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JAN1N6474USMicrosemi HI-REL [MIL]Description: TVS DIODE 30.5VWM GSQMELF
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JAN1N6474USMicrochip / MicrosemiESD Protection Diodes / TVS Diodes 33V Uni-Directional TVS SQ SMT
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JAN1N6474US/TRMicrochip / MicrosemiESD Protection Diodes / TVS Diodes 33V Uni-Directional TVS SQ SMT TR
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JAN1N6475Microchip TechnologyDescription: TVS DIODE 40.3VWM 63.5VC AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: G, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 135A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 40.3V
Supplier Device Package: Axial
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 43.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 63.5V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/552
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JAN1N6475Microsemi
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JAN1N6475SemtechESD Suppressors / TVS Diodes T DAP UNI 1500W 44V
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JAN1N6475USSemtechESD Suppressors / TVS Diodes T DAP UNI 1500W SM
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JAN1N6475USMicrosemi HI-REL [MIL]Description: TVS DIODE 40.3VWM GSQMELF
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JAN1N6475US/TRMicrochip TechnologyDescription: UNI-DIRECTIONAL TVS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SQ-MELF, C
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 24A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 40.3V
Supplier Device Package: D-5C
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 43.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 63.5V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500
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JAN1N6476SemtechESD Suppressors / TVS Diodes T DAP UNI 1500W 51.6V
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JAN1N6476Microchip TechnologyDescription: TVS DIODE 51.6VWM 78.5VC AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: G, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 107A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 51.6V
Supplier Device Package: Axial
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 54V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 78.5V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/552
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JAN1N6476USMicrosemi HI-REL [MIL]Description: TVS DIODE 51.6VWM GSQMELF
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JAN1N6476USMicrochip / MicrosemiESD Suppressors / TVS Diodes 54V Uni-Directional TVS SQ SMT
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JAN1N6485Microchip TechnologyDescription: ZENER DIODE
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JAN1N6485CMicrochip TechnologyDescription: ZENER DIODE
Tolerance: ±2%
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: DO-41
Grade: Military
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V
Qualification: MIL-PRF-19500/406
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JAN1N6485DMicrochip / MicrosemiZener Diodes 3.3 V Voltage Regulator
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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JAN1N6485DMicrochip TechnologyDescription: ZENER DIODE
Tolerance: ±1%
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: DO-41
Grade: Military
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V
Qualification: MIL-PRF-19500/406
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JAN1N6485DUSMicrochip TechnologyDescription: ZENER DIODE
Tolerance: ±1%
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, A
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: A, SQ-MELF
Grade: Military
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V
Qualification: MIL-PRF-19500/406
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JAN1N6485DUS/TRMicrochip TechnologyDescription: VOLTAGE REGULATOR
Tolerance: ±1%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SQ-MELF, A
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: D-5A
Grade: Military
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V
Qualification: MIL-PRF-19500/406
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JAN1N6485DUS/TRMicrochip / MicrosemiZener Diodes Voltage Regulator
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JAN1N6485USMicrosemi HI-REL [MIL]Description: DIODE ZENER 3.3V 1.5W D5A
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JAN1N6488Microchip TechnologyDescription: ZENER DIODE
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 9 Ohms
Supplier Device Package: DO-41
Grade: Military
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
Qualification: MIL-PRF-19500/406
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JAN1N6488CMicrochip TechnologyDescription: ZENER DIODE
Tolerance: ±2%
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 9 Ohms
Supplier Device Package: DO-41
Grade: Military
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
Qualification: MIL-PRF-19500/406
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JAN1N6488CUSMicrochip TechnologyDescription: ZENER DIODE
Tolerance: ±2%
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, A
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 9 Ohms
Supplier Device Package: A, SQ-MELF
Grade: Military
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
Qualification: MIL-PRF-19500/406
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JAN1N6488CUS/TRMicrochip / MicrosemiZener Diodes Voltage Regulator
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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JAN1N6488CUS/TRMicrochip TechnologyDescription: VOLTAGE REGULATOR
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SQ-MELF, A
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 9 Ohms
Supplier Device Package: D-5A
Grade: Military
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
Qualification: MIL-PRF-19500/406
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JAN1N6488DMicrochip TechnologyDescription: ZENER DIODE
Tolerance: ±1%
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 9 Ohms
Supplier Device Package: DO-41
Grade: Military
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
Qualification: MIL-PRF-19500/406
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN1N6488DUSMicrochip TechnologyDescription: ZENER DIODE
Tolerance: ±1%
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, A
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 9 Ohms
Supplier Device Package: A, SQ-MELF
Grade: Military
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
Qualification: MIL-PRF-19500/406
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JAN1N6488DUS/TRMicrochip / MicrosemiZener Diodes Voltage Regulator
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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JAN1N6488DUS/TRMicrochip TechnologyDescription: VOLTAGE REGULATOR
Tolerance: ±1%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SQ-MELF, A
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 9 Ohms
Supplier Device Package: D-5A
Grade: Military
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
Qualification: MIL-PRF-19500/406
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN1N6488USMicrochip TechnologyDescription: VOLTAGE REGULATOR
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, A
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 9 Ohms
Supplier Device Package: D-5A
Grade: Military
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
Qualification: MIL-PRF-19500/406
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN1N6488US/TRMicrochip TechnologyDescription: VOLTAGE REGULATOR
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SQ-MELF, A
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 9 Ohms
Supplier Device Package: D-5A
Grade: Military
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
Qualification: MIL-PRF-19500/406
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JAN1N6488US/TRMicrochip / MicrosemiZener Diodes Voltage Regulator
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JAN1N649-1Microsemi HI-REL [MIL]Description: DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
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 Mindestbestellmenge: 222 Stücke
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JAN1N649-1Microchip / MicrosemiRectifiers Switching Diode
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN1N6490Microchip TechnologyDescription: DIODE ZENER 5.1V 1.5W DO41
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: DO-41
Grade: Military
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1 V
Qualification: MIL-PRF-19500/406
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+134.27 EUR
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JAN1N6490USMicrochip TechnologyDescription: DIODE ZENER 5.1V 1.5W D5A
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JAN1N6508Microsemi CorporationDescription: TVS DIODE 14CDIP
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JAN1N6620Microchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 220V 2A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: A, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 220 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 220 V
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 Mindestbestellmenge: 111 Stücke
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JAN1N6620Microchip / MicrosemiRectifiers Rectifier
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN1N6620/TRMicrochip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 220V 2A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: A, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 220 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 220 V
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 Mindestbestellmenge: 108 Stücke
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JAN1N6620/TRMicrosemiRectifiers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN1N6620UMicrosemiRectifiers UFR,FRR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN1N6620UMicrochip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 200V 1.2A A-MELF
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN1N6620U/TRMicrosemiRectifiers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN1N6620USMicrochip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 220V 2A D-5A
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, A
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: D-5A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 220 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 220 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN1N6620USMicrochip / MicrosemiRectifiers Rectifier
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN1N6620US/TRMicrochip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 220V 2A D-5A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SQ-MELF, A
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: D-5A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 220 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 220 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN1N6620US/TRMicrosemiRectifiers
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JAN1N6621Microchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 440V 2A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: A, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 440 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 440 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN1N6621MicrosemiRectifiers UFR,FRR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN1N6621/TRMicrochip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 440V 2A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: A, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 440 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 440 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JAN1N6621/TRMicrosemiRectifiers
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JAN1N6621UMicrosemi CorporationDescription: DIODE GEN PURP 400V 1.2A D-5A
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, A
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: D-5A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Military
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 400 V
Qualification: MIL-PRF-19500/585
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN1N6621U/TRMicrochip TechnologyDescription: DIODE GP 440V 1.2A A SQ-MELF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SQ-MELF, A
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: A, SQ-MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Military
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 440 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 440 V
Qualification: MIL-PRF-19500/585
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JAN1N6621U/TRMicrochip / MicrosemiRectifiers 440V UFR,FRR SQ SMT TR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN1N6621USMicrochip / MicrosemiRectifiers 440V UFR,FRR SQ SMT
Produkt ist nicht verfügbar
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JAN1N6621USMICROSEMIA/ULTRA FAST RECTIFIER (LESS THAN 100NS) JAN1N6621
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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JAN1N6621USMicrochip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 75V 200MA D-5A
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, A
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.8pF @ 1.5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: D-5A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Grade: Military
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 75 V
Qualification: MIL-PRF-19500/116
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JAN1N6621US/TRMicrochip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 75V 200MA D-5A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SQ-MELF, A
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.8pF @ 1.5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: D-5A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Grade: Military
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 75 V
Qualification: MIL-PRF-19500/116
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JAN1N6621US/TRMicrochip / MicrosemiRectifiers 440V UFR,FRR SQ SMT TR
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JAN1N6622Microsemi HI-REL [MIL]Description: DIODE GEN PURP 660V 2A AXIAL
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JAN1N6622/TRMicrochip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 660V 2A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: A, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 660 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 660 V
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JAN1N6622UMicrosemi CorporationDescription: DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF
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JAN1N6622UMicrochip / MicrosemiRectifiers 660V UFR,FRR SQ SMT
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JAN1N6622U/TRMicrochip / MicrosemiRectifiers 660V UFR,FRR SQ SMT TR
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JAN1N6622USMicrochip / MicrosemiRectifiers 660V UFR,FRR SQ SMT
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JAN1N6622USMicrosemi HI-REL [MIL]Description: DIODE GEN PURP 660V 2A D5A
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JAN1N6622US/TRMicrochip / MicrosemiRectifiers 660V UFR,FRR SQ SMT TR
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JAN1N6623Microsemi HI-REL [MIL]Description: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
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JAN1N6623MicrosemiRectifiers UFR,FRR
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JAN1N6623/TRMicrosemiRectifiers
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JAN1N6623/TRMicrochip TechnologyDescription: RECTIFIER UFR,FRR
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JAN1N6623UMicrosemi CorporationDescription: DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF
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JAN1N6623U/TRMicrochip / MicrosemiRectifiers 880V UFR,FRR SQ SMT TR
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JAN1N6623USMicrochip TechnologyDescription: DIODE STANDARD 880V 1A D5A
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JAN1N6623USMicrochip / MicrosemiRectifiers 880V UFR,FRR SQ SMT
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JAN1N6623US/TRMicrochip / MicrosemiRectifiers 880V UFR,FRR SQ SMT TR
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JAN1N6623US/TRMicrochip TechnologyDescription: RECTIFIER UFR,FRR
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JAN1N6624Microsemi HI-REL [MIL]Description: DIODE GEN PURP 900V 1A AXIAL
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JAN1N6624MicrosemiRectifiers UFR,FRR
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JAN1N6624/TRMicrosemiRectifiers
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JAN1N6624UMicrosemi CorporationDescription: DIODE GEN PURP 900V 1A D-5A
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JAN1N6624USMicrochip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 990V 1A D-5A
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JAN1N6624USMicrosemiRectifiers Ultra Fast Rectifier (less than 100ns)
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JAN1N6625Microchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: A, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: A, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Military
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Qualification: MIL-PRF-19500/585
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JAN1N6625MicrosemiRectifiers UFR,FRR
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JAN1N6625/TRMicrosemiRectifiers
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JAN1N6625UMicrosemi CorporationDescription: DIODE STANDARD 1000V 1A D5A
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, A
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: D-5A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Military
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Qualification: MIL-PRF-19500/585
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JAN1N6625USMicrochip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D-5A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN1N6625USMicrosemiRectifiers Ultra Fast Rectifier (less than 100ns)
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JAN1N6626Microchip / MicrosemiRectifiers Rectifier
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JAN1N6626Microchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL
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JAN1N6626/TRMicrochip TechnologyDescription: RECTIFIER UFR,FRR
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JAN1N6626/TRMicrosemiRectifiers
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JAN1N6626UMicrosemi CorporationDescription: DIODE STANDARD 200V 1.75A D5B
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, E
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.75A
Supplier Device Package: D-5B
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Military
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Qualification: MIL-PRF-19500/590
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JAN1N6626UMicrochip / MicrosemiMicrochip Technology UFR,FRR
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JAN1N6626U/TRMicrochip / MicrosemiMicrochip Technology UFR,FRR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN1N6626U/TRMicrochip TechnologyDescription: UFR,FRR
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN1N6626USMicrochip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 220V 1.75A D5B
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