.59 EUR 140+  0.51 EUR 148+  0.48 EUR Mindestbestellmenge: 59 kaufen
	IRLZ34NPBF	Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 27A; 56W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 27A Power dissipation: 56W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 35mΩ Mounting: THT Gate charge: 16.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level	auf Bestellung 588 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 59+ 1.23 EUR 101+  0.71 EUR 122+  0.59 EUR 140+  0.51 EUR 148+  0.48 EUR Mindestbestellmenge: 59 kaufen
	IRLZ34NPBF	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube	auf Bestellung 2427 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 94+ 1.68 EUR 117+  1.29 EUR 500+  1.06 EUR 1000+  0.8 EUR 2000+  0.71 EUR Mindestbestellmenge: 94 kaufen
	IRLZ34NPBF	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube	auf Bestellung 2427 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 78+ 2.01 EUR 94+  1.62 EUR 117+  1.24 EUR 500+  1.02 EUR 1000+  0.77 EUR 2000+  0.68 EUR Mindestbestellmenge: 78 kaufen
	IRLZ34NPBF	Hersteller : Infineon Technologies	MOSFET MOSFT 55V 27A 16.7nC 35mOhm LogLvAB	auf Bestellung 1893 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 17+ 3.2 EUR 19+  2.76 EUR 100+  2.17 EUR 500+  1.84 EUR 1000+  1.49 EUR 2000+  1.36 EUR 5000+  1.3 EUR Mindestbestellmenge: 17 kaufen
	IRLZ34NPBF	Hersteller : INFINEON	Description: INFINEON - IRLZ34NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 27 A, 0.035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 56W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)	auf Bestellung 5759 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	kaufen
	IRLZ34NPBF	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube	auf Bestellung 49 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	kaufen
	IRLZ34NPBF	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube	auf Bestellung 49 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	kaufen
	IRLZ34NPBF	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen
	IRLZ34NPBF	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen
	IRLZ34NPBF	Hersteller : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen

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IRF9Z34NPBF Produktcode: 31477

Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 19
Rds(on),Om: 0.1
Ciss, pF/Qg, nC: 620/35
/: THT

auf Bestellung 654 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NE555P IC Timer Produktcode: 26138

Hersteller: TI
IC > IC Timer
Gehäuse: DIP-8
Beschreibung: Timer 1 Ausgang; 4.5...16V; 500 kHz
Temperaturbereich: 0...+70°C

verfügbar: 2709 Stück

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439 Stück - stock Köln
2270 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen

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10 kOhm 5% 0,5W Ausfuhr. (CR050SJTB-10KHitano) Produktcode: 33348

Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,4W 0,5W 0,6W
Resistenz: 10 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,5W
U Betriebs.,V: 350V
Größe Typ: 6x2,3mm, DAusfuhr.=0,55mm
Typ: Kohlen- ausfuhrungs- miniatur

auf Bestellung 2700 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

erwartet 5000 Stück:

5000 Stück - erwartet

Anzahl	Preis ohne MwSt
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100+	0.0078 EUR
1000+	0.0062 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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IRLZ24NPBF Produktcode: 40554

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 01.06.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT

auf Bestellung 785 Stück:

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LM358N Produktcode: 181180

Hersteller: HGSEMI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-8
Vc, V: 3…32 V
BW, MHz: 0,7 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 2 mV
Geschw. Nar., V/mks: 0,3 V/µs
Temperaturbereich: 0…+70°C
ZCODE: 2
Монтаж: THT

auf Bestellung 490 Stück:

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