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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI4892DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8SO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4892DY-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4892DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4134DY-T1-GE3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4892DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4134DY-T1-GE3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4892DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8SO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4892DY-TIVishay09+
auf Bestellung 399 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4892DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4894SISOP-8
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4894B
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4894BDY
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4894BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 11198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.01 EUR
10+2.12 EUR
100+1.59 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4894BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4894BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4894BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4894BDY-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 9.5A; Idm: 40A
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 16mΩ
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 9.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 40A
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4894BDY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 12V 1.4W
auf Bestellung 3971 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.58 EUR
10+2.28 EUR
100+1.54 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.11 EUR
2500+0.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4894BDY-T1-E4
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4894BDY-T1-EG3
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4894BDY-T1-GE3VISHAY
auf Bestellung 135500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4894BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.36 EUR
10+2.23 EUR
100+1.51 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4894BDY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 9.5A; Idm: 40A
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 16mΩ
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 9.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 40A
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4894BDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V 12A 2.5W 11mohm @ 10V
auf Bestellung 1502 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.58 EUR
10+2.28 EUR
100+1.54 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.11 EUR
2500+1 EUR
5000+0.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4894BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4894BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4894BDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4894BDY-T1-GE3 - N CHANNEL MOSFET, 30V, 12A
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4894BDYT1E3VISHAY
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4894D
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4894DYVishay / SiliconixMOSFET 30V 12.5A 3W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4894DYVishaySilicoSO-8
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4894DY-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 12.5A 3W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4894DY-T1Vishay / SiliconixMOSFET 30V 12.5A 3W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4894DY-T1VISHAY0214+
auf Bestellung 42500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4894DY-T1 SOP8VISHAY
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4894DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4894DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 12.5A 3W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4894DY-T1-GE3
auf Bestellung 798200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4894DY-T1SOP-8VISHAY
auf Bestellung 115000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4894DY-T1SOP8SILICONIX
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4894DY-TI
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4894DY-TI-E3VISHAYSOP 05+
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4894DYT1VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4894DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4895DYVISHAY05+
auf Bestellung 1484 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4896SI07+ SOP8
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4896DYVISHAY09+
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4896DY-T1
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4896DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+2.27 EUR
88+1.93 EUR
111+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4896DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4896DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4098 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.53 EUR
10+3.95 EUR
100+2.73 EUR
500+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4896DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 80V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 2569 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.94 EUR
10+3.08 EUR
100+2.48 EUR
250+2.45 EUR
500+2.43 EUR
2500+1.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4896DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+2.27 EUR
88+1.86 EUR
111+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4896DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4896DY-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4896DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4896DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4896DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4896DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 80V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 3091 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.25 EUR
10+2.73 EUR
25+2.7 EUR
100+2.4 EUR
250+2.39 EUR
500+2.37 EUR
2500+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4896DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4896DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 6.7 A, 0.0165 ohm, NSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.56W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: NSOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0135ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 16302 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4896DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4896DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+2.19 EUR
88+1.99 EUR
89+1.92 EUR
100+1.73 EUR
250+1.69 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4896DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4896DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 6.7 A, 0.0165 ohm, NSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: NSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 16259 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI4896DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
auf Bestellung 3752 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.01 EUR
10+3.67 EUR
100+2.81 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SI4896DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4896DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.65 EUR
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SI4896DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+2.19 EUR
88+1.94 EUR
89+1.84 EUR
100+1.63 EUR
250+1.56 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.4 EUR
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SI4896DY-TI-E3
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4896DYT1VISHAYSO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4896DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 5000 Stücke:
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SI4896DY_T1_E3VISHAY0643
auf Bestellung 1367 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI48C-08200Утримувач Sim картки без кришки, 8 контактів та датчик наявності картки HOLDER
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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SI48C-08201Утримувач Sim картки без кришки, 8 контактів та датчик наявності картки, новый штамп HOLDER
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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SI4900
auf Bestellung 1556 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4900DT-T1-E3
auf Bestellung 12500 Stücke:
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SI4900DYVISHAY09+
auf Bestellung 468 Stücke:
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SI4900DY-T1
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4900DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
176+1 EUR
203+0.83 EUR
205+0.8 EUR
207+0.76 EUR
210+0.71 EUR
250+0.68 EUR
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 176 Stücke
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SI4900DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
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SI4900DY-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4900DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
203+0.87 EUR
205+0.84 EUR
207+0.82 EUR
210+0.79 EUR
250+0.76 EUR
500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 203 Stücke
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SI4900DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V 5.3A 3.1W
auf Bestellung 21316 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.22 EUR
10+1.4 EUR
100+1.09 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.9 EUR
2500+0.86 EUR
5000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SI4900DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.22 EUR
11+2.05 EUR
100+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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SI4900DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
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SI4900DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V 5.3A 3.1W 58mohm @ 10V
auf Bestellung 5467 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.12 EUR
10+2.2 EUR
100+1.48 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.07 EUR
2500+1.01 EUR
5000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SI4900DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4900DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4900DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4900DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.046 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 5.3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Produkt ist nicht verfügbar
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SI4900DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4901-B-GL
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4901-GL
auf Bestellung 788 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4902DYVISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4902DY-T1
auf Bestellung 5750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4904-GL
auf Bestellung 1622 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4904DYVishayТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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SI4904DY-T1-E
auf Bestellung 3080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4904DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4904DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 8A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4904DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4904DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 8A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4904DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 16V Vgs SO-8
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.34 EUR
10+3.45 EUR
100+2.39 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.78 EUR
2500+1.75 EUR
5000+1.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4904DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+1.62 EUR
120+1.42 EUR
135+1.21 EUR
500+1.07 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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