Produkte > IPW
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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| IPW60R099C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 690 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099C6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.1A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.21mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V | auf Bestellung 445 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R099C6FKSA1 (TO-247, Infineon) MOSFET N-ch 600V/37,9A Produktcode: 88983
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
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| IPW60R099C7 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA Supplier Device Package: PG-TO247 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW60R099C7 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V | auf Bestellung 241 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R099C7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 110W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Power dissipation: 110W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ C7 Drain current: 22A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: PG-TO247-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 153 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW60R099C7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R099C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.085 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm | auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW60R099CM8XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor | auf Bestellung 260 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R099CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099CM8XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R099CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V Verlustleistung: 176W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CM8 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm | auf Bestellung 132 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW60R099CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IPW60R099CM8XKSA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.1A, 10V Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 260µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V | auf Bestellung 112 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R099CM8XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 29A; 176W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Power dissipation: 176W Gate charge: 31nC Technology: CoolMOS™ Drain current: 29A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Application: automotive industry Gate-source voltage: 20V Case: TO247-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW60R099CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099CP Produktcode: 72969
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IPW60R099CP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3-1 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW60R099CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP | auf Bestellung 213 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R099CPA | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS | auf Bestellung 277 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R099CPA | Infineon Technologies | Description: IPW60R099 - 600V-800V N-CHANNEL Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW60R099CPAE8222XKSA1 | Infineon Technologies | IPW60R099CPAE8222XKSA1 | auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2640 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW60R099CPAFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R099CPAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 255W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm | auf Bestellung 310 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 217 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 434 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099CPAFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 90mΩ Mounting: THT Power dissipation: 255W Gate charge: 80nC Polarisation: unipolar Drain current: 31A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Application: automotive industry Case: TO247-3 | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 217 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 435 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 310 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R099CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 185 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 620 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099CPAFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS | auf Bestellung 756 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R099CPFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V | auf Bestellung 748 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R099CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW60R099CPFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R099CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 58 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099CPFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R099CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 255W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm | auf Bestellung 214 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 58 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099CPFKSA1 Produktcode: 189155
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IPW60R099CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW60R099CPFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Power dissipation: 255W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ CP Drain current: 31A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: PG-TO247-3 | auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099P6 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM | auf Bestellung 158 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099P6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R099P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37.9 A, 0.089 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 278W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm | auf Bestellung 128 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW60R099P6XKSA1 | Infineon | TO247 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW60R099P6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Power dissipation: 278W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ P6 Drain current: 37.9A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: PG-TO247-3 | auf Bestellung 56 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM | auf Bestellung 1197 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW60R099P7 | Infineon Technologies | Description: 600V, 0.099OHM, N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW60R099P7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW60R099P7 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 615 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099P7XKSA1 | Infineon | auf Bestellung 420 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IPW60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW60R099P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 615 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW60R099P7XKSA1 | Infineon | MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 138 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 117W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V | auf Bestellung 337 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 793 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R099P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R099P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 117W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 373 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099ZH | Infineon | auf Bestellung 706780 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IPW60R099ZH | Infineon Technologies | Description: IPW60R099 - 600V CoolMOS N-Chann Part Status: Obsolete Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW60R099ZHXKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW60R099ZHXKSA1 - IPW60R099 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 101 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 101 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW60R105CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R105CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 9.3A, 10V Power Dissipation (Max): 106W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1752 pF @ 400 V | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R105CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R105CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.089 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 106W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 148 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R105CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW60R105CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW60R105CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW60R105CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R | auf Bestellung 2160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R120C7 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW60R120C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW60R120C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW60R120C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V | auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R120C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 223 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R120CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 215 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R120CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IPW60R120CM8XKSA1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.3A, 10V Power Dissipation (Max): 131W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1045 pF @ 400 V | auf Bestellung 184 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R120CM8XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor | auf Bestellung 1038 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R120CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW60R120CM8XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R120CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.12 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 131W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CM8 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 232 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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