Produkte > FDM

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 16 20 24 28 32 36 40  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDMC6683PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 40A 8MLP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6683_Ponsemi / Fairchildonsemi
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6686PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC6686P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 56 A, 0.0033 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 750mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: Power 33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.8 EUR
65+3.57 EUR
100+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6686PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 18A/56A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 18A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 56A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 858 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.94 EUR
10+3.19 EUR
100+2.19 EUR
500+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6686PON Semiconductor / FairchildMOSFET PT8P 20/8V ER PQFN33
auf Bestellung 10729 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6686PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 18A/56A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6686PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC6686P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 56 A, 0.0033 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 750mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: Power 33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6686PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -56A; Idm: -377A; 40W; Power33
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -56A
Power dissipation: 40W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -377A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6688PON Semiconductor
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6688PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 10556 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
596+1.09 EUR
1000+1 EUR
10000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 596 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6688PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 14A/56A 8PQFN
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7435 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6688PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 6813 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
596+1.09 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 596 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6688PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 11150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
596+1.09 EUR
1000+1 EUR
10000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 596 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6688PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2761 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
596+1.09 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 596 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6688PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 14A/56A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7435 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6688PON Semiconductor / FairchildMOSFET PT8P 20_8V FROM VANGUARD
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6688PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 9964 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
596+1.09 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 596 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6696PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC6696P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2312 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1602+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 1602 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6890NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1189 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
702+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 702 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6890NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
702+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 702 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6890NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
702+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 702 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6890NZonsemi / FairchildMOSFET 20V Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 2819 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.93 EUR
10+1.73 EUR
100+1.34 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.88 EUR
3000+0.82 EUR
9000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6890NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 7299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
702+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 702 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6890NZFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Supplier Device Package: MicroFET 3x3mm
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.92W, 1.78W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
auf Bestellung 14330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
766+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 766 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7200ON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 3830 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7200onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.36 EUR
19+1.11 EUR
100+0.76 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7200onsemi / FairchildMOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.31 EUR
10+1.13 EUR
100+0.79 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.56 EUR
3000+0.49 EUR
6000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7200onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A/8A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7200onsemiMOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.15 EUR
10+1.33 EUR
100+0.88 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.6 EUR
3000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7200SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7A/13A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7200SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7A/13A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 13A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
auf Bestellung 12817 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.59 EUR
13+1.64 EUR
100+1.09 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7200SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7A/13A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 13A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.68 EUR
6000+0.63 EUR
9000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7200Sonsemi / FairchildMOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.99 EUR
10+1.34 EUR
100+0.93 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.69 EUR
3000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7208Sonsemi / FairchildMOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 11120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.36 EUR
10+2.73 EUR
100+2.23 EUR
250+2.05 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.58 EUR
3000+1.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7208SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC7208S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 26 A, 26 A, 0.009 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.009ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7208SonsemiMOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7208SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A 8PWR33
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 800mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4145 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.05 EUR
10+3.25 EUR
100+2.23 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7208SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC7208S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 26 A, 26 A, 0.009 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.009ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7208SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A 8PWR33
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 800mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7570SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin Power 33 T/R
auf Bestellung 3040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.59 EUR
69+2.46 EUR
70+2.33 EUR
100+2.2 EUR
250+2.08 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.84 EUR
3000+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7570SonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 27A/40A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4410 pF @ 13 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7570SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1336 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
367+1.78 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 367 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7570SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 956 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
367+1.78 EUR
500+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 367 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7570Sonsemi / FairchildMOSFETs 25V 40A 2mOhm N-CH PowerTrench SyncFET
auf Bestellung 3003 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.14 EUR
10+2.67 EUR
100+1.86 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.46 EUR
3000+1.45 EUR
6000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7570SONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; Idm: 120A; 59W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 59W
Case: PQFN8
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7570SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
367+1.78 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 367 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7570SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7570SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3017 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+3.07 EUR
68+2.52 EUR
100+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7570SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
367+1.78 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 367 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7570SonsemiMOSFETs 25V 40A 2mOhm N-CH PowerTrench SyncFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7570SonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 27A/40A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4410 pF @ 13 V
auf Bestellung 6533 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.56 EUR
10+4.95 EUR
100+3.47 EUR
500+2.84 EUR
1000+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7570SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3017 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+3.07 EUR
68+2.46 EUR
100+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7570SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
367+1.78 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.43 EUR
10000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 367 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7570SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin Power 33 T/R
auf Bestellung 3040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.59 EUR
69+2.51 EUR
70+2.43 EUR
100+2.33 EUR
250+2.26 EUR
500+2.19 EUR
1000+2.11 EUR
3000+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7570S
Produktcode: 167040
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7570SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
367+1.78 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 367 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7572SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 22.5A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2013 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+3 EUR
500+2.65 EUR
1000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 218 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7572SonsemiDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 22.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
auf Bestellung 2608 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
265+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 265 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7572SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 22.5A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+3 EUR
Mindestbestellmenge: 218 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7572SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 22.5A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+3 EUR
500+2.65 EUR
1000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 218 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7572SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 22.5A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+3 EUR
500+2.65 EUR
1000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 218 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7572SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 22.5A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+3 EUR
500+2.65 EUR
1000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 218 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7572SON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V 40A 3.2mOhm N-Ch PowerTrench SyncFET
auf Bestellung 1674 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7572SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 22.5A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2608 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+3 EUR
500+2.65 EUR
1000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 218 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7582Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 16.7A 8-PQFN
auf Bestellung 300015000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7582ON Semiconductor / FairchildMOSFET PT5 100V/20V NCH POWERTRENCH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7582Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 16.7A 8-PQFN
auf Bestellung 300015000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7582Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 16.7A 8-PQFN
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7660ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.19 EUR
6000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7660onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 15 V
auf Bestellung 2126 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.36 EUR
10+2.8 EUR
100+1.9 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7660ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
327+2 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 327 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7660ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC7660 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 2200 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
auf Bestellung 3103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.76 EUR
110+1.95 EUR
500+1.56 EUR
1500+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7660onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7660ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 392 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
327+2 EUR
Mindestbestellmenge: 327 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7660ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 41W; PQFN8
Case: PQFN8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 86nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 41W
auf Bestellung 2103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7660ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.19 EUR
6000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7660ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC7660 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 2200 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
auf Bestellung 3103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+5.15 EUR
85+2.76 EUR
110+1.95 EUR
500+1.56 EUR
1500+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7660onsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 9518 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.22 EUR
10+2.59 EUR
100+1.71 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.48 EUR
3000+1.43 EUR
6000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7660DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
305+2.14 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 305 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7660DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
305+2.14 EUR
500+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 305 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7660DConsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 30A/40A DLCOOL33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5170 pF @ 15 V
auf Bestellung 2704 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.12 EUR
10+2.62 EUR
100+1.92 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7660DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 8117 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
305+2.14 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 305 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7660DConsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Chan Dual Cool PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 8116 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.09 EUR
10+2.62 EUR
100+1.93 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.44 EUR
6000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7660DCON Semiconductor
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7660DConsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 30A/40A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5170 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7660DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 15873 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
305+2.14 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.71 EUR
10000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 305 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7660SonsemiMOSFETs 30V N-Chan SyncFET PowerTrench
auf Bestellung 5647 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.88 EUR
10+2.51 EUR
100+1.69 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7660SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC7660S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 9685 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
590+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 590 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7660SFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4325 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
auf Bestellung 9685 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
334+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 334 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7660S
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7660SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 9685 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
418+1.56 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 418 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7660SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4325 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7660SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7660SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 5625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
418+1.56 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 418 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7660SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4325 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7660S-TEON SemiconductorFDMC7660S-TE
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
493+1.32 EUR
547+1.18 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 493 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7664ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18.8A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7664ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18.8A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
570+1.14 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 570 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7664ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 18.8A/24A 8MLP
auf Bestellung 826 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 16 20 24 28 32 36 40  [ Nächste Seite >> ]