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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
MPSW06Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW06onsemiDescription: TRANS NPN 80V 0.5A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 250mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1514+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1514 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW06ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.5A 1000mW 3-Pin TO-92 Bulk
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2280+0.29 EUR
10000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2280 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW06
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MPSW06Welwyn Components / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
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MPSW06GONSEMIDescription: ONSEMI - MPSW06G - MPSW06G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 54576 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW06GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.5A 1000mW 3-Pin TO-92 Box
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 Mindestbestellmenge: 105000 Stücke
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MPSW06GonsemiBipolar Transistors - BJT 500mA 80V 1W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW06GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 0.5A TO92
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 250mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 250mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
auf Bestellung 54576 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1137+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1137 Stücke
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MPSW06G
Produktcode: 87210
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW06GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 0.5A TO92
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 250mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 250mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW06RLRAonsemiBipolar Transistors - BJT 500mA 80V 1W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW06RLRAonsemiDescription: TRANS NPN SS GP 1W 80V TO92
Part Status: Obsolete
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW06RLRAGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.5A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 74000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1713+0.38 EUR
10000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1713 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW06RLRAGonsemiDescription: TRANS NPN 80V 0.5A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 250mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 277563 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1137+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1137 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW06RLRAGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.5A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 171770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1713+0.38 EUR
10000+0.33 EUR
100000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1713 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW06RLRAGON
auf Bestellung 3011 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW06RLRAGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.5A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 1880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1880+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 1880 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW06RLRAGonsemiBipolar Transistors - BJT 500mA 80V 1W NPN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW06RLRAGonsemiDescription: TRANS NPN 80V 0.5A TO92
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 250mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 250mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW06RLRAGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.5A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 31749 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1713+0.38 EUR
10000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1713 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW06RLRAGONSEMIDescription: ONSEMI - MPSW06RLRAG - TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 80V, TO-92-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 218563 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW06RLRAGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.5A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 1880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1880 Stücke
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MPSW06RLRAGOSonsemiBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS NPN GP SS 1W 80V TO92
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MPSW06_D26Zonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN General Purpose Amplifier
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW06_D26ZDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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MPSW06_D27ZToshibaBipolar Transistors - BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW06_D27Zonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN General Purpose Amplifier
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MPSW06_Qonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
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MPSW13onsemionsemi
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW13RLRAonsemiDarlington Transistors 1A 30V NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW13RLRAonsemiDescription: TRANS NPN DARL 30V 1A TO92
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Frequency - Transition: 125MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW13RLRAGonsemiDescription: TRANS NPN DARL 30V 1A TO92
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Frequency - Transition: 125MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW13RLRAGonsemiDarlington Transistors 1A 30V NPN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW28S
auf Bestellung 815 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW3725ONSEMIDescription: ONSEMI - MPSW3725 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 10437 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4500 Stücke
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MPSW3725
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW3725onsemiDescription: TRANS NPN 40V 1.2A TO-226-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 950mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-226-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW3725ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 1.2A 1000mW 3-Pin TO-226 Bulk
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2738+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2738 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW3725Fairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 40V 1.2A TO-226-3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A
Supplier Device Package: TO-226-3
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 950mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
auf Bestellung 10437 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1817+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1817 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW42
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW42onsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A TO92
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW42onsemiBipolar Transistors - BJT 500mA 300V 1W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW42GonsemiBipolar Transistors - BJT 500mA 300V 1W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW42GonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A TO92
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW42RLRAonsemiDescription: TRANS NPN SS 1W 300V TO92
Part Status: Obsolete
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW42RLRAonsemiBipolar Transistors - BJT 500mA 300V 1W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW42RLRAON06+
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW42RLRAGonsemiBipolar Transistors - BJT 500mA 300V 1W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW42RLRAG
auf Bestellung 85545 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW42RLRAGonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A TO92
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW42RLRAGOSonsemiBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS NPN SS 1W 300V TO92
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW45onsemiDarlington Transistors 1A 40V NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW45onsemiDescription: TRANS NPN DARL 40V 1A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25000 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW45
auf Bestellung 2657 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW45AonsemiDescription: TRANS NPN DARL 50V 1A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25000 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW45A
Produktcode: 125311
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW45A
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW45AonsemiDarlington Transistors 1A 50V NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW45AGonsemiDarlington Transistors 1A 50V NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW45AGonsemiDescription: TRANS NPN DARL 50V 1A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25000 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW45ARLRAonsemiDarlington Transistors 1A 50V NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW45ARLRAGonsemiDescription: TRANS NPN DARL 50V 1A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25000 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW45ARLRAGonsemiDarlington Transistors 1A 50V NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW45AZL1onsemiDarlington Transistors 1A 50V NPN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW45AZL1onsemiDescription: TRANS NPN DARL 50V 1A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25000 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW45AZL1GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 50V 1A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25000 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
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MPSW45AZL1GonsemiDarlington Transistors 1A 50V NPN
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MPSW45GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 40V 1A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25000 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
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MPSW45GonsemiDarlington Transistors 1A 40V NPN
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MPSW45RLREonsemiDarlington Transistors
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MPSW45RLREonsemiDescription: TRANS NPN DARL 40V 1A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25000 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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MPSW45RLREGonsemiDescription: TRANS NPN DARL 40V 1A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25000 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
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 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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MPSW45RLREGonsemiDarlington Transistors NPN Bipolar Darlington Transistor
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MPSW51
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MPSW51onsemiBipolar Transistors - BJT 1A 40V 1W PNP
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MPSW51ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 Bulk
auf Bestellung 70690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3912+0.17 EUR
10000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3912 Stücke
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MPSW51onsemiDescription: TRANS PNP 30V 1A TO92
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
auf Bestellung 70690 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2597+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2597 Stücke
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MPSW51ONSEMIDescription: ONSEMI - MPSW51 - TRANS PNP 40V 1A TO92
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 56690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1250+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 1250 Stücke
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MPSW51-APMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 30V 1A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
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MPSW51-BPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 30V 1A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
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MPSW51AonsemiDescription: TRANS PNP 40V 1A TO92
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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MPSW51AonsemiBipolar Transistors - BJT 1A 50V 1W PNP
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MPSW51A-APMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 40V 1A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
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MPSW51A-APMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 40V 1A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
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 Mindestbestellmenge: 20000 Stücke
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MPSW51A-BPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 40V 1A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
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MPSW51AGonsemiDescription: TRANS PNP 40V 1A TO92
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
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MPSW51AGonsemiBipolar Transistors - BJT 1A 50V 1W PNP
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MPSW51AM-APMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 40V 1A TO92MOD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW51ARLRAonsemiDescription: TRANS PNP 40V 1A TO92
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW51ARLRAGonsemiDescription: TRANS PNP 40V 1A TO92
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW51ARLRAGONSEMIDescription: ONSEMI - MPSW51ARLRAG - MPSW51ARLRAG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 99927 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW51ARLRAGonsemiDescription: TRANS PNP 40V 1A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 129977 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1137+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1137 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW51ARLRPonsemiBipolar Transistors - BJT 1A 50V 1W PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW51ARLRPonsemiDescription: TRANS PNP 40V 1A TO92
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Frequency - Transition: 50MHz
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW51ARLRPGONSEMIDescription: ONSEMI - MPSW51ARLRPG - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -40V TO-92
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1140 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW51ARLRPGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW51ARLRPGonsemiDescription: TRANS PNP 40V 1A TO92
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW51GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 1A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 13381 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1137+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1137 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSW51GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 1A TO92
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
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