Produkte > S29
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| S29GL512S10TFI013 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32M x 16 Access Time: 100 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Part Status: Active Supplier Device Package: 56-TSOP Memory Format: FLASH Technology: FLASH - NOR Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 512Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| S29GL512S10TFI013 | Infineon Technologies | NOR Flash 512MB 3V 100ns Parallel NOR Flash | auf Bestellung 1100 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| S29GL512S10TFI013 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; TSOP56 Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 512Mb FLASH Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Access time: 100ns Case: TSOP56 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| S29GL512S10TFI013 | INFINEON | Description: INFINEON - S29GL512S10TFI013 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, Parallel, TSOP, 56 Pin(s) tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 512Mbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 100ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 56Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 966 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| S29GL512S10TFI020 | Infineon Technologies | NOR Flash 512Mb 3V 100ns Parallel NOR Flash | auf Bestellung 890 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| S29GL512S10TFI020 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 100ns 56-Pin TSOP Tray | auf Bestellung 447 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| S29GL512S10TFI020 | Cypress Semiconductor | MEMORY, FLASH, 512MB, 3V, 56TSOP Мікропроцесори, мікроконтролери | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| S29GL512S10TFI020 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 100ns 56-Pin TSOP Tray | auf Bestellung 447 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| S29GL512S10TFI020 | Cypress / Spansion | NOR Flash 512Mb 3V 100ns Parallel NOR Flash | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| S29GL512S10TFI020 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; TSOP56; in-tray Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 512Mb FLASH Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Access time: 100ns Case: TSOP56 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 910 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| S29GL512S10TFI020 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 100ns 56-Pin TSOP Tray | auf Bestellung 1807 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| S29GL512S10TFI020 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 100ns 56-Pin TSOP Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 910 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| S29GL512S10TFI020 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP DigiKey Programmable: Not Verified Packaging: Tray Memory Organization: 32M x 16 Access Time: 100 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Part Status: Active Supplier Device Package: 56-TSOP Memory Format: FLASH Technology: FLASH - NOR Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 512Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) | auf Bestellung 364 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| S29GL512S10TFI023 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 100ns 56-Pin TSOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| S29GL512S10TFI023 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; TSOP56 Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 512Mb FLASH Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Access time: 100ns Case: TSOP56 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| S29GL512S10TFI023 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32M x 16 Access Time: 100 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Part Status: Active Supplier Device Package: 56-TSOP Memory Format: FLASH Technology: FLASH - NOR Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 512Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| S29GL512S10TFI023 | Infineon Technologies | NOR Flash PNOR | auf Bestellung 399 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| S29GL512S10TFI023 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 100ns 56-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| S29GL512S10TFI023 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32M x 16 Access Time: 100 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Part Status: Active Supplier Device Package: 56-TSOP Memory Format: FLASH Technology: FLASH - NOR Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 512Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| S29GL512S10TFI023 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Nor | auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHA010 | Infineon Technologies | NOR Flash IC 512 Mb FLASH MEMORY | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHA010 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32M x 16 Access Time: 110 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Part Status: Active Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Memory Format: FLASH Technology: FLASH - NOR Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 512Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 64-LBGA Packaging: Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHA010 | Cypress Semiconductor | NOR Flash IC 512 Mb FLASH MEMORY | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHA013 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive Memory Size: 512Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 64-LBGA Packaging: Tape & Reel (TR) DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32M x 16 Access Time: 110 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Part Status: Active Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Memory Format: FLASH Technology: FLASH - NOR Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHA013 | Cypress Semiconductor | NOR Flash IC 512M FLASH MEMORY | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHA020 | Infineon Technologies | NOR Flash PNOR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHA020 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Nor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHA020 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns Automotive 64-Pin Fortified BGA Tray | auf Bestellung 2600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| S29GL512S11DHA020 | Spansion | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Packaging: Bulk Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Grade: Automotive Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 110 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 | auf Bestellung 6386 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| S29GL512S11DHA023 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32M x 16 Access Time: 110 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Part Status: Active Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Memory Format: FLASH Technology: FLASH - NOR Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 512Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 64-LBGA Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2102 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| S29GL512S11DHA023 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32M x 16 Access Time: 110 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Part Status: Active Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Memory Format: FLASH Technology: FLASH - NOR Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 512Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 64-LBGA Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHA023 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Nor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHAV10 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Nor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHAV10 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA DigiKey Programmable: Not Verified Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 512Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 64-LBGA Packaging: Tray Memory Organization: 32M x 16 Access Time: 110 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Part Status: Active Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Memory Format: FLASH Technology: FLASH - NOR Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHAV23 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Memory Format: FLASH Technology: FLASH - NOR Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 512Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 64-LBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Memory Organization: 32M x 16 Access Time: 110 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Part Status: Active Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHAV23 | Infineon Technologies | NOR Flash PNOR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHAV23 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Nor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHB010 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Nor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHB010 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray Automotive AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHB010 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns Automotive AEC-Q100 64-Pin Fortified BGA Tray | auf Bestellung 6760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| S29GL512S11DHB010 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns Automotive 64-Pin Fortified BGA Tray | auf Bestellung 540 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| S29GL512S11DHB010 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray Automotive AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHB010 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray Automotive AEC-Q100 | auf Bestellung 311 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| S29GL512S11DHB010 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 512Mb FLASH Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Access time: 110ns Case: BGA64 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...105°C Kind of package: in-tray Application: automotive | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHB010 | Infineon Technologies | NOR Flash PNOR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHB010 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray Automotive AEC-Q100 | auf Bestellung 4680 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| S29GL512S11DHB010 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray Automotive AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHB010 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32M x 16 Access Time: 110 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Part Status: Active Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Memory Format: FLASH Technology: FLASH - NOR Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 512Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 64-LBGA Packaging: Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHB010 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray Automotive AEC-Q100 | auf Bestellung 4680 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| S29GL512S11DHB013 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Nor | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHB013 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Memory Organization: 32M x 16 Access Time: 110 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Part Status: Active Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Memory Format: FLASH Technology: FLASH - NOR Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive DigiKey Programmable: Not Verified Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 512Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 64-LBGA Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHB020 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Packaging: Tray Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 110 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 260 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| S29GL512S11DHB020 | Infineon Technologies | NOR Flash PNOR | auf Bestellung 315 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| S29GL512S11DHB020 | Spansion | Description: FLASH, 64MX8, 110NS, PBGA64 | auf Bestellung 4806 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| S29GL512S11DHB020 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Nor | auf Bestellung 372 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| S29GL512S11DHB023 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Nor | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHB023 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 110 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHI010 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHI010 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 512Mb FLASH Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Access time: 110ns Case: BGA64 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray Output voltage: 2.7...3.6V DC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHI010 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray | auf Bestellung 2340 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| S29GL512S11DHI010 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray | auf Bestellung 157 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| S29GL512S11DHI010 | Infineon Technologies | NOR Flash 512 MBIT 3V 110NS Parallel NOR Flash | auf Bestellung 1177 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| S29GL512S11DHI010 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray | auf Bestellung 462 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| S29GL512S11DHI010 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32M x 16 Access Time: 110 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Part Status: Active Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Memory Format: FLASH Technology: FLASH - NOR Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 512Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 64-LBGA Packaging: Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHI010 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray | auf Bestellung 462 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| S29GL512S11DHI020 | Infineon Technologies | NOR Flash 512 MBIT 3V 110NS Parallel NOR Flash | auf Bestellung 3467 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| S29GL512S11DHI020 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Packaging: Tray Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 110 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHI020 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 260 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHI020 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 512Mb FLASH Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Access time: 110ns Case: BGA64 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray Output voltage: 2.7...3.6V DC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHI020 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray | auf Bestellung 132 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| S29GL512S11DHI023 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 512Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 64-LBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Memory Organization: 32M x 16 Access Time: 110 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Part Status: Active Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Memory Format: FLASH Technology: FLASH - NOR DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHI023 | Infineon Technologies | NOR Flash PNOR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHI023 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 512Mb FLASH Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Access time: 110ns Case: BGA64 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Output voltage: 2.7...3.6V DC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHI023 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Nor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHIV10 | Infineon Technologies | NOR Flash 512 MBIT 3V 110NS Parallel NOR Flash | auf Bestellung 233 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| S29GL512S11DHIV10 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 512Mb FLASH Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Access time: 110ns Case: BGA64 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray Output voltage: 1.65...3.6V DC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHIV10 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray | auf Bestellung 268 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| S29GL512S11DHIV10 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray | auf Bestellung 268 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| S29GL512S11DHIV10 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray | auf Bestellung 968 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| S29GL512S11DHIV10 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Packaging: Tray Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 110 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 520 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| S29GL512S11DHIV10 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHIV10 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| S29GL512S11DHIV13 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Part Status: Active Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Memory Format: FLASH Technology: FLASH - NOR Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 512Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 64-LBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Memory Organization: 32M x 16 Access Time: 110 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 60ns DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHIV13 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Nor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHIV20 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray | auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| S29GL512S11DHIV20 | Infineon Technologies | NOR Flash 512 MBIT 3V 110NS Parallel NOR Flash | auf Bestellung 1705 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| S29GL512S11DHIV20 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray | auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| S29GL512S11DHIV20 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 512Mb FLASH Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Access time: 110ns Case: BGA64 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray Output voltage: 1.65...3.6V DC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHIV20 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Part Status: Active Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Memory Format: FLASH Technology: FLASH - NOR Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 512Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 64-LBGA Packaging: Tray Memory Organization: 32M x 16 Access Time: 110 ns | auf Bestellung 3745 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| S29GL512S11DHIV23 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 110 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 2200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| S29GL512S11DHIV23 | INFINEON | Description: INFINEON - S29GL512S11DHIV23 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, Parallel, FBGA, 64 Pin(s) tariffCode: 85423290 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit Zugriffszeit: 110ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 64Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.1.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit | auf Bestellung 2134 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| S29GL512S11DHIV23 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 512Mb FLASH Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Access time: 110ns Case: BGA64 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Output voltage: 1.65...3.6V DC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHIV23 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 110 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 2200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| S29GL512S11DHIV23 | INFINEON | Description: INFINEON - S29GL512S11DHIV23 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, Parallel, FBGA, 64 Pin(s) tariffCode: 85423290 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit Zugriffszeit: 110ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 64Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.1.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit | auf Bestellung 2134 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| S29GL512S11DHIV23 | Infineon Technologies | NOR Flash PNOR | auf Bestellung 1763 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| S29GL512S11DHSS10 | Infineon Technologies | NOR Flash Nor | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHSS10 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32M x 16 Access Time: 110 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Part Status: Active Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Memory Format: FLASH Technology: FLASH - NOR Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 512Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 64-LBGA Packaging: Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHSS20 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Nor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHSS20 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32M x 16 Access Time: 110 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Part Status: Active Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Memory Format: FLASH Technology: FLASH - NOR Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 512Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 64-LBGA Packaging: Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHSS20 | Infineon Technologies | NOR Flash PNOR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |