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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
STB1277-Y
auf Bestellung 5750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB1277LST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB1277L-Y
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB1277LY
auf Bestellung 2510 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB1277LY-AT
auf Bestellung 5750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12N60DM2AGSTMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12N60DM2AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.58 EUR
10+3.63 EUR
100+2.55 EUR
500+2.13 EUR
1000+1.94 EUR
2000+1.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NK50ZT4 Transistor
Produktcode: 92403
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NK80ZST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NK80Z-
auf Bestellung 70499 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NK80Z-1
auf Bestellung 70499 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NK80Z-SST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NK80ZT4ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NK80ZT4
Produktcode: 131646
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NK80ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
auf Bestellung 2009 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.01 EUR
10+6.04 EUR
100+4.35 EUR
500+4.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NK80ZT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH
auf Bestellung 1053 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.56 EUR
10+3.94 EUR
100+3.92 EUR
500+3.91 EUR
1000+3.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NK80ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+3.5 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+5.51 EUR
31+4.6 EUR
34+4 EUR
100+3.37 EUR
250+3.16 EUR
500+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NK80ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB12NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.25 A, 0.75 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 581 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NM50ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NM50-1ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NM50-T4ST
auf Bestellung 3574 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NM50FDST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NM50FD-1ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NM50FDT4ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NM50FDT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NM50N
auf Bestellung 3080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NM50NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NM50NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 347 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+3.34 EUR
47+2.99 EUR
100+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NM50ND
Produktcode: 129325
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NM50NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 500 V 11 A Fdmesh
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NM50NT4STMicroelectronicsMOSFET N-CHANNEL MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NM50T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NM50T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 12 Amp
auf Bestellung 2435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.2 EUR
10+5.39 EUR
100+3.92 EUR
500+3.78 EUR
1000+3.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NM50T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB12NM50T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NM50T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
auf Bestellung 972 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+8.8 EUR
10+5.87 EUR
100+4.21 EUR
500+3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NM50T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 12A; 160W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 12A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 28nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NM50T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NM50T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB12NM50T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NM50T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NM50T4ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NM50T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NM50T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 550V; 12A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 12A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NM60N
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N ch 600V 0.005 Ohm 10A Pwr MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NM60N-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB12NM60N-1STMicroelectronicsMOSFET N Ch 1500V 2.5A Hi Vltg Pwr MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB13005ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB13005-1STMTO-262 (I2Pak) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB13005-1STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 4A I2PAK
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB13005-1ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB13007DT4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.92 EUR
2000+0.85 EUR
3000+0.81 EUR
5000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB13007DT4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB13007DT4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB13007DT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB13007DT4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 18hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB13007DT4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
auf Bestellung 5900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+2.96 EUR
10+1.88 EUR
100+1.27 EUR
500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB13007DT4
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB13007DT4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN power transistor
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.97 EUR
10+1.9 EUR
100+1.27 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.92 EUR
2000+0.81 EUR
5000+0.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB130N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB130N6F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB130N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB130N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1806 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.96 EUR
10+2.54 EUR
100+1.74 EUR
500+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB130N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB130N6F7STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in D2PAK package
auf Bestellung 1877 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.33 EUR
10+2.43 EUR
100+1.74 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.24 EUR
2000+1.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB130N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.62 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB130N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB130N6F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB130N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB130N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB130NH02LST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB130NH02LT4ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB130NS04ZBST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB130NS04ZB-1STMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade N-channel clamped 7 mOhm, 80 A fully protected Mesh Overlay Power MOSFET in a I2PAK package
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB130NS04ZBT4ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB130NS04ZBT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 33V 80A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 33 V
Vgs (Max): Clamped
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB135N10ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB13N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB13N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB13N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.35ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 878 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB13N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
auf Bestellung 8039 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.58 EUR
10+2.96 EUR
100+2.04 EUR
500+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB13N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB13N60M2STMMOSFET N-CH 600V 11A D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB13N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB13N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB13N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 406 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB13N60M2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 963 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.1 EUR
31+2.35 EUR
37+1.97 EUR
50+1.73 EUR
100+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB13N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
auf Bestellung 1143 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.63 EUR
10+2.99 EUR
100+2.08 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.53 EUR
2000+1.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB13N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+1.52 EUR
2000+1.41 EUR
3000+1.36 EUR
5000+1.3 EUR
7000+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB13N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB13N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 800V 0.37Ohm 12A MDmesh K5
auf Bestellung 1526 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.96 EUR
10+5.3 EUR
100+3.78 EUR
1000+3.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB13N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB13N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.37 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 190W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.37ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 429 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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STB13N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
auf Bestellung 474 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.96 EUR
10+5.29 EUR
100+3.78 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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STB13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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