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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
MMBT3904FA-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMBT3904FA-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 435 mW, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 435mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
145+1.73 EUR
236+0.99 EUR
367+0.58 EUR
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904FN3-R1-00001PanjitBipolar Transistors - BJT DFN 3L/TRA/DFN/GPT-03FNN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904FN3-R1-00501PanjitArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904FN3_R1_00001PanjitBipolar Transistors - BJT NPNGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VCE40V IC200mA DFN3L
auf Bestellung 9586 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.43 EUR
13+0.26 EUR
100+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.092 EUR
2500+0.086 EUR
5000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904FN3_R1_00001Panjit International Inc.Description: TRANS NPN 40V 0.2A 3-DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Supplier Device Package: 3-DFN (1x0.6)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 26155 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.42 EUR
86+0.25 EUR
139+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.098 EUR
2000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904FN3_R1_00001Panjit International Inc.Description: TRANS NPN 40V 0.2A 3-DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Supplier Device Package: 3-DFN (1x0.6)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.069 EUR
16000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904FN3_R1_00501Panjit International Inc.Description: NPNGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Supplier Device Package: DFN1006-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904FN3_R1_00501PanJit SemiconductorCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.25W; DFN1006-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Case: DFN1006-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904FN3_R1_00501PanjitBipolar Transistors - BJT NPN GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR VCE40V IC200mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904FN3_R1_10001PanjitBipolar Transistors - BJT NPNGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VCE40V IC200mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904FZ-7BDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT NPN 40Vceo 0.3W 200mW 300MHz
auf Bestellung 6118 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.3 EUR
10+0.8 EUR
100+0.51 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.32 EUR
5000+0.29 EUR
10000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904FZ-7BDiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 40V 0.2A X2-DFN0606-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X2-DFN0606-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 435 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 70660 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.43 EUR
24+0.88 EUR
29+0.74 EUR
50+0.64 EUR
100+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904FZ-7BDiodes ZetexTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904FZ-7BDIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 925mW; X2-DFN0606-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 925mW
Case: X2-DFN0606-3
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Manufacturer standard package: 10000pcs.
Pulsed collector current: 0.5A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904FZ-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMBT3904FZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 925mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X2-DFN0606
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
171+1.46 EUR
278+0.83 EUR
433+0.5 EUR
572+0.38 EUR
1000+0.36 EUR
5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 171 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904FZ-7BDiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 40V 0.2A X2-DFN0606-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X2-DFN0606-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 435 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.29 EUR
30000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904FZ-7BDiodes ZetexTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904FZ-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMBT3904FZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 925mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X2-DFN0606
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
171+1.46 EUR
278+0.83 EUR
433+0.5 EUR
572+0.38 EUR
1000+0.36 EUR
5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 171 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904G-AE3-RUTC
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904G-BLISTEROn SemiconductorSOT-23 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904GSOT-23T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904GSOT-323T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904H RFGTaiwan SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904H RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: SOT-23, 60V, 0.2A, NPN TRANSISTO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
auf Bestellung 4640 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
56+0.38 EUR
93+0.23 EUR
151+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904H RFGTaiwan SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1454+0.12 EUR
1924+0.09 EUR
2189+0.077 EUR
3774+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 1454 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904H RFGTaiwan SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
532+0.33 EUR
869+0.19 EUR
1439+0.11 EUR
1454+0.1 EUR
1924+0.075 EUR
2189+0.063 EUR
3774+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 532 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904H RFGTaiwan SemiconductorBipolar Transistors - BJT SOT-23, 60V, 0.2A, NPN Transistor
auf Bestellung 12695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.36 EUR
16+0.23 EUR
100+0.13 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.088 EUR
3000+0.086 EUR
6000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904H RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: SOT-23, 60V, 0.2A, NPN TRANSISTO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904HE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904HE3-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 40Vceo 6Vebo 200mA 350mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904HE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS 40V 0.2A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
72+0.3 EUR
122+0.17 EUR
198+0.11 EUR
500+0.077 EUR
1000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904HE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS 40V 0.2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904HLT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.2A SOT23
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904HRFGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MMBT3904HRFG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
466+0.54 EUR
695+0.33 EUR
1097+0.19 EUR
1761+0.12 EUR
2115+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 466 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904K
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904KonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LTaiwan Semiconductor CorporationDescription: SOT-23, 60V, 0.2A, NPN BIPOLAR T
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LTaiwan SemiconductorBipolar Transistors - BJT SOT-23, 60V, 0.2A, NPN Bipolar Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LTaiwan SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 18000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LTaiwan Semiconductor CorporationDescription: SOT-23, 60V, 0.2A, NPN BIPOLAR T
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904Lonsemi SS SOT23 GP XSTR NPN 40V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904L RFTaiwan SemiconductorBipolar Transistors - BJT 0,3mW NPN Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904L RFTaiwan SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904L RFGTaiwan SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904L RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 85422 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.31 EUR
113+0.19 EUR
182+0.12 EUR
500+0.083 EUR
1000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904L RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.061 EUR
6000+0.054 EUR
9000+0.05 EUR
15000+0.046 EUR
21000+0.044 EUR
30000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904L RFGTaiwan SemiconductorTRANS NPN 40V 0.2A SOT23 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904L RFGTaiwan SemiconductorBipolar Transistors - BJT 60V, 0.2A, NPN Bipolar Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
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MMBT3904L-T1
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904L-UA RFTaiwan Semiconductor CorporationDescription: TAIWAN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904L-UA RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: TAIWAN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904L3-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904L3-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW 3-Pin DFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904L3-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS NPN 40V 0.2A DFN1006-3
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1006-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LPGOODWORKDescription: 200mA 40V 400mW DFN1006-3L
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LP-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 40V 0.2A X1-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LP-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LP-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LP-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 40V 0.2A X1-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LP-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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MMBT3904LP-7DiodesTRANS NPN 40V 0.2A X1-DFN1006-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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MMBT3904LP-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT NPN SM SIG 60V VCBO 40V VCEO 6.0 VEBO
auf Bestellung 721444 Stücke:
Lieferzeit 318-322 Tag (e)
6+0.6 EUR
10+0.37 EUR
100+0.24 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LP-7DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 200mA; 1W; X1-DFN1006-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 1W
Case: X1-DFN1006-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Manufacturer standard package: 3000pcs.
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+28.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LP-7BDiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 40V 0.2A X1-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LP-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 400 mW, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 17709 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+1.24 EUR
328+0.7 EUR
511+0.42 EUR
1000+0.25 EUR
5000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LP-7BDiodes INC.Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 40, Ic = 200 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 300, hFE = 100 @ 10 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 5 мA, 50 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: DFN1006-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
verfügbar 3 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LP-7BDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K
auf Bestellung 207883 Stücke:
Lieferzeit 318-322 Tag (e)
3+1.17 EUR
10+0.73 EUR
100+0.44 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.24 EUR
5000+0.2 EUR
10000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LP-7BDIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 1W; X1-DFN1006-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 1W
Case: X1-DFN1006-3
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Manufacturer standard package: 10000pcs.
Pulsed collector current: 0.2A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LP-7BDiodes ZetexTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LP-7BDiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 40V 0.2A X1-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LP-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 400 mW, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 200mA
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 17709 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+1.24 EUR
328+0.7 EUR
511+0.42 EUR
1000+0.25 EUR
5000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LT
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LT1onsemiBipolar Transistors - BJT NPN GENERAL PURPOSE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LT1Infineon TechnologiesDescription: TRANS NPN 40V 200MA SOT23-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 985 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LT1 SOT23-1AMON
auf Bestellung 3013 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LT1(1AM)
auf Bestellung 11241 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LT1(1AM*)
auf Bestellung 14940 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LT1(ZA)
auf Bestellung 30247 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LT1/1AM
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LT1100-30
auf Bestellung 579000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LT1100-300
auf Bestellung 69009 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LT11AM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1392000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4167+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 4167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 411000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.048 EUR
6000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LT1GON-SemiconductorNPN 200mA 40V 330mW 300MHz Possible substitute: PMBT3904,215 MMBT3904LT1G ONS TMMBT3904lt
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 6980 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
600+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT3904LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1001426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
971+0.26 EUR
1774+0.13 EUR
2476+0.087 EUR
3611+0.06 EUR
4082+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 971 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
auf Bestellung 41764 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
556+0.15 EUR
736+0.12 EUR
863+0.099 EUR
1263+0.068 EUR
1475+0.057 EUR
2000+0.043 EUR
2315+0.037 EUR
2513+0.033 EUR
3000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 556 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1392000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMBT3904LT1GNPN 40V, 0.2A, general purpose transistor SOT-23-3
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MMBT3904LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT3904LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT3904LT1GOn SemiconductorNPN 40V SOT-23 Транзистори
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MMBT3904LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT3904LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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MMBT3904LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT3904LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
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134+0.15 EUR
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500+0.07 EUR
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Mindestbestellmenge: 84 Stücke
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MMBT3904LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN GENERAL PURPOSE
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22+0.15 EUR
100+0.096 EUR
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MMBT3904LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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2771+0.057 EUR
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MMBT3904LT1GON SemiconductorТранзистор NPN, Uceo, В = 40, Ic = 200 мА, ft, МГц = 300, hFE = 100 @ 10 мА, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.3 @ 5 мА, 50 мА, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Очікується: 4 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 74 Stücke:
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MMBT3904LT1G SOT23-1AM PON
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MMBT3904LT1G /ONS
Produktcode: 58026
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ONTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 300 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 40 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 60 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,2 A
Montage: SMD
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