Produkte > CY7
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| CY7C1041G30-10ZSXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II Tray | auf Bestellung 1994 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CY7C1041G30-10ZSXI | Infineon Technologies | SRAM CMOS RAM W ECC 4-Mbit | auf Bestellung 3257 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CY7C1041G30-10ZSXI | INFINEON | Description: INFINEON - CY7C1041G30-10ZSXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256Kword x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.2 V tariffCode: 85423245 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 256Kword x 16 Bit | auf Bestellung 1343 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CY7C1041G30-10ZSXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II Tray | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CY7C1041G30-10ZSXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II Tray | auf Bestellung 2690 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CY7C1041G30-10ZSXIT | CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES | Description: CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - CY7C1041G30-10ZSXIT - SRAM, 4 Mbit, 256K x 16bit, 2.2V bis 3.6V, TSOP-II, 44 Pin(s), 10 ns SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CY7C1041G30-10ZSXIT | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CY7C1041G30-10ZSXIT | Infineon Technologies | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CY7C1041G30-10ZSXIT | Infineon Technologies | SRAM ASYNC SRAMS | auf Bestellung 299 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CY7C1041G30-10ZSXIT | CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES | Description: CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - CY7C1041G30-10ZSXIT - SRAM, 4 Mbit, 256K x 16bit, 2.2V bis 3.6V, TSOP-II, 44 Pin(s), 10 ns Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V Speicherkonfiguration SRAM: 256K x 16bit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: 10 Betriebstemperatur, min.: -40 Anzahl der Pins: 44 Speichergröße: 4 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CY7C1041G30-10ZSXIT | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 10ns; TSOP44 II; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 256kx16bit Access time: 10ns Case: TSOP44 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD Supply voltage: 2.2...3.6V DC Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CY7C1041G30-10ZSXIT | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CY7C1041G30-10ZSXIT | Infineon Technologies | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CY7C1041GE-10VXI | Cypress Semiconductor Corp | Description: CY7C1041GE - STANDARD SRAM, 256K Packaging: Bulk Package / Case: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-SOJ Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CY7C1041GE-10VXI | Cypress Semiconductor | SRAM Async SRAMS | auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CY7C1041GE-10VXI | Infineon Technologies | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ Packaging: Tube Package / Case: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-SOJ Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 765 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CY7C1041GE-10VXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 5V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin SOJ Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 765 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CY7C1041GE-10VXIT | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 5V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin SOJ T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CY7C1041GE-10VXIT | Cypress Semiconductor Corp | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CY7C1041GE-10VXIT | Cypress Semiconductor | SRAM Async SRAMS | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CY7C1041GE-10ZSXI | Infineon Technologies | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CY7C1041GE-10ZSXI | Infineon Technologies | SRAM Y | auf Bestellung 296 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CY7C1041GE-10ZSXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 5V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 270 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CY7C1041GE-10ZSXIT | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 5V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CY7C1041GE-10ZSXIT | Infineon Technologies | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CY7C1041GE-10ZSXIT | Infineon Technologies | SRAM Async SRAMS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CY7C1041GE30-10BVXI | Cypress Semiconductor Corp | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CY7C1041GE30-10BVXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin VFBGA Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 480 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CY7C1041GE30-10BVXI | Cypress Semiconductor Corp | Description: IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 480 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CY7C1041GE30-10BVXI | Infineon Technologies | SRAM CMOS RAM W ECC 4-Mbit | auf Bestellung 805 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CY7C1041GE30-10BVXI | Cypress Semiconductor Corp | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CY7C1041GE30-10BVXIT | Infineon Technologies | SRAM Async SRAMS | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CY7C1041GE30-10BVXIT | Infineon Technologies | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 48-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8) Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CY7C1041GE30-10BVXIT | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin VFBGA T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CY7C1041GE30-10VXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin SOJ Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 340 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CY7C1041GE30-10VXI | Infineon Technologies | SRAM Async SRAMS | auf Bestellung 168 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CY7C1041GE30-10VXI | Infineon Technologies | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ Packaging: Tube Package / Case: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-SOJ Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 340 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CY7C1041GE30-10VXIT | Infineon / Cypress | SRAM Async SRAMS | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CY7C1041GE30-10VXIT | Cypress Semiconductor Corp | Description: IC SRAM 4M PARALLEL | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CY7C1041GE30-10VXIT | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin SOJ T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CY7C1041GE30-10ZSXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 675 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CY7C1041GE30-10ZSXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II Tray | auf Bestellung 675 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CY7C1041GE30-10ZSXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 675 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CY7C1041GE30-10ZSXI | INFINEON | Description: INFINEON - CY7C1041GE30-10ZSXI - SRAM, 4MB, 256Kword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, TSOP-II-44 tariffCode: 85423245 euEccn: NLR Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkonfiguration SRAM: 256Kword x 16 Bit isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 4Mbit MSL: - Zugriffszeit: 10ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3.6V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 44Pin(s) Speichergröße: 4Mbit Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, max.: 2.2V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 256Kword x 16 Bit | auf Bestellung 618 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CY7C1041GE30-10ZSXI | Infineon Technologies | SRAM CMOS RAM W ECC 4-Mbit | auf Bestellung 744 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CY7C1041GE30-10ZSXI | Infineon Technologies | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 639 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CY7C1041GE30-10ZSXIES | Cypress Semiconductor | SRAM CMOS RAM W ECC 4-Mbit | auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CY7C1041GE30-10ZSXIT | Infineon Technologies | SRAM Async SRAMS | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CY7C1041GE30-10ZSXIT | Infineon Technologies | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CY7C1041GE30-10ZSXIT | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CY7C1041GE30-10ZSXIT | Infineon Technologies | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CY7C1041GN-10VXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 5V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin SOJ Tube | auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 12 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CY7C1041GN-10VXI Produktcode: 186570
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| IC > IC Speicher | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| CY7C1041GN-10VXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 5V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin SOJ Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 850 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CY7C1041GN-10VXI | Infineon Technologies | SRAM ASYNC SRAMS | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 850 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CY7C1041GN-10VXI | Infineon Technologies | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 256K x 16 Access Time: 10 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Supplier Device Package: 44-SOJ Memory Format: SRAM Technology: SRAM - Asynchronous Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 850 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CY7C1041GN-10VXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 5V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin SOJ Tube | auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CY7C1041GN-10VXIT | Infineon Technologies | SRAM ASYNC SRAMS | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CY7C1041GN-10VXIT | Infineon Technologies | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-SOJ Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CY7C1041GN-10VXIT | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 5V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin SOJ T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CY7C1041GN-10ZSXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 5V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 675 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CY7C1041GN-10ZSXI | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 4.5÷5.5V; 10ns; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 256kx16bit Operating voltage: 4.5...5.5V Access time: 10ns Case: TSOP44 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CY7C1041GN-10ZSXI | Infineon | SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mbit Parallel 10 ns 44-TSOP II Мікросхеми пам'яті | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CY7C1041GN-10ZSXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 5V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II Tray | auf Bestellung 294 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CY7C1041GN-10ZSXI | INFINEON | Description: INFINEON - CY7C1041GN-10ZSXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256Kword x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 4.5 V tariffCode: 85423245 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 256Kword x 16 Bit | auf Bestellung 272 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CY7C1041GN-10ZSXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 5V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 675 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CY7C1041GN-10ZSXI | Infineon Technologies | SRAM ASYNC | auf Bestellung 740 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CY7C1041GN-10ZSXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 5V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II Tray | auf Bestellung 670 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CY7C1041GN-10ZSXI | Infineon Technologies | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 752 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CY7C1041GN-10ZSXIT | Infineon Technologies | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 3824 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CY7C1041GN-10ZSXIT | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 5V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CY7C1041GN-10ZSXIT | Infineon Technologies | SRAM ASYNC SRAMS | auf Bestellung 1474 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CY7C1041GN-10ZSXIT | Infineon Technologies | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CY7C1041GN-10ZSXIT | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 5V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CY7C1041GN-10ZSXIT | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 4.5÷5.5V; 10ns; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 256kx16bit Operating voltage: 4.5...5.5V Access time: 10ns Case: TSOP44 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CY7C1041GN-10ZSXIT | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 5V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CY7C1041GN-10ZSXIT | INFINEON | Description: INFINEON - CY7C1041GN-10ZSXIT - SRAM, 4MB, 256Kword x 16 Bit, 4.5V bis 5.5V, TSOP-II-44 tariffCode: 85423245 euEccn: NLR Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 4.5V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkonfiguration SRAM: 256Kword x 16 Bit isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 4Mbit Zugriffszeit: 10ns Versorgungsspannung, nom.: 5V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 44Pin(s) Speichergröße: 4Mbit Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 256Kword x 16 Bit | auf Bestellung 997 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CY7C1041GN30-10BVJXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin VFBGA Bulk | auf Bestellung 1623 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CY7C1041GN30-10BVJXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin VFBGA Bulk | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CY7C1041GN30-10BVJXI | INFINEON | Description: INFINEON - CY7C1041GN30-10BVJXI - SRAM, 4MB, 256Kword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, VFBGA-48 tariffCode: 85423245 euEccn: NLR Bauform - Speicherbaustein: VFBGA rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkonfiguration SRAM: 256Kword x 16 Bit isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: 10ns Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 48Pin(s) Speichergröße: 4Mbit Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 256Kword x 16 Bit | auf Bestellung 2358 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CY7C1041GN30-10BVJXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin VFBGA Bulk | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CY7C1041GN30-10BVJXI | Infineon Technologies | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 256K x 16 Access Time: 10 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Part Status: Active Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8) Memory Format: SRAM Technology: SRAM - Asynchronous Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 48-VFBGA Packaging: Tray | auf Bestellung 1960 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CY7C1041GN30-10BVJXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin VFBGA Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CY7C1041GN30-10BVJXI | Infineon Technologies | SRAM ASYNC SRAMS | auf Bestellung 1694 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CY7C1041GN30-10BVJXIT | INFINEON | Description: INFINEON - CY7C1041GN30-10BVJXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, VFBGA, 48 Pin(s), 2.2 V tariffCode: 85423245 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 4Mbit MSL: - Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit | auf Bestellung 1947 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CY7C1041GN30-10BVJXIT | Infineon Technologies | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 48-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CY7C1041GN30-10BVJXIT | Infineon Technologies | SRAM ASYNC SRAMS | auf Bestellung 1815 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CY7C1041GN30-10BVJXIT | INFINEON | Description: INFINEON - CY7C1041GN30-10BVJXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, VFBGA, 48 Pin(s), 2.2 V tariffCode: 85423245 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 4Mbit MSL: - Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit | auf Bestellung 1947 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CY7C1041GN30-10BVJXIT | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin VFBGA T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CY7C1041GN30-10BVJXIT | Infineon Technologies | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 48-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8) Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 3417 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CY7C1041GN30-10BVXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin VFBGA Tray | auf Bestellung 51840 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CY7C1041GN30-10BVXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin VFBGA Tray | auf Bestellung 190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CY7C1041GN30-10BVXI | Infineon Technologies | SRAM ASYNC | auf Bestellung 2895 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CY7C1041GN30-10BVXI | INFINEON | Description: INFINEON - CY7C1041GN30-10BVXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, VFBGA, 48 Pin(s), 2.2 V tariffCode: 85423245 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit | auf Bestellung 4687 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CY7C1041GN30-10BVXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin VFBGA Tray | auf Bestellung 2338 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CY7C1041GN30-10BVXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin VFBGA Tray | auf Bestellung 190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CY7C1041GN30-10BVXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin VFBGA Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CY7C1041GN30-10BVXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin VFBGA Tray | auf Bestellung 1798 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CY7C1041GN30-10BVXI | Infineon Technologies | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 256K x 16 Access Time: 10 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Part Status: Active Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8) Memory Format: SRAM Technology: SRAM - Asynchronous Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 48-VFBGA Packaging: Tray | auf Bestellung 3773 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CY7C1041GN30-10BVXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin VFBGA Tray | auf Bestellung 2613 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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