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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2SK3633(F)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.48 EUR
100+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
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2SK3633(F)ToshibaMOSFETs
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2SK3634Renesas ElectronicsMOSFET
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2SK3634
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK3634-AYRenesas ElectronicsMOSFET
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2SK3634-AZRenesas ElectronicsMOSFET
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2SK3634-AZRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 200V 6A TO251
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
auf Bestellung 2971 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
245+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 245 Stücke
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2SK3634-Z-AZNEC CorporationDescription: 6A, 200V, N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Part Status: Active
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
auf Bestellung 7383 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
226+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 226 Stücke
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2SK3634-Z-AZRenesas ElectronicsRenesas Electronics
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2SK3634-Z-E1-AZRenesas ElectronicsMOSFET
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2SK3634-Z-E1-AZRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 200V 6A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3Z)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
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2SK3634-Z-E2-AZRenesas ElectronicsRenesas Electronics
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2SK3635Renesas ElectronicsMOSFET
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2SK3635-AYRenesas ElectronicsMOSFET
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2SK3635-AZRenesas ElectronicsMOSFET
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2SK3635-Z-AZRenesas ElectronicsRenesas Electronics
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2SK3635-Z-AZRenesas Electronics CorporationDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 1058 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
173+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 173 Stücke
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2SK3635-Z-AZNEC04+
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK3635-Z-E1-AZRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 200V 8A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3Z)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 10 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
173+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 173 Stücke
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2SK3635-Z-E1-AZRenesas ElectronicsMOSFET
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2SK3635-Z-E2-AZRenesas ElectronicsMOSFET
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2SK3638NEC04+
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK3638-ZK-E1
auf Bestellung 4100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK363905+ TO252
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK3639-ZK-E1
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK3639-ZK-E1/JMNECTO252
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK364
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK3640-ZK00082Renesas ElectronicsRenesas Electronics
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2SK3640-ZK00083Renesas ElectronicsRenesas Electronics
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2SK3641-ZK00084Renesas ElectronicsRenesas Electronics
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2SK3641-ZK00085Renesas ElectronicsRenesas Electronics
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2SK3642-ZK-E1-AZRenesas ElectronicsRenesas Electronics
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2SK3642-ZK00086Renesas ElectronicsRenesas Electronics
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2SK3643-ZK-E1-AZRenesas ElectronicsMOSFET
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2SK3643-ZK00088Renesas ElectronicsRenesas Electronics
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2SK3643-ZK00089Renesas ElectronicsRenesas Electronics
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2SK365TOSHIBA
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK365-BLTO92
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK3653
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK3653BNEC09+
auf Bestellung 753036 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK3653B-T1NEC08+ SOT-523
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK3654W-S17-AYRenesasDescription: 2SK3654 - Nch Single Power Mosfe
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
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2SK3654W-S17-AYRenesas2SK3654W-S17-AY
auf Bestellung 29000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
230+2.88 EUR
500+2.69 EUR
1000+2.48 EUR
10000+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 230 Stücke
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2SK3656TOSHIBA09+
auf Bestellung 30068 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK3659-AZRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 20V 65A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V
auf Bestellung 979 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
174+3.18 EUR
Mindestbestellmenge: 174 Stücke
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2SK366
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK3662Toshiba
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2SK3662(F)ToshibaMOSFET Pb-F 220NIS2 UMOS,ACTIVE,
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2SK3662(F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220NIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3663
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3663(0)-T1-ARenesas ElectronicsMOSFET
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2SK3663-T1NECSOT23/SOT323
auf Bestellung 1780 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3663-T1-ANEC08+ LQFP100
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3663-T1-ARenesas ElectronicsMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3663-T2-ARenesas ElectronicsMOSFET
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2SK3664
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3664-T1-ARenesas ElectronicsMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3664-T2-ARenesas ElectronicsMOSFET
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2SK3664T1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK3666SANYO09+
auf Bestellung 12018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK3666onsemiJFET NCH J-FET
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2SK3666-2-TB-EON SemiconductorTrans JFET N-CH 30V 10mA 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 87423 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4902+0.13 EUR
10000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4902 Stücke
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2SK3666-2-TB-EonsemiJFETs SWITCHING DEVICE
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2SK3666-2-TB-EonsemiDescription: JFET NCH 30V 200MW 3CP
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 428982 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3256+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3256 Stücke
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2SK3666-2-TB-EON SemiconductorTrans JFET N-CH 30V 10mA 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 21161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4902+0.13 EUR
10000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4902 Stücke
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2SK3666-2-TB-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SK3666-2-TB-E - TRANSISTOR, JFET, N-CH, -0.95V, SOT-23
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 184059 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3666-2-TB-EON-SemiconductorJFET N-Channel 10mA 200mW Surface Mount 3-CP 2SK3666-3-TB-E SOT23-3 T2SK3666-3-tb-e
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3666-2-TB-EON SemiconductorTrans JFET N-CH 30V 10mA 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 161392 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4902+0.13 EUR
10000+0.12 EUR
100000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 4902 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3666-2-TB-EonsemiDescription: JFET NCH 30V 200MW 3CP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3666-2-TB-EON SemiconductorTrans JFET N-CH 30V 10mA 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 159000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4902+0.13 EUR
10000+0.12 EUR
100000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 4902 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3666-3-TB-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SK3666-3-TB-E - JFET-Transistor, 3 mA, -2.2 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 3mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -2.2V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 814520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3666-3-TB-EON SemiconductorTrans JFET N-CH 30V 10mA 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 38989 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2416+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 2416 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3666-3-TB-EonsemiDescription: JFET N-CH 10MA SMCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
Current Drain (Id) - Max: 10 mA
Supplier Device Package: SMCP
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 200 mW
Resistance - RDS(On): 200 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 180 mV @ 1 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3666-3-TB-EON SemiconductorTrans JFET N-CH 30V 10mA 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 38989 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2416+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 2416 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3666-3-TB-EON SemiconductorTrans JFET N-CH 30V 10mA 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 708454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4244+0.15 EUR
10000+0.13 EUR
100000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4244 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3666-3-TB-EON SemiconductorJFET SWITCHING DEVICE
auf Bestellung 5502 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3666-4-TB-EonsemiDescription: JFET N-CH 30V 10MA SMCP
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.5 mA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 180 mV @ 1 µA
Resistance - RDS(On): 200 Ohms
Power - Max: 200 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SMCP
Current Drain (Id) - Max: 10 mA
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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2SK3667
Produktcode: 45516
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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 7,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Montage: THT
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2SK3667ToshibaMOSFETs N-Ch 600V 7.5A Rdson 1 Ohm
Produkt ist nicht verfügbar
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2SK3667 (Q)ToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3667(LBS1LG1,QMToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3667(Q)ToshibaMOSFET Pb-FF TO-220SIS,ACTIVE,
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3667(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS T/R
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3667(Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220SIS
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2SK3667(Q,M)ToshibaMOSFET MOSFET N-Ch, 600V, 7.5A
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2SK3667,LS1MAT1Q(JToshibaMOSFET
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2SK3668-ZK-E1-AYRenesas ElectronicsRenesas Electronics
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2SK3668-ZK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
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2SK3668-ZK-E2-AYRenesas ElectronicsRenesas Electronics
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2SK3669ToshibaArray
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2SK3669(T6L1S-OLNQToshibaToshiba
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2SK3669(T6L1SOY1NQToshibaMOSFET
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2SK3669(TE16L1,NQ)ToshibaMOSFET Pb-FF PW-MOLD,ACTIVE,
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2SK3669(TE16L1,NQ)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 10A PW-MOLD
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2SK3669(TE16L1NQ)ToshibaMOSFET
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