Produkte > BSS
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| BSS131E6327 | Infineon | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS131E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS131H6327 | Infineon | МОП-транзистор SIPMOS N-Channel 240V 100mA - замена для PMBF107 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS131H6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.1A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS131H6327 | Infineon | BSS131H6327 BSS131 МОП-транзистор N-Channel 240V 100mA 360mW SOT23 Транзистори | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS131H6327 Produktcode: 122768
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Lieblingsprodukt
| Infineon | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SOT-23 Drain-Source-Spannung Uds, V: 240 В Drain-Strom Idd, A: 0,11 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 14 Ом Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 58/2,1 Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| BSS131H6327XT | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 240V 100mA SOT-23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS131H6327XT | Infineon | МОП-транзистор SIPMOS N-Channel 240V 100mA - замена для PMBF107 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS131H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.1A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 240V 100mA SOT-23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS131H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS131H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 110 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm | auf Bestellung 26527 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS131H6327XTSA1 | Infineon | N-Channel 240V 100mA - замена для PMBF107 SOT-23 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS131H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS131H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 110 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm | auf Bestellung 26527 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 9000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS131IXUSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS131IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 121 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS131IXUSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.109A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2867 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS131IXUSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.109A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS131IXUSA1 | Infineon Technologies | Description: BSS131IXUSA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109mA (Ta), 121mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 440mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-U03 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 120 V | auf Bestellung 177 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS131IXUSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.109A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS131IXUSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS131IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 121 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 121mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 440mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS131IXUSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.109A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2867 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS131IXUSA1 | Infineon Technologies | Description: BSS131IXUSA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109mA (Ta), 121mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 440mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-U03 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 120 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS131IXUSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.109A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS131IXUSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs Small-Signal Power-Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS131L6327HTSA1 | Infineon | MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS131L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS131L6327XT | INFINEON | 09+ MSOP8 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS134N | INFINEON | SOT-23 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS135 Produktcode: 77919
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| BSS135 | auf Bestellung 80000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS138 | Good-Ark | Good-Ark Semiconductor BSS138. Single configuration 50 V N-Channel MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 18000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1968000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138 | SLKOR | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 Транзистори | auf Bestellung 1080 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V | auf Bestellung 418500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 326 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 326 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2698 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm | auf Bestellung 153235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138 | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 131994 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138 | JSMSEMI | N-кан. MOSFET 50V, 0.2A, 0.225Вт, 3.5Ом, SOT-23 (SMD) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 688 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 344 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS138 | Microdiode Electronics (MDD) | BSS138 | auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm | auf Bestellung 153235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.22A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 2.4nC Features of semiconductor devices: logic level | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS138 | YY | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 220mA; 360mW; 6 Ohm; -55°C ~ 150°C; Substitute: BSS138-TP; BSS138-13-F; BSS138LT1G-MS MSKSEMI; BSS138-7-F; BSS138TA; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138-FAI; BSS138P,215; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS1 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 1430 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS138 | ONS/FAI | N-Channel 50 V 220mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 Транзистори | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V | auf Bestellung 418500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138 | onsemi | MOSFETs SOT-23 N-CH LOGIC | auf Bestellung 558705 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS138 Produktcode: 197212
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Lieblingsprodukt
| UMW | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SOT-23 Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 В Drain-Strom Idd, A: 0,2 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,5 Ом Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 50/ Montage: SMD | auf Bestellung: 22940 St.
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| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2436000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm | auf Bestellung 42424 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2475000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138 | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 131994 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138 | --- | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138 | HT Jinyu Semiconductor | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | auf Bestellung 711000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm | auf Bestellung 1089000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 1.7nC | auf Bestellung 13104 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2698 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 351000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138 | HOTTECH | BSS138 MOSFET N-CH 50V 0.22A SOT-23 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1554000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 351000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138 Produktcode: 144172
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SOT-23 Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 В Drain-Strom Idd, A: 0,2 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,5 Ом Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 50/- Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3007 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm | auf Bestellung 42424 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138 | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 50V; 0.272A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.272A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 1.5A Gate charge: 2.4nC Technology: TRENCH POWER MV | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138 (CET) Produktcode: 26318
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Lieblingsprodukt
| CET | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SOT-23 Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 V Drain-Strom Idd, A: 0,2 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 50/- Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| BSS138 (CJ, SOT-23) Produktcode: 186257
1
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| CJ | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SOT-23 Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 В Drain-Strom Idd, A: 0,2 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,5 Ом Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 27/ Montage: SMD | auf Bestellung: 2925 St.
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| BSS138 (Diodes, SOT-23) Produktcode: 125280
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| Diodes | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SOT-23 Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 В Drain-Strom Idd, A: 0,2 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,5 Ом Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 50/- Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| BSS138 (ON, SOT-23) Produktcode: 161156
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| ON | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SOT-23 Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 В Drain-Strom Idd, A: 0,2 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,5 Ом Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 50/- Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| BSS138 Fairchild | ON-Semiconductor | N-MOSFET 50V 220mA 3.5Ω 360mW BSS138 TBSS138 FAI Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 1020 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS138 Fairchild | ON-Semiconductor | N-MOSFET 50V 220mA 3.5Ω 360mW BSS138 TBSS138 FAI Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS138 GALAXY | GALAXY | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 200mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 TBSS138 G Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke | auf Bestellung 2600 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS138 HXY MOSFET | HXY MOSFET | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 TBSS138 HXY Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS138 HXY MOSFET | HXY MOSFET | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 TBSS138 HXY Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS138 JSMICRO | JSMicro Semiconductor | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 TBSS138 JSM Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS138 JUXING | JUXING | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138"SS" TBSS138 JUX Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS138 JUXING | JUXING | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 TBSS138 JUX Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS138 RFG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 50V, 0.26A, Single N-Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS138 RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 50V, 0.26A, SINGLE N-CHANNEL POW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 260mA, 10V Power Dissipation (Max): 357mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V | auf Bestellung 8295 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS138 RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138 RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 50V, 0.26A, SINGLE N-CHANNEL POW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 260mA, 10V Power Dissipation (Max): 357mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS138 SHIKUES | SHIKUES | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 200mA; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 SS TBSS138 SHK Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS138 SLKOR | SLKOR | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 TBSS138 SLK Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke | auf Bestellung 1970 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS138 SLKOR | SLKOR | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 TBSS138 SLK Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS138 SOT-23 MDD(MICRODIODE) | MDD(Microdiode Electronics) | 50V 500mA 1.1?@4.5V,0.3A 500mW 1.5V 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs BSS138 TBSS138 MDD Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS138 SOT23 HT SEMI | HT SEMI | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2,5Ohm; 340mA; 350mW; -55°C~150°C; similar to: BSS138-TP BSS138 TBSS138 HTSEMI Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS138 SOT23 LGE | LGE | Transistor N-MOSFET; 50V; 10V; 3,5Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS138 TBSS138 LGE Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 670 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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