Produkte > IRL
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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| IRL3715TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 54A TO220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3715TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 54A TO220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3715TRL | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3715TRLPBF | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3715TRPBF | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3715TRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 54A TO220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3715TRR | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3715TRRPBF | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3715Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 50A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3715Z | auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRL3715ZCLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 50A TO262 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3715ZCS | IR | TO-263 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3715ZCS | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3715ZCSPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3715ZCSTRL | IOR | 2003 | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3715ZCSTRL | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3715ZCSTRLP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3715ZCSTRLP | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3715ZCSTRR | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3715ZCSTRRP | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3715ZCSTRRP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3715ZL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 50A TO262 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3715ZLPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 20V 50A 11mOhm 7nC Log Lvl | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3715ZLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 50A TO262 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3715ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 50A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3715ZPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 20V 50A 7nC 11mOhm Qg log lvl | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3715ZS | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 350 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3715ZS | IR | TO-263 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3715ZSPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 20V 50A 11mOhm 7nC Qg Log Lvl | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3715ZSPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Power Dissipation (Max): 45W (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3715ZSTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3715ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3715ZSTRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3715ZSTRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3716 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 180A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5090 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3716HR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3716L | International Rectifier | N-MOSFET 180A 20V 210W 0.004Ω IRL3716L TIRL3716l Anzahl je Verpackung: 11 Stücke | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRL3716LPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 180A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5090 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3716LPBF | Infineon / IR | MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 53nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3716PBF Produktcode: 98084
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRL3716PBF | Infineon / IR | MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 53nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3716PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRL3716PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 A, 0.004 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 180 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 210 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3716PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 180A TO220AB Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) FET Type: N-Channel Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5090 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3716S | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5090 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3716S | IR | 07+ TO-263 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3716SHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3716SPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5090 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3716SPBF | Infineon / IR | MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 53nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3716STRL | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3716STRLHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3716STRLPBF | Infineon / IR | MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 53nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3716STRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5090 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3716STRR | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3716STRRHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3716STRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3716STRRPBF | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3717S | IR | 07+ TO-263 | auf Bestellung 9600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3803 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 140A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3803LPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 140A TO-262 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3803LPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 140A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3803LPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 30V 140A 6mOhm 93.3nC Log Lvl | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3803PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRL3803PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 30V 120A 6mOhm 93.3nC LogLvAB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3803PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRL3803PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 0.006 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3803PBF | International Rectifier | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3803PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3803PBF | IRL3803PBF Транзисторы HEXFET | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRL3803PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRL3803PBF Produktcode: 28690
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V Drain-Strom Idd, A: 140 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,006 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5000/140 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: THT | auf Bestellung: 31 St.
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| IRL3803PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 140A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3803S | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3803S | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 16V; 9mOhm; 140A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRL3803S smd TIRL3803s Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRL3803SPB | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRL3803SPBF | IR | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRL3803SPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3803SPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 93.3nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3803STRL | IR | 04+ TO-263 | auf Bestellung 389 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3803STRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3803STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRL3803STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 30V 140A 6mOhm 93.3nC Log Lvl | auf Bestellung 73 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRL3803STRLPBF | International Rectifier | Description: IRL3803 - 12V-300V N-CHANNEL POW Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRL3803STRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRL3803STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 140 A, 6000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 447 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRL3803STRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3803STRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRL3803STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 140 A, 6000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 447 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRL3803STRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3803STRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3803STRRPBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRL3803STRRPBF - IRL3803STR - PLANAR <40V tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 114 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 114 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3803STRRPBF | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRL3803STRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V | auf Bestellung 298 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRL3803STRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3803STRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 298 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRL3803STRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 93.3nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3803VL | auf Bestellung 1622 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRL3803VPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3803VPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3803VPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 140A 50.7nC 5.5mOhm LogLvAB | auf Bestellung 1259 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3803VPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRL3803VPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 140 A, 0.0055 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 140 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 200 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 1 SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3803VPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 140A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 71A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3803VS | IR | 07+ TO-263 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3803VSPBF | IR | auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |