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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRF740APBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.78 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740APBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.31 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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IRF740APBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 400, Id = 10 А, Ptot, Вт = 125, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1030 @ 25, Qg, нКл = 36 @ 10 В, Rds = 550 мОм @ 6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
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IRF740APBF : SiHF740A-E3Vishay SiliconixIRF740APBF : SiHF740A-E3 IRF740APBF (MFET,N-CH,125W,400V,10A,TO-220AB) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740APBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
auf Bestellung 5842 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.66 EUR
10+2.78 EUR
100+2.07 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740APBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740APBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF740APBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF740A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.77 EUR
74+3.15 EUR
100+2.23 EUR
500+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740APBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740APBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
auf Bestellung 862 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.68 EUR
10+4.37 EUR
50+3.37 EUR
100+3.05 EUR
500+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASIRTO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740AS
Produktcode: 22643
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 V
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1030/36
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF740ASPBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740AS(94-2400)
auf Bestellung 1322 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+3.17 EUR
80+2.12 EUR
81+2.01 EUR
100+1.74 EUR
500+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
auf Bestellung 4339 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.78 EUR
10+4.44 EUR
50+3.43 EUR
100+3.09 EUR
500+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+3.47 EUR
58+3.01 EUR
100+2.3 EUR
250+2.18 EUR
1000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 400V 10 Amp
auf Bestellung 5159 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.09 EUR
10+3.25 EUR
100+2.73 EUR
500+2.28 EUR
1000+2.15 EUR
2000+2.01 EUR
5000+1.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASPBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 400, Id = 10 А, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1030 @ 25, Qg, нКл = 36 @ 10 В, Rds = 550 мОм @ 6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.93 EUR
71+2.43 EUR
72+2.36 EUR
100+2.01 EUR
500+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 999 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+2.19 EUR
81+2.13 EUR
100+1.87 EUR
500+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF740ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.84 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASPBF
Produktcode: 172391
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-263
Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 V
Drain-Strom Idd, A: 6,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1030/36
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+2.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.93 EUR
71+2.38 EUR
72+2.26 EUR
100+1.9 EUR
500+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASTRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASTRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASTRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASTRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASTRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASTRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 400V 10 Amp
auf Bestellung 2683 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.62 EUR
10+4.32 EUR
100+3.01 EUR
500+2.4 EUR
800+2.32 EUR
4800+2.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASTRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
auf Bestellung 1597 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.22 EUR
10+4.74 EUR
50+3.67 EUR
100+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASTRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASTRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASTRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASTRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASTRRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASTRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740Bonsemi / FairchildMOSFETs 400V N-Channel B-FET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740BonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 10A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740B
auf Bestellung 4080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740BPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740BPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 526 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740BPBF
Produktcode: 100642
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740BPBFVishay(MFET,N-CH,125W,400V,10A,TO-220AB) Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740BPBFVishay SemiconductorsMOSFETs 400V 600mOhm@10V 10A N-Ch D-SRS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740B_Qonsemi / FairchildMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740HPBFVishayMOSFET HV Power MOSFET 400 V (D-S) 150 C MOSFET 0.55 10V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 94-98 Tag (e)
2+2.98 EUR
10+2.45 EUR
100+1.92 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.32 EUR
2000+1.25 EUR
5000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740HPBFVishay SiliconixDescription: HV POWER MOSFET 400 V (D-S) 150
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1057 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LVishay / SiliconixMOSFETs N-Chan 400V 10 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LCVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF7
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LCVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LCSiliconixTransistor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 550mOhm; 10A; 125W; -55°C~150°C; Substitute: IRF740LC IRF740LC TIRF740 lc
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LCLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 10A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LCPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LCPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
auf Bestellung 2316 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.71 EUR
10+5.06 EUR
50+3.93 EUR
100+3.56 EUR
500+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LCPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF740LCPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
auf Bestellung 763 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+7.82 EUR
55+4.3 EUR
100+2.49 EUR
500+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LCPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1454 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.75 EUR
10+3.94 EUR
100+3.58 EUR
500+2.93 EUR
1000+2.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LCPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 400V 10A TO220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LCPBF
Produktcode: 89068
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+5.02 EUR
50+4.06 EUR
100+3.46 EUR
250+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LCPBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
auf Bestellung 896 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.75 EUR
10+3.94 EUR
100+3.58 EUR
500+2.93 EUR
1000+2.84 EUR
2000+2.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LCPBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LCPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
auf Bestellung 971 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.71 EUR
10+5.06 EUR
50+3.93 EUR
100+3.56 EUR
500+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LCS
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LCSVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LCSTRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LCSTRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LCSTRR
auf Bestellung 934 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740NIR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740NPBFIR08+ QFP
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1659 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF
Produktcode: 162988
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
SiliconixTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 В
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,55 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1400/63
Montage: THT
erwartet: 20 St.
  • 20 St. - erwartet
auf Bestellung: 591 St.
  • 591 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.37 EUR
10+1.25 EUR
100+1.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 6309 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.03 EUR
10+3.92 EUR
50+3 EUR
100+2.71 EUR
500+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBFInternational Rectifier(MFET,N-CH,125W,400V,10A,TO-220AB) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 15386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+1.69 EUR
112+1.54 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.21 EUR
2000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF
Produktcode: 24032
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 V
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Montage: THT
verfügbar: 6 St.
  • 6 St. - stock Köln
1+1.64 EUR
10+1.51 EUR
100+0.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBFVishay SiliconixN-канальний ПТ, Udss, В = 400, Id = 10 А, Ptot, Вт = 125, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1400 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 550 мОм @ 6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF
Produktcode: 181684
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КитайTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 В
Drain-Strom Idd, A: 10 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,55 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1400/63
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
2+0.98 EUR
10+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2.39 EUR
99+1.7 EUR
106+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4826 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.05 EUR
10+2.64 EUR
100+2.26 EUR
500+2.03 EUR
1000+1.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF740PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
auf Bestellung 5925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.15 EUR
77+3.03 EUR
100+2.4 EUR
500+2.13 EUR
1000+1.98 EUR
5000+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 15399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2.43 EUR
103+1.64 EUR
112+1.45 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.11 EUR
2000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.31 EUR
2000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF-BE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4239 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.13 EUR
10+3.17 EUR
100+2.18 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF740PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 400V, 10A, TO-220AB
tariffCode: 85364900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 717 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+6.52 EUR
72+3.25 EUR
76+2.84 EUR
80+2.7 EUR
100+2.55 EUR
500+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.31 EUR
2000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 3299 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.68 EUR
10+4.37 EUR
50+3.37 EUR
100+3.05 EUR
500+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.72 EUR
55+3.15 EUR
100+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PFB
auf Bestellung 3080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740RHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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