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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SIDHP-FS2715E-100MSuntsu Electronics, Inc.Description: FIXED IND 10uH SMD 32A 1.65MOHM
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 1.098" L x 0.776" W (27.90mm x 19.70mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 1.65mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 23A
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.606" (15.40mm)
Part Status: Active
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 32 A
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.02 EUR
10+6.91 EUR
50+6.7 EUR
100+6.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDHP-FS2715E-2R2MSuntsu Electronics, Inc.Description: FIXED IND 2.2uH SMD 32A 1.65MOHM
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 1.098" L x 0.776" W (27.90mm x 19.70mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 1.65mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 100A
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.606" (15.40mm)
Part Status: Active
Inductance: 2.2 µH
Current Rating (Amps): 32 A
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.02 EUR
10+6.91 EUR
50+6.7 EUR
100+6.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDHP-FS2818F-100MSuntsu Electronics, IncDescription: FIXED IND 10uH SMD 33A 2.58MOHM
Shielding: Unshielded
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 1.102" L x 0.776" W (28.00mm x 19.70mm)
Package / Case: Nonstandard
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 30 A
Inductance: 10 µH
Height - Seated (Max): 0.728" (18.50mm)
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Current - Saturation (Isat): 33A
DC Resistance (DCR): 2.58mOhm Max
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Type: Wirewound
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.18 EUR
10+6.08 EUR
50+5.89 EUR
100+5.71 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDHP-FS2818F-220MSuntsu Electronics, IncDescription: FIXED IND 22uH SMD 30A 2.58MOHM
Inductance: 22 µH
Height - Seated (Max): 0.728" (18.50mm)
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Current - Saturation (Isat): 15A
DC Resistance (DCR): 2.58mOhm Max
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Type: Wirewound
Shielding: Unshielded
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 1.102" L x 0.776" W (28.00mm x 19.70mm)
Package / Case: Nonstandard
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 30 A
auf Bestellung 319 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.18 EUR
10+6.08 EUR
50+5.89 EUR
100+5.71 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDMP-SP0420-1R0MSuntsu Electronics, Inc.Description: FIXED IND 1UH 6.2A 27MOHM SMD
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.173" L x 0.165" W (4.40mm x 4.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Molded
DC Resistance (DCR): 27mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 9A
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.079" (2.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 1 µH
Current Rating (Amps): 6.2 A
auf Bestellung 7984 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.34 EUR
19+1.15 EUR
50+0.92 EUR
100+0.82 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDMP-SP0420-2R2MSuntsu Electronics, IncDescription: FIXED IND 2.2UH SMD 4.0A 65MOHM
DC Resistance (DCR): 65mOhm Max
Type: Molded
Shielding: Shielded
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.173" L x 0.165" W (4.40mm x 4.20mm)
Package / Case: Nonstandard
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 4 A
Inductance: 2.2 µH
Height - Seated (Max): 0.079" (2.00mm)
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Current - Saturation (Isat): 5A
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.34 EUR
18+1.17 EUR
50+0.92 EUR
100+0.84 EUR
500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDMP-SP0420-4R7MSuntsu Electronics, IncDescription: FIXED IND 4.7UH 2.8A 115 MOHM
Packaging: Bulk
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.173" L x 0.165" W (4.40mm x 4.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Molded
DC Resistance (DCR): 115mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 3.3A
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.079" (2.00mm)
Inductance: 4.7 µH
Current Rating (Amps): 2.8 A
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.24 EUR
20+1.06 EUR
50+0.84 EUR
100+0.76 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDMP-SP0530-2R2MSuntsu Electronics, Inc.Description: FIXED IND 2.2UH SMD 5.9A 29MOHM
Current Rating (Amps): 5.9 A
Inductance: 2.2 µH
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.118" (3.00mm)
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Current - Saturation (Isat): 9.5A
Type: Molded
Shielding: Shielded
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.213" L x 0.205" W (5.40mm x 5.20mm)
Package / Case: Nonstandard
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
DC Resistance (DCR): 29mOhm Max
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.99 EUR
25+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDMP-SP0530-4R7MSuntsu Electronics, IncDescription: FIXED IND 4.7UH SMD 4.1A 60MOHM
Current Rating (Amps): 4.1 A
Inductance: 4.7 µH
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.118" (3.00mm)
DC Resistance (DCR): 60mOhm Max
Type: Molded
Shielding: Shielded
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.213" L x 0.205" W (5.40mm x 5.20mm)
Package / Case: Nonstandard
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Current - Saturation (Isat): 5A
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.94 EUR
27+0.8 EUR
50+0.64 EUR
100+0.58 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDMP-SP0730-100MSuntsu Electronics, Inc.Description: FIXED IND 10UH SMD 4.2A 75MOHM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.09 EUR
11+1.94 EUR
50+1.49 EUR
100+1.39 EUR
500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDMP-SP0730-3R3MSuntsu Electronics, Inc.Description: FIXED IND 3.3UH SMD 7.8A 22MOHM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.09 EUR
23+0.94 EUR
50+0.74 EUR
100+0.68 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDMP-SP0730-4R7MSuntsu Electronics, Inc.Description: FIXED IND 4.7UH SMD 5.0A 40MOHM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.09 EUR
23+0.94 EUR
50+0.74 EUR
100+0.68 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDMP-SP0730-5R6MSuntsu Electronics, Inc.Description: FIXED IND 5.6UH SMD 5.3A 42MOHM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.01 EUR
12+1.75 EUR
50+1.37 EUR
100+1.25 EUR
500+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDMP-SP0740-100MSuntsu Electronics, Inc.Description: FIXED IND 10UH SMD 4.8A 65MOHM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.12 EUR
50+1.64 EUR
100+1.52 EUR
500+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDMP-SP1040-100MSuntsu Electronics, Inc.Description: FIXED IND 10UH SMD 6.9A 30MOHM
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.18 EUR
11+2.02 EUR
50+1.54 EUR
100+1.45 EUR
500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDMP-SP1040-220MSuntsu Electronics, IncDescription: FIXED IND 20UH SMD 4.7A 66MOHM
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.453" L x 0.394" W (11.50mm x 10.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Molded
DC Resistance (DCR): 66mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 6A
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.157" (4.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 22 µH
Current Rating (Amps): 4.7 A
auf Bestellung 4795 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.95 EUR
12+1.81 EUR
50+1.38 EUR
100+1.3 EUR
500+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDMP-SP1040-2R2MSuntsu Electronics, Inc.Description: FIXED IND 2.2UH SMD 13.2A 8MOHM
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.14 EUR
12+1.88 EUR
50+1.48 EUR
100+1.33 EUR
500+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDO0236
auf Bestellung 44050 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDO0237
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDO0278-2
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDO02782SILICONI
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDO0279-2
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDO02792SILICONI
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDPC01QTelemecaniqueProximity Sensors - Industrial VIRTU SENSOR ULTRASONIC PROXIMITY
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR104ADP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 100 V
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.7 EUR
10+4.32 EUR
100+3.06 EUR
500+2.49 EUR
3000+2.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR104ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR104ADP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 81A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 81A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 100W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR104ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 50 V
auf Bestellung 1565 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.93 EUR
10+3.86 EUR
100+2.68 EUR
500+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR104AEP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR104AEP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90.5 A, 6100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 120W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
auf Bestellung 1946 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.5 EUR
38+6.13 EUR
100+4.18 EUR
500+3.56 EUR
1000+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR104AEP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.1A (Ta), 90.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 8003 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.28 EUR
10+4.8 EUR
100+3.37 EUR
500+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR104AEP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR104AEP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90.5 A, 6100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 120W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 120W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0049ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
auf Bestellung 1946 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.18 EUR
500+3.56 EUR
1000+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR104AEP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.1A (Ta), 90.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR104AEP-T1-RE3VishayMOSFETs SOT669 100V 90.5A N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR140DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 25V Vds 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8DC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR140DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 79A/100A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR140DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 79A/100A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR140DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR140DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.00054 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 540µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+3.27 EUR
79+2.95 EUR
82+2.63 EUR
100+2.46 EUR
500+2.25 EUR
1000+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR140DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.15 EUR
10+4.01 EUR
100+2.8 EUR
500+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR140DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR140DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.00054 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 540µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.46 EUR
500+2.25 EUR
1000+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR140DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAKSO8 N-CH 25V 79A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR140DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR170DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO-DC EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR170DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 7936 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.97 EUR
10+3.88 EUR
100+2.7 EUR
500+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR170DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO-DC EP T/R
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR170DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT669 100V 95A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2545 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.41 EUR
10+4.88 EUR
100+3.42 EUR
500+2.84 EUR
3000+2.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR170DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR170DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 4800 µohm, PowerPAK SO-DC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-DC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
auf Bestellung 1068 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.83 EUR
500+3.21 EUR
1000+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR170DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO-DC EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR170DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 50 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR170DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR170DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 4800 µohm, PowerPAK SO-DC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-DC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
auf Bestellung 1068 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.72 EUR
40+5.94 EUR
100+3.83 EUR
500+3.21 EUR
1000+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR220DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR220DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 480 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 480µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.05 EUR
58+4.01 EUR
63+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR220DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 87.7A/100A PPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87.7A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR220DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR220DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 480 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 125
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480
Qualifikation: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR220DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 87.7A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87.7A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 10 V
auf Bestellung 5973 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.33 EUR
10+4.13 EUR
100+2.88 EUR
500+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR220DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8DC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR220DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87.7A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.28 EUR
10+4.11 EUR
100+2.86 EUR
500+2.33 EUR
1000+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR220DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR220DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.00048 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.62 EUR
500+2.38 EUR
1000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR220DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 100A; Idm: 500A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 125W
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 820µΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 200nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR220DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87.7A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR220DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAKSO8 N-CH 25V 87.7A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR220DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR220DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.00048 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+3.45 EUR
75+3.11 EUR
78+2.76 EUR
100+2.62 EUR
500+2.38 EUR
1000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR220EP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR220EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 415 A, 0.00048 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 415A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00048ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+7.9 EUR
34+7.01 EUR
100+4.9 EUR
500+4.09 EUR
1000+3.67 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR220EP-T1-RE3VishayMOSFETs PPAKSO8 N-CH 25V 92.8A
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.13 EUR
10+5.89 EUR
100+4.32 EUR
500+3.77 EUR
3000+3.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR220EP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 25 V (D-S) 175C MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 415W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92.8A (Ta), 415A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5898 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.83 EUR
10+5.16 EUR
100+3.64 EUR
500+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR220EP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR220EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 415 A, 0.00048 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 415A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 480µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00048ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.9 EUR
500+4.09 EUR
1000+3.67 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR220EP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 25 V (D-S) 175C MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 415W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92.8A (Ta), 415A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR390DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR390DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 650 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR390DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 69.9A/100A PPAK
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69.9A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10180 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.81 EUR
10+3.77 EUR
100+2.62 EUR
500+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR390DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR390DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 650 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 125
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR390DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.77 EUR
10+5.09 EUR
100+3.61 EUR
500+3.01 EUR
3000+2.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR390DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 69.9A/100A PPAK
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69.9A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10180 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR390DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 69.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR390DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.15mΩ
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Pulsed drain current: 400A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 153nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR390DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 69.9A/100A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10180 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69.9A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR390DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAKSO8 N-CH 30V 69.9A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR390DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 69.9A/100A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10180 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69.9A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR392DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 82A/100A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.62mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9530 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR392DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR392DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 620 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 873 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.21 EUR
500+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR392DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 82A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+3.58 EUR
55+2.94 EUR
57+2.76 EUR
100+2.21 EUR
250+2.09 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.61 EUR
3000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR392DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 82A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.62mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9530 pF @ 15 V
auf Bestellung 5763 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.18 EUR
10+4.05 EUR
100+2.81 EUR
500+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR392DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR392DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 620 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 873 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.52 EUR
47+4.99 EUR
100+3.21 EUR
500+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR392DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
auf Bestellung 1069 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8 EUR
10+5.28 EUR
100+3.71 EUR
500+3.17 EUR
3000+3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR392DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR392DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 620 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 5041 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5 EUR
70+3.32 EUR
100+2.4 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.73 EUR
5000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR392DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9530 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.62mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR392DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAKSO8 N-CH 30V 82A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR392DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR392DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 620 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 5041 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.4 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.73 EUR
5000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR392DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.62mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9530 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
auf Bestellung 1068 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.22 EUR
10+4.76 EUR
100+3.34 EUR
500+2.74 EUR
1000+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR402DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 64.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR402DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR402DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 64.6A/100A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64.6A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.9 EUR
10+3.84 EUR
100+2.68 EUR
500+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR402DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR402DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 880 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 9157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+6.25 EUR
55+4.3 EUR
100+2.74 EUR
500+2.23 EUR
1000+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR402DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 64.6A/100A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64.6A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR402DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR402DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 730 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 11429 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.4 EUR
500+2.63 EUR
1000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR402DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64.6A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 12092 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.63 EUR
10+3.65 EUR
100+2.52 EUR
500+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR402DP-T1-RE3VishayMOSFETs PPAKSO8 N-CH 40V 64.6A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR402DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 20 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR402EP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 8771 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.94 EUR
10+4.55 EUR
100+3.17 EUR
500+2.59 EUR
3000+2.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR402EP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40 V (D-S) 175C MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65.2A (Ta), 291A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5897 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.84 EUR
10+3.81 EUR
100+2.64 EUR
500+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR402EP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40 V (D-S) 175C MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65.2A (Ta), 291A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR500EP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30 V (D-S) 175C MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8960 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Ta), 421A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR500EP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR500EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 421 A, 0.00039 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 421A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 390µohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3471 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.65 EUR
41+5.69 EUR
100+4.69 EUR
500+4.61 EUR
1000+4.5 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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