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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
RFP50N06
Produktcode: 182601
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ONTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 50 А
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP50N06LE
Produktcode: 189268
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JSMICROTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 50 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,022 Ом
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.92 EUR
10+1.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP50N06R4034HARRISRFP50N06R4034
auf Bestellung 3250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
385+1.69 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 385 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP50N06R4034Harris CorporationDescription: 50A, 60V, 0.022 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 3250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
308+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 308 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP50N06S5001
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP50N06_F102Fairchild SemiconductorDescription: 1-ELEMENT, N-CHANNEL POWER MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP50N06_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP50N06_Qonsemi / FairchildMOSFETs TO-220AB N-CH POWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP50N60
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP515538-1
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP515538-2
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP515538-3
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP515538-5
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP54N06
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP6002
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP60N03
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP60N06
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP60P06
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP6120BGA
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP62010
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP62011
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP6N45Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
210+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP6N50Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
auf Bestellung 1793 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
160+3.61 EUR
Mindestbestellmenge: 160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP6P08
auf Bestellung 1324 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP6P10Harris CorporationDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 42094 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
567+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 567 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP70N03onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP70N03onsemi / FairchildMOSFET TO-220AB N-Ch Power
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP70N03HAR2000 TO-220
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP70N03Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
auf Bestellung 5567 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
179+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 179 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP70N03SM
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP70N06ONSEMIDescription: ONSEMI - RFP70N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 4727 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.75 EUR
64+3.64 EUR
100+2.87 EUR
500+2.38 EUR
1000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP70N06
Produktcode: 26939
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FSTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 70 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2250/120
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP70N06ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+2.92 EUR
42+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP70N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP70N06ONS/FAITO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP70N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+2.62 EUR
250+2.31 EUR
500+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP70N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 33029 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+1.94 EUR
100+1.77 EUR
500+1.64 EUR
1600+1.56 EUR
3200+1.48 EUR
5600+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP70N06ON-SemiconductorN-MOSFET 70A 60V 150W 0.014Ω RFP70N06 RFP70N06 TRFP70N06
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+6.35 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP70N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
auf Bestellung 603 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.45 EUR
50+2.71 EUR
100+2.45 EUR
500+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP70N06onsemiMOSFETs N-Ch Power MOSFET
auf Bestellung 846 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.55 EUR
10+2.26 EUR
100+2.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP70N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+1.94 EUR
100+1.81 EUR
500+1.7 EUR
1600+1.64 EUR
3200+1.61 EUR
5600+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP70N06S5001Harris CorporationDescription: 70A, 60V, 0.014OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP70N06S5001
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP72100
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP75-50
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP75-50RCG-2
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP75N03
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP75N06
auf Bestellung 7575 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP7N35
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP7N35Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
258+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 258 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP7N40
auf Bestellung 6828 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP7N40Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 471 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
249+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 249 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP8N18
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP8N18L
auf Bestellung 6829 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP8N20Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 2366 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
523+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 523 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP8N20
auf Bestellung 6830 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP8N20L
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP8P03L
auf Bestellung 4222 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP8P05onsemi / FairchildMOSFET TO-220AB P-Ch Power
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP8P05
auf Bestellung 6831 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP8P05onsemiDescription: MOSFET P-CH 50V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP8P05+
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP8P06
auf Bestellung 6832 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP8P06E
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP8P06LE
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP8P06LEHarris CorporationDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 8A, 5V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP8P08
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP8P10
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP8P10ONSEMIDescription: ONSEMI - RFP8P10 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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RFP8P10
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RFP8P10Fairchild SemiconductorDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
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RFPA0133
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RFPA0133QorvoRF Amplifier 380-960MHz Gain 32dB Pout 30dBm CW
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RFPA0133PCK-410QorvoRF Development Tools 380-960 MHz Prog Gain High Eff PA
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RFPA0133PCK-411QorvoRF Development Tools 380-960 MHz Prog Gain High Eff PA
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RFPA0133SRQorvoRF Amplifier 380-960MHz SSG 32dB 1W CW at 5V
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RFPA0133TR7RFMDDescription: IC PROG PWR AMP 16-QFN
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RFPA0133TR7QorvoRF Amplifier 380-960MHz Gain 32dB Pout 30dBm CW
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RFPA0133TR7
Produktcode: 151698
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RFPA0133TR7RFMDDescription: IC PROG PWR AMP 16-QFN
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RFPA0133TR7RFMDDescription: IC PROG PWR AMP 16-QFN
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RFPA0802SRQorvoRF Amplifier 700-950MHz Gain 28dB NF 3.7dB PAE26%
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RFPA0805TR13QorvoRF Amplifier 729-756MHz ain 30dB NF 6.6dB -40C +85C
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RFPA0875TR13QorvoRF Amplifier 869-894MHz Gain 29dB NF 5.7dB -40C +85C
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RFPA1012TR7QorvoRF Amplifier 400-2700MHz NF 3.5dB OIP3 44dBm @ 900MHz
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RFPA1545TR13QorvoRF Amplifier 150-1000MHz Gain17dB -40C +105C
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RFPA1702TR13QorvoRF Amplifier 17.7-19.7GHz Gain 23dB
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RFPA1702TR7QorvoRF Amplifier 17.7-19.7GHz P1dB 31dBm
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RFPA1802PCK-410QorvoRF Development Tools 1.6-2.0 GHz Integrated PA
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RFPA1802TR7QorvoRF Amplifier 1.6-2GHz NF 3.3dB -30C +85C
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RFPA1805TR13QorvoRF Amplifier 1805-1880MHz 5V Gain 33dB NF 5.2dB
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RFPA1905TR13QorvoRF Amplifier 1930-1990MHz 5V Gain 31dB NF 5.3dB
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RFPA2002SRQorvoRF Amplifier 1.75-2.2GHz PAE 27% Gain 278dB NF 3.5dB
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RFPA2013TR7QorvoRF Amplifier 400-2700MHz NF 3.8dB Gain 15.7dB @2140MHz
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RFPA2016TR13QorvoRF Amplifier 700-2700MHz 1W Gain 36dB @2140MHz
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RFPA2025TR13QorvoRF Amplifier 2.11-2.17GHz 5V Gain 31dB NF 5.2dB
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RFPA2026PCK-410QorvoRF Development Tools Evaluation Board Kit - RFPA2026 # 750MHz
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RFPA2026PCK-411QorvoRF Development Tools Evaluation Board Kit - RFPA2026 # 2140MH
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RFPA2026PCK-412QorvoRF Development Tools Evaluation Board Kit - RFPA2026 # 2650MH
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RFPA2026SRQorvoRF Amplifier 320W Peak Pwr Limter 1 - 2 GHz
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