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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IS64WV25616BLL-10BLA3-TRISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Operating voltage: 2.4...3.6V
Access time: 10ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV25616BLL-10CTLA3ISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.34 EUR
10+28.14 EUR
25+27.26 EUR
50+26.61 EUR
135+25.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV25616BLL-10CTLA3ISSISRAM 4M (256Kx16) 10ns Async SRAM
auf Bestellung 334 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+37.87 EUR
10+35.1 EUR
25+34.01 EUR
50+32.4 EUR
100+31.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV25616BLL-10CTLA3ISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Operating voltage: 2.4...3.6V
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: in-tray; tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV25616BLL-10CTLA3-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV25616BLL-10CTLA3-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV25616BLL-10CTLA3-TRISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns Automotive AEC-Q100 44-Pin TSOP-II T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV25616BLL-10CTLA3-TRISSISRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+37.84 EUR
10+35.08 EUR
25+33.97 EUR
50+32.36 EUR
100+31.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV25616BLL-10CTLA3-TRISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Operating voltage: 2.4...3.6V
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV25616EDBLL-10BA3ISSISRAM 4Mb 3.6v 10ns 512Kx16LP Async SRAM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV25616EDBLL-10BA3ISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV25616EDBLL-10BA3-TRISSISRAM 4Mb 3.6v 10ns 512Kx16LP Async SRAM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV25616EDBLL-10BA3-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV25616EDBLL-10BLA3ISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.7 EUR
10+25.7 EUR
25+24.91 EUR
50+24.3 EUR
100+23.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV25616EDBLL-10BLA3ISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns Automotive 48-Pin Mini-BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV25616EDBLL-10BLA3ISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: TFBGA48
Operating temperature: -40...125°C
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 256kx16bit
Kind of package: in-tray; tube
Operating voltage: 2.4...3.6V
Kind of memory: SRAM
Access time: 10ns
Memory: 4Mb SRAM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV25616EDBLL-10BLA3ISSISRAM 4Mb 3.6v 10ns 512Kx16 LPAsync SRAM
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
480+22.47 EUR
Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV25616EDBLL-10BLA3-TRISSISRAM Chip Async Single 4M-bit
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV25616EDBLL-10BLA3-TRISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: TFBGA48
Operating temperature: -40...125°C
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 256kx16bit
Kind of package: reel; tape
Operating voltage: 2.4...3.6V
Kind of memory: SRAM
Access time: 10ns
Memory: 4Mb SRAM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV25616EDBLL-10BLA3-TRISSISRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV25616EDBLL-10BLA3-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV25616EDBLL-10CTLA3ISSIСтатична пам'ять SRAM, Uживл, В = 2,4...3,6, Об'єм RAM = 4 Мбіт, Орг. пам. = 256K x 16, Тдост/Частота = 10, Тексп, °C = -40...+125, Тип інтерф. = Паралельний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: 44-TSOP Очікується: 3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 135 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV25616EDBLL-10CTLA3ISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.2 EUR
10+28.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV25616EDBLL-10CTLA3ISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns Automotive 44-Pin TSOP-II
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV25616EDBLL-10CTLA3ISSISRAM 4Mb (256Kx16) 10ns TSOP II-44 Мікросхеми пам'яті
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV25616EDBLL-10CTLA3ISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: TSOP44 II
Operating temperature: -40...125°C
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 256kx16bit
Kind of package: in-tray; tube
Operating voltage: 2.4...3.6V
Kind of memory: SRAM
Access time: 10ns
Memory: 4Mb SRAM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV25616EDBLL-10CTLA3ISSISRAM 4Mb, 2.4v-3.6v, 10ns 256Kx16 Async SRAM
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.33 EUR
10+29.1 EUR
25+28.17 EUR
50+27.48 EUR
270+25.85 EUR
540+25.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV25616EDBLL-10CTLA3-TRISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns Automotive 44-Pin TSOP-II T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV25616EDBLL-10CTLA3-TRISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: TSOP44 II
Operating temperature: -40...125°C
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 256kx16bit
Kind of package: reel; tape
Operating voltage: 2.4...3.6V
Kind of memory: SRAM
Access time: 10ns
Memory: 4Mb SRAM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV25616EDBLL-10CTLA3-TRISSISRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV25616EDBLL-10CTLA3-TRISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns Automotive 44-Pin TSOP-II T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV25616EDBLL-10CTLA3-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV25616EFBLL-10BLA3ISSISRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV25616EFBLL-10BLA3ISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 4Mb,High-Speed/Low Power,Async w
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV25616EFBLL-10BLA3-TRISSIHigh Speed Asynchronous CMOS Static Ram
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV25616EFBLL-10BLA3-TRISSISRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV25616EFBLL-10BLA3-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 4Mb,High-Speed/Low Power,Async w
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV25616EFBLL-10CTLA3ISSISRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV25616EFBLL-10CTLA3ISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 4Mb,High-Speed/Low Power,Async w
Packaging: Bulk
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV25616EFBLL-10CTLA3-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 4Mb,High-Speed/Low Power,Async w
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV25616EFBLL-10CTLA3-TRISSISRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV2568EDBLL-10BLA3ISSISRAM 2Mb,High-Speed,Async,256K x 8, 8ns/3.3v, or 10ns/2.4v-3.6v, 36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp, ECC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV2568EDBLL-10BLA3ISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 36-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 36-TFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV2568EDBLL-10BLA3ISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA36
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Operating voltage: 2.4...3.6V
Case: TFBGA36
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray; tube
Access time: 10ns
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV2568EDBLL-10BLA3-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 36-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 36-TFBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV2568EDBLL-10BLA3-TRISSISRAM 2Mb,High-Speed,Async,256K x 8, 8ns/3.3v, or 10ns/2.4v-3.6v, 36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp, ECC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV2568EDBLL-10CTLA3ISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Operating voltage: 2.4...3.6V
Case: TSOP44 II
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray; tube
Access time: 10ns
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV2568EDBLL-10CTLA3ISSISRAM 2Mb,High-Speed,Async,256K x 8, 8ns/3.3v, or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp, ECC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV2568EDBLL-10CTLA3ISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 270 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV2568EDBLL-10CTLA3-TRISSISRAM 2Mb,High-Speed,Async,256K x 8, 8ns/3.3v, or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp, ECC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV2568EDBLL-10CTLA3-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV3216BLL-15CTLA3ISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 512KBIT PAR 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 15 ns
Memory Organization: 32K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 405 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV3216BLL-15CTLA3ISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 512kbSRAM; 32kx16bit; 3.3V; 12ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 512kb SRAM
Memory organisation: 32kx16bit
Operating voltage: 3.3V
Access time: 12ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: in-tray; tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV3216BLL-15CTLA3ISSISRAM 512Kb (32Kx16) Async SRAM
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.28 EUR
10+20.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV3216BLL-15CTLA3ISSISRAM Chip Async Single 3.3V 512K-bit 32K x 16 15ns Automotive AEC-Q100 44-Pin TSOP-II
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV3216BLL-15CTLA3-TRISSISRAM 512Kb (32Kx16) Async SRAM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV3216BLL-15CTLA3-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 512KBIT PAR 44TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 15 ns
Memory Organization: 32K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV51216BLL-10CTLA3ISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns Automotive AEC-Q100 44-Pin TSOP-II
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+34.06 EUR
10+30.49 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV51216BLL-10CTLA3ISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV51216BLL-10CTLA3ISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns Automotive AEC-Q100 44-Pin TSOP-II
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+34.06 EUR
10+31.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV51216BLL-10CTLA3ISSISRAM 8M (512Kx16) 10ns Async SRAM
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+59.5 EUR
10+58.56 EUR
100+50.21 EUR
270+33.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV51216BLL-10CTLA3-TRISSISRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV51216BLL-10CTLA3-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV51216BLL-10MA3ISSISRAM 8M (512Kx16) 10ns Async SRAM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV51216BLL-10MA3ISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT 10NS 48MINIBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 220 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV51216BLL-10MA3-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48MINIBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-miniBGA (9x11)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV51216BLL-10MA3-TRISSISRAM 8M (512Kx16) 10ns Async SRAM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV51216BLL-10MLA3ISSISRAM 8M (512Kx16) 10ns Async SRAM
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+63.19 EUR
10+58.5 EUR
25+56.66 EUR
50+55.25 EUR
100+53.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV51216BLL-10MLA3ISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT 10NS 48MINIBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 220 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV51216BLL-10MLA3-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48MINIBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-miniBGA (9x11)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV51216BLL-10MLA3-TRISSISRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS, Automotive temp
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV51216EDBLL-10BLA3ISSISRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV51216EDBLL-10BLA3ISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns Automotive AEC-Q100 48-Pin TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV51216EDBLL-10BLA3ISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV51216EDBLL-10BLA3-TRISSISRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV51216EDBLL-10BLA3-TRISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns Automotive AEC-Q100 48-Pin TFBGA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV51216EDBLL-10BLA3-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV51216EDBLL-10CTA3ISSIМікросхеми пам'яті
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV51216EDBLL-10CTLA3ISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV51216EDBLL-10CTLA3ISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns Automotive AEC-Q100 44-Pin TSOP-II
auf Bestellung 311 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+31.78 EUR
10+28.13 EUR
25+26.64 EUR
100+22.67 EUR
270+21.43 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV51216EDBLL-10CTLA3ISSISRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+56.8 EUR
10+52.61 EUR
25+50.93 EUR
50+49.69 EUR
100+38.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV51216EDBLL-10CTLA3ISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns Automotive AEC-Q100 44-Pin TSOP-II
auf Bestellung 311 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+31.78 EUR
10+28.75 EUR
25+27.67 EUR
100+23.94 EUR
270+23.22 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV51216EDBLL-10CTLA3-TRISSISRAM Chip Async Single 8M-bit
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV51216EDBLL-10CTLA3-TRISSISRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV51216EDBLL-10CTLA3-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MB 10NS 44TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV51216EEBLL-10B2LA3ISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PAR
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Grade: Automotive
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 512K x 16
Qualification: AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV51216EEBLL-10B2LA3ISSISRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 Pins, RoHS, Automotive temp
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV51216EEBLL-10B2LA3-TRISSISRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 Pins, RoHS, Automotive temp
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV51216EEBLL-10B2LA3-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Grade: Automotive
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 512K x 16
Qualification: AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV51216EEBLL-10BLA3ISSISRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV51216EEBLL-10BLA3ISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8Mb,High-Speed/Low Power,Async w
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Grade: Automotive
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 512K x 16
Qualification: AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV51216EEBLL-10BLA3ISSI512Kx16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS STATIC RAM with ECC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV51216EEBLL-10BLA3-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8Mb,High-Speed/Low Power,Async w
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Grade: Automotive
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 512K x 16
Qualification: AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV51216EEBLL-10BLA3-TRISSISRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV51216EEBLL-10CT2LA3ISSISRAM 8Mb 512Kx16 10ns LP Async SRAM A-Temp
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+53.35 EUR
10+49.41 EUR
25+47.84 EUR
50+46.66 EUR
96+30.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV51216EEBLL-10CT2LA3ISSISRAM Chip Async Dual 2.5V/3.3V 16M-bit 512K x 16 10ns Automotive AEC-Q100 48-Pin TSOP-I
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV51216EEBLL-10CT2LA3ISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8Mb,High-Speed/Low Power,Async w
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TSOP I
Grade: Automotive
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 512K x 16
Qualification: AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV51216EEBLL-10CT2LA3-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8Mb,High-Speed/Low Power,Async w
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TSOP I
Grade: Automotive
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 512K x 16
Qualification: AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV51216EEBLL-10CT2LA3-TRISSISRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v, 48 Pin TSOP I, ERR1/2 Pins, RoHS, Auto temp
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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