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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
MMBT3904-TP-HFMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904-TP-HFMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904/TR
auf Bestellung 3657 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT39041AM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT39041AM100-300
auf Bestellung 261000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT39041E100-300
auf Bestellung 456000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904ALT1G
auf Bestellung 9080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904ATGood-Ark SemiconductorDescription: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904ATGood-Ark SemiconductorDescription: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 1988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
84+0.25 EUR
137+0.15 EUR
225+0.093 EUR
500+0.068 EUR
1000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904AWT1
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904CTI
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904DWSHIKUESTransistor 2xNPN; 300; 200mW; 40V; 200mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MMDT3904-7-F; MMDT3904-TP; MMDT3904_R1_00001; MMDT3904DW SHIKUES TMMDT3904 SHK
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904DW
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904DW1
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904DW1T1
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904DW1T1-MA4ON
auf Bestellung 1528 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904DW1T1GONSMD
auf Bestellung 86200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904DWLT1/MA6
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904DWLT1GONSOT363
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904FA-7BDiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 40V 0.2A X2-DFN0806-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 435 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.3 EUR
26+0.81 EUR
32+0.68 EUR
50+0.6 EUR
100+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904FA-7BDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 40V NPN SM Trans 435mW 40V Vceo
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.32 EUR
10+0.6 EUR
100+0.52 EUR
1000+0.42 EUR
2500+0.36 EUR
5000+0.32 EUR
10000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904FA-7BDiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 40V 0.2A X2-DFN0806-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 435 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904FA-7BDiodes ZetexTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 435mW 3-Pin X2-DFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904FA-7BDIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 435mW; X2-DFN0806-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 435mW
Case: X2-DFN0806-3
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Manufacturer standard package: 10000pcs.
Pulsed collector current: 0.5A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904FN3-R1-00001PanjitBipolar Transistors - BJT DFN 3L/TRA/DFN/GPT-03FNN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904FN3-R1-00501PanjitArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904FN3_R1_00001PanjitBipolar Transistors - BJT NPNGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VCE40V IC200mA DFN3L
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904FN3_R1_00001Panjit International Inc.Description: TRANS NPN 40V 0.2A 3-DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Supplier Device Package: 3-DFN (1x0.6)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 26155 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.42 EUR
86+0.25 EUR
139+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.098 EUR
2000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904FN3_R1_00001Panjit International Inc.Description: TRANS NPN 40V 0.2A 3-DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Supplier Device Package: 3-DFN (1x0.6)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.069 EUR
16000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904FN3_R1_00501PanJit SemiconductorCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.25W; DFN1006-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Case: DFN1006-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904FN3_R1_00501PanjitBipolar Transistors - BJT NPN GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR VCE40V IC200mA
auf Bestellung 7453 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.52 EUR
16+0.21 EUR
100+0.12 EUR
500+0.08 EUR
1000+0.069 EUR
2500+0.058 EUR
5000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904FN3_R1_00501Panjit International Inc.Description: NPNGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Supplier Device Package: DFN1006-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.043 EUR
20000+0.039 EUR
30000+0.037 EUR
50000+0.035 EUR
70000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904FN3_R1_10001PanjitBipolar Transistors - BJT NPNGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VCE40V IC200mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904FZ-7BDiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 40V 0.2A X2-DFN0606-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X2-DFN0606-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 435 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 20410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.4 EUR
25+0.87 EUR
30+0.73 EUR
50+0.63 EUR
100+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904FZ-7BDiodes ZetexTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904FZ-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMBT3904FZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 925mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: X2-DFN0606
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
156+1.61 EUR
252+0.92 EUR
393+0.55 EUR
516+0.42 EUR
1000+0.4 EUR
5000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904FZ-7BDiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 40V 0.2A X2-DFN0606-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X2-DFN0606-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 435 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904FZ-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMBT3904FZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 925mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: X2-DFN0606
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
156+1.61 EUR
252+0.92 EUR
393+0.55 EUR
516+0.42 EUR
1000+0.4 EUR
5000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904FZ-7BDIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 925mW; X2-DFN0606-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 925mW
Case: X2-DFN0606-3
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Manufacturer standard package: 10000pcs.
Pulsed collector current: 0.5A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904FZ-7BDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT NPN 40Vceo 0.3W 200mW 300MHz
auf Bestellung 3481 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.86 EUR
10+1.13 EUR
100+0.79 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904G-AE3-RUTC
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904G-BLISTEROn SemiconductorSOT-23 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904GSOT-23T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904GSOT-323T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904H RFGTaiwan SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 350mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
575+0.3 EUR
938+0.18 EUR
947+0.17 EUR
1556+0.099 EUR
1570+0.094 EUR
2075+0.068 EUR
2365+0.057 EUR
4082+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 575 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904H RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: SOT-23, 60V, 0.2A, NPN TRANSISTO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
auf Bestellung 4640 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+0.36 EUR
96+0.21 EUR
154+0.13 EUR
500+0.099 EUR
1000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904H RFGTaiwan SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 350mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.07 EUR
6000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904H RFGTaiwan SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 350mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904H RFGTaiwan SemiconductorBipolar Transistors - BJT SOT-23, 60V, 0.2A, NPN Transistor
auf Bestellung 12635 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.36 EUR
16+0.23 EUR
100+0.13 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.088 EUR
3000+0.071 EUR
9000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904H RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: SOT-23, 60V, 0.2A, NPN TRANSISTO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904H RFGTaiwan SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 350mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1570+0.11 EUR
2075+0.082 EUR
2365+0.07 EUR
4082+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 1570 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904H RFGTaiwan SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 350mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.07 EUR
6000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904HE3-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 40Vceo 6Vebo 200mA 350mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904HE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS 40V 0.2A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
72+0.3 EUR
122+0.17 EUR
198+0.11 EUR
500+0.077 EUR
1000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904HE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904HE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS 40V 0.2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904HLT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.2A SOT23
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904HRFGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MMBT3904HRFG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
582+0.43 EUR
944+0.25 EUR
1530+0.14 EUR
2075+0.1 EUR
2376+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 582 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904K
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904KonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LTaiwan Semiconductor CorporationDescription: SOT-23, 60V, 0.2A, NPN BIPOLAR T
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LTaiwan SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 18000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LTaiwan SemiconductorBipolar Transistors - BJT SOT-23, 60V, 0.2A, NPN Bipolar Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904Lonsemi SS SOT23 GP XSTR NPN 40V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LTaiwan Semiconductor CorporationDescription: SOT-23, 60V, 0.2A, NPN BIPOLAR T
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904L RFTaiwan SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904L RFTaiwan SemiconductorBipolar Transistors - BJT 0,3mW NPN Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904L RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 85282 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.31 EUR
115+0.18 EUR
186+0.11 EUR
500+0.082 EUR
1000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904L RFGTaiwan SemiconductorTRANS NPN 40V 0.2A SOT23 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904L RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.058 EUR
6000+0.052 EUR
9000+0.049 EUR
15000+0.045 EUR
21000+0.043 EUR
30000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904L RFGTaiwan SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904L RFGTaiwan SemiconductorBipolar Transistors - BJT 60V, 0.2A, NPN Bipolar Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904L-T1
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904L-UA RFTaiwan Semiconductor CorporationDescription: TAIWAN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904L-UA RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: TAIWAN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904L3-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW 3-Pin DFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904L3-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904L3-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS NPN 40V 0.2A DFN1006-3
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1006-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LPGOODWORKDescription: 200mA 40V 400mW DFN1006-3L
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LP-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 40V 0.2A X1-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LP-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LP-7DiodesTRANS NPN 40V 0.2A X1-DFN1006-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LP-7DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 200mA; 1W; X1-DFN1006-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 1W
Case: X1-DFN1006-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Manufacturer standard package: 3000pcs.
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+28.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LP-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 40V 0.2A X1-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LP-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LP-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LP-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT NPN SM SIG 60V VCBO 40V VCEO 6.0 VEBO
auf Bestellung 714000 Stücke:
Lieferzeit 346-350 Tag (e)
6+0.65 EUR
10+0.38 EUR
100+0.25 EUR
500+0.24 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LP-7BDIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 1W; X1-DFN1006-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 1W
Case: X1-DFN1006-3
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Manufacturer standard package: 10000pcs.
Pulsed collector current: 0.2A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LP-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 400 mW, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 17709 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+1.24 EUR
328+0.7 EUR
511+0.42 EUR
1000+0.25 EUR
5000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LP-7BDiodes ZetexTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LP-7BDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K
auf Bestellung 190000 Stücke:
Lieferzeit 318-322 Tag (e)
6+0.67 EUR
10+0.38 EUR
100+0.27 EUR
500+0.24 EUR
10000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LP-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 400 mW, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 200mA
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 17709 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+1.24 EUR
328+0.7 EUR
511+0.42 EUR
1000+0.25 EUR
5000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LP-7BDiodes INC.Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 40, Ic = 200 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 300, hFE = 100 @ 10 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 5 мA, 50 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: DFN1006-3 Од. вим: шт
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MMBT3904LT
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MMBT3904LT1Infineon TechnologiesDescription: TRANS NPN 40V 200MA SOT23-3
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MMBT3904LT1onsemiBipolar Transistors - BJT NPN GENERAL PURPOSE
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MMBT3904LT1 SOT23-1AMON
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MMBT3904LT1(1AM)
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MMBT3904LT1(1AM*)
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MMBT3904LT1(ZA)
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