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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2N5150
Produktcode: 140183
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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2N5150Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5150Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 2A 7000mW 3-Pin TO-5 Bag
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2N5150MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N5151Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
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2N5151Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
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2N5151STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
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2N5151MOTOROLA
auf Bestellung 8800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N5151Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W PNP Power BJT THT
auf Bestellung 117 Stücke:
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1+49.3 EUR
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2N5151Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 80V 2A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: TO-39
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/545
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N5151TT Electronics - IoT SolutionsBipolar Transistors - BJT
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2N5151LMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 80V 2A TO5AA
Qualification: MIL-PRF-19500/545
Grade: Military
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-5AA
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2N5151LMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W PNP Long-Lead Power BJT THT
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2N5151U3Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 80V 2A U3
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: U3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.16 W
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N5151U3Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W PNP Low Profile CER Power BJT SMT
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2N5152MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
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2N5152Microsemi CorporationDescription: NPN SILICON TRANSISTOR
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2N5152Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W NPN Power BJT THT
auf Bestellung 1 Stücke:
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1+59.64 EUR
100+55.42 EUR
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2N5152LMicrosemi CorporationDescription: NPN SILICON TRANSISTOR
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2N5152LMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5152LMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W NPN Long-Lead Power BJT THT
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2N5152U3Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W NPN Low Profile CER Power BJT SMT
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2N5153CicorBipolar Transistors - BJT
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2N5153Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W PNP Power BJT THT
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2N5153TT Electronics - IoT SolutionsBipolar Transistors - BJT
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2N5153Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
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2N5153Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
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2N5153MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N5153Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 80V 2A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N5153STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
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2N5153Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
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2N5153-220MIgnionBipolar Transistors - BJT
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2N5153-220MSemelab (TT electronics)Trans GP BJT NPN 80V 5A 4400mW 3-Pin(3+Tab) TO-257AB
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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2N5153-220MTT Electronics - IoT SolutionsBipolar Transistors - BJT
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2N5153DIE2HRSTMicroelectronicsArray
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2N5153DIE2SSTMicroelectronicsArray
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2N5153LMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 80V 2A TO-5AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: TO-5AA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N5153LMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W PNP Long-Lead Power BJT THT
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N5153LMicrochip TechnologyTrans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N5153RESYHRGSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 80V 5A 3300mW 3-Pin(3+Tab) TO-257 T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+861.51 EUR
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2N5153RESYHRGSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 80V 5A 3300mW 3-Pin(3+Tab) TO-257 T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+861.51 EUR
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2N5153RSHRTWSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N5153SMD05Semelab (TT electronics)Trans GP BJT PNP 80V 5A 1000mW 3-Pin SMD-0.5
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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2N5153SMD05Semelab / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT BIPOLAR POWER TRANSISTOR
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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2N5153SSWSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
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2N5153SSWGSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT IGBT & Power Bipolar
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2N5153ST1STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT IGBT & Power Bipolar
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2N5153SWSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
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2N5153SYSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
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2N5153T1STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
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2N5153U3Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 80V 2A U3
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: U3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.16 W
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5153U3Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 80V 2A 1160mW 3-Pin SMD-0.5 Tray
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5153U3Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W PNP Low Profile CER Power BJT SMT
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5154STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
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2N5154MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N5154Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W NPN Power BJT THT
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2N5154Vishay SemiconductorsBipolar Transistors - BJT
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2N5154Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 2A TO-39
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-39
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5154Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5154 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Power SW
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2N5154 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 100Vcbo 80Vceo 6.0Vebo 2.0A 1.0W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5154DIE2HRSTMicroelectronicsArray
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5154DIE2SSTMicroelectronicsArray
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5154ESYSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5154ESY1STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT Rad-Hard 80 V, 5 A NPN transistor - Engineering model
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5154LMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 2A TO-5AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: TO-5AA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5154LMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5154LMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W NPN Long-Lead Power BJT THT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5154S1STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT Rad-Hard 80 V, 5 A NPN transistor - Engineering model
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+421.89 EUR
10+310.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5154S1STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin SMD-0.5 T/R
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+282.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5154S1STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 5A SMD5
Power - Max: 35 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: SMD5
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-276AA
Packaging: Strip
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5154S1STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin SMD-0.5 T/R
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+281.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5154SSWGSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT IGBT & Power Bipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5154ST1STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT IGBT & Power Bipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5154SYSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5154T1STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT Hi-Rel NPN Bipolar Transistor 80V - 5A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5154T2ASemelab / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5154U3Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 2A 1000mW 3-Pin CSMD-0.5 Tray
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+176.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5154U3Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 2A U3
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: U3 (SMD-0.5)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+203.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5154U3Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 2A 1000mW 3-Pin CSMD-0.5 Tray
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+176.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5154U3Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W NPN Low Profile CER Power BJT SMT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5155MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5156MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5157MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5157Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 500V 3.5A 5000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5157Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 500V 3.5A 5000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5158MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5159MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N515AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N516MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5160MOTOROLA
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5160SOLID STATEDescription: SOLID STATE - 2N5160 - TO 3 Silicon Transistor PNP 10P5440
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+47.64 EUR
10+43.33 EUR
25+42.69 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5160AMOTOROLA
auf Bestellung 12850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5161MOT89+ SOP
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5163MOTOROLA
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