Produkte > FDM
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| FDMC6688P | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET PT8P 20_8V FROM VANGUARD | auf Bestellung 243 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC6688P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 6813 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC6688P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 14A/56A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7435 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC6688P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 11150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC6688P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 2761 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC6696P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMC6696P - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 2312 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC6890NZ | onsemi / Fairchild | MOSFET 20V Dual N-Ch PowerTrench MOSFET | auf Bestellung 2819 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC6890NZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin WDFN EP T/R | auf Bestellung 7299 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC6890NZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin WDFN EP T/R | auf Bestellung 1189 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC6890NZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin WDFN EP T/R | auf Bestellung 2942 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC6890NZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin WDFN EP T/R | auf Bestellung 2895 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC6890NZ | Fairchild Semiconductor | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4 Packaging: Bulk Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.92W, 1.78W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: MicroFET 3x3mm Part Status: Active | auf Bestellung 14330 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC7200 | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8A 8PWR33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW, 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC7200 | onsemi | MOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET | auf Bestellung 98 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC7200 | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8A 8PWR33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW, 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC7200 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET | auf Bestellung 3830 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC7200 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC7200 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6A/8A 8-Pin WDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC7200S | onsemi / Fairchild | MOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET | auf Bestellung 236 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC7200S | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A/13A 8PWR33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW, 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 13A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3) | auf Bestellung 12817 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC7200S | onsemi | MOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET | auf Bestellung 2680 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC7200S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 7A/13A 8-Pin WDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC7200S | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A/13A 8PWR33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW, 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 13A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3) | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC7208S | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMC7208S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 26 A, 26 A, 0.009 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Power 33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.009ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 33 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC7208S | onsemi / Fairchild | MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET | auf Bestellung 11120 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC7208S | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A 8PWR33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 800mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3) | auf Bestellung 5235 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC7208S | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMC7208S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 26 A, 26 A, 0.009 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Power 33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.009ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC7208S | onsemi | MOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC7208S | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A 8PWR33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 800mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC7570S | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 27A/40A POWER33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: Power33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4410 pF @ 13 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC7570S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 3017 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC7570S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC7570S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin Power 33 T/R | auf Bestellung 3040 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC7570S | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; Idm: 120A; 59W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 40A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 59W Case: PQFN8 On-state resistance: 2.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 68nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC7570S Produktcode: 167040
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| FDMC7570S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4172 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC7570S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin Power 33 T/R | auf Bestellung 3040 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC7570S | onsemi / Fairchild | MOSFETs 25V 40A 2mOhm N-CH PowerTrench SyncFET | auf Bestellung 3003 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC7570S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 1336 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC7570S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 956 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC7570S | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 27A/40A POWER33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: Power33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4410 pF @ 13 V | auf Bestellung 6533 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC7570S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC7570S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC7570S | onsemi | MOSFETs 25V 40A 2mOhm N-CH PowerTrench SyncFET | auf Bestellung 2850 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC7570S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 3017 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC7570S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 1107 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC7572S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 25V 22.5A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 3305 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC7572S | onsemi | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 22.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: Power33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 13 V | auf Bestellung 2608 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC7572S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 25V 22.5A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 2608 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC7572S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 25V 22.5A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 2013 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC7572S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 25V 22.5A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 348 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC7572S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 25V 22.5A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC7572S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 25V 22.5A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC7572S | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 25V 40A 3.2mOhm N-Ch PowerTrench SyncFET | auf Bestellung 1674 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC7582 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 25V 16.7A 8-PQFN | auf Bestellung 300015000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC7582 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET PT5 100V/20V NCH POWERTRENCH MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC7582 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 25V 16.7A 8-PQFN | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC7582 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 25V 16.7A 8-PQFN | auf Bestellung 300015000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC7660 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 392 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC7660 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Power33 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 15 V | auf Bestellung 2126 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC7660 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench | auf Bestellung 9518 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC7660 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC7660 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMC7660 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 2200 µohm, Power 33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 2.3W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Power 33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm | auf Bestellung 2777 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC7660 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC7660 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Power33 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC7660 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMC7660 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 2200 µohm, Power 33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 2.3W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Power 33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm | auf Bestellung 2777 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC7660 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 41W; PQFN8 Case: PQFN8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 41W Gate charge: 86nC Polarisation: unipolar Technology: PowerTrench® Drain current: 40A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ | auf Bestellung 2103 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC7660 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC7660DC | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 15873 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC7660DC | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 30A/40A DLCOOL33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5170 pF @ 15 V | auf Bestellung 2704 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC7660DC | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC7660DC | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 974 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC7660DC | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 30A/40A DLCOOL33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5170 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC7660DC | onsemi / Fairchild | MOSFETs 30V N-Chan Dual Cool PowerTrench MOSFET | auf Bestellung 8116 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC7660DC | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 8117 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC7660S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 5625 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC7660S | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 200A; 41W; Power33 Mounting: SMD Case: Power33 Technology: PowerTrench® Drain current: 40A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape On-state resistance: 3.1mΩ Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 41W Gate charge: 66nC Polarisation: unipolar | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC7660S | onsemi | MOSFETs 30V N-Chan SyncFET PowerTrench | auf Bestellung 5024 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC7660S | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: Power33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4325 pF @ 15 V | auf Bestellung 1757 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC7660S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 9685 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC7660S | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMC7660S - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 9685 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC7660S | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: Power33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4325 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC7660S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC7660S-TE | ON Semiconductor | FDMC7660S-TE | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC7664 | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 18.8A/24A 8MLP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC7664 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 18.8A 8-Pin WDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC7664 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 18.8A 8-Pin WDFN EP T/R | auf Bestellung 1045 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC7664 | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 18.8A/24A 8MLP | auf Bestellung 826 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC7664 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET N-Chan 30/20V PowerTrench | auf Bestellung 2804 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC7664 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 18.8A 8-Pin WDFN EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC7672 | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Chan 30/20V PowerTrench | auf Bestellung 4181 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC7672 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 16.9A 8-Pin WDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC7672 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 16.9A/20A 8MLP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 16.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 15 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC7672 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 16.9A 8-Pin WDFN EP T/R | auf Bestellung 9009 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC7672 | onsemi | MOSFETs N-Chan 30/20V PowerTrench | auf Bestellung 3506 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC7672 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 16.9A 8-Pin WDFN EP T/R | auf Bestellung 2745 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC7672 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 16.9A/20A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 16.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 15 V | auf Bestellung 11181 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC7672 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A; 33W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 20A Power dissipation: 33W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 57nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 50A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDMC7672S | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A/18A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 15 V | auf Bestellung 3690 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC7672S | onsemi / Fairchild | MOSFETs 30V/20A N-Chan PowerTrench SyncFET | auf Bestellung 2931 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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