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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
UJ3N120035K3SonsemiJFETs 1200V/35MOSICJFETG3TO247-3
auf Bestellung 744 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+59.86 EUR
10+41.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3N120035K3SonsemiDescription: JFET N-CH 1200V 63A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2145pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1200 V
Current Drain (Id) - Max: 63 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Power - Max: 429 W
Resistance - RDS(On): 45 mOhms
auf Bestellung 3608 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+67.29 EUR
30+44.34 EUR
120+40.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3N120065K3SonsemiDescription: JFET N-CH 1.2KV 34A TO247-3
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 µA @ 1200 V
Resistance - RDS(On): 55 mOhms
Power - Max: 254 W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Supplier Device Package: TO-247-3
Current Drain (Id) - Max: 34 A
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1008pF @ 100V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 2561 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+38.16 EUR
30+24.1 EUR
120+21.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3N120065K3SQORVODescription: QORVO - UJ3N120065K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 66 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 66mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 889 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+29.98 EUR
10+25.73 EUR
50+23.8 EUR
100+20.54 EUR
250+18.9 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3N120065K3SonsemiJFETs 1200V/65MOSICJFETG3TO247-3
auf Bestellung 556 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+38.01 EUR
10+23.95 EUR
100+22.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3N120070K3SonsemiDescription: JFET N-CH 1200V 33.5A TO247-3
Resistance - RDS(On): 90 mOhms
Power - Max: 254 W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Supplier Device Package: TO-247-3
Current Drain (Id) - Max: 33.5 A
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985pF @ 100V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 1553 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.55 EUR
30+22.31 EUR
120+20.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3N120070K3SQORVODescription: QORVO - UJ3N120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33.5 A, 1.2 kV, 0.063 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+32.49 EUR
9+28.85 EUR
10+25.43 EUR
50+24.2 EUR
100+20.88 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3N120070K3SONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 1.2kV; 254W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Gate-source voltage: -20...20V
Drain current: 24.5A
Gate charge: 116nC
On-state resistance: 154mΩ
Power dissipation: 254W
Pulsed drain current: 85A
Case: TO247-3
Kind of transistor: cascode
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3N120070K3SonsemiJFETs 1200V/70MOSICJFETG3TO247-3
auf Bestellung 588 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.65 EUR
10+22.35 EUR
100+20.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3N120070K3SOn SemiconductorJFET N-Channel 1200 V 33.5 A 254 W Through Hole TO-247-3 Транзистори
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