IRLZ34NPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRLZ34NPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLZ34NPBF - MOSFET, N-KANAL, 55V, 27A, TO-220, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 27A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 56W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IRLZ34NPBF nach Preis ab 0.38 EUR bis 2.45 EUR
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IRLZ34NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRLZ34NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRLZ34NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRLZ34NPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 27A; 56W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 27A Power dissipation: 56W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 35mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 16.7nC |
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IRLZ34NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V |
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IRLZ34NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 27A 16.7nC 35mOhm LogLvAB |
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IRLZ34NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRLZ34NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRLZ34NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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| IRLZ34NPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLZ34NPBF - MOSFET, N-KANAL, 55V, 27A, TO-220 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 56W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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IRLZ34NPBF Produktcode: 40555
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 55 Idd,A: 30 Rds(on), Ohm: 0.035 Ciss, pF/Qg, nC: 880/25 Bem.: Керування логічним рівнем JHGF: THT |
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IRLZ34NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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