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DTC114EU3HZGT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 486 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EU3HZGT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 1925 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
36+0.58 EUR
58+0.37 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EU3HZGT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2643 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
359+0.5 EUR
599+0.29 EUR
973+0.17 EUR
1294+0.12 EUR
1484+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 359 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EU3HZGT106ROHMDescription: ROHM - DTC114EU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 3987 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.68 EUR
610+0.38 EUR
981+0.21 EUR
1339+0.15 EUR
1513+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EU3HZGT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 343 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EU3HZGT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EU3HZGT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5643 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
606+0.3 EUR
950+0.19 EUR
960+0.18 EUR
1323+0.13 EUR
2404+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 606 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EU3HZGT106ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 30
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EU3HZGT106ROHMDescription: ROHM - DTC114EU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 3987 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
371+0.68 EUR
610+0.38 EUR
981+0.21 EUR
1339+0.15 EUR
1513+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 371 Stücke
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DTC114EU3HZGT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 343 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EU3T106ROHMDescription: ROHM - DTC114EU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 3265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
582+0.43 EUR
730+0.32 EUR
1509+0.14 EUR
1852+0.12 EUR
2142+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 582 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 24988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
919+0.19 EUR
1673+0.1 EUR
2037+0.084 EUR
4033+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 919 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 4689 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1755+0.1 EUR
2500+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 1755 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 46443 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1755+0.1 EUR
2500+0.098 EUR
5000+0.093 EUR
10000+0.088 EUR
25000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 1755 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 7509 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
915+0.19 EUR
1568+0.11 EUR
2029+0.084 EUR
4017+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 915 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EU3T106ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 30
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EU3T106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 60013 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
56+0.38 EUR
87+0.24 EUR
141+0.14 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 24988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
577+0.31 EUR
919+0.19 EUR
1673+0.099 EUR
2037+0.079 EUR
4033+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 577 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EU3T106ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 0.1A 10kO SOT-323; SC-70; UMT3
auf Bestellung 22042 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.38 EUR
13+0.24 EUR
100+0.14 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.094 EUR
3000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EU3T106ROHMDescription: ROHM - DTC114EU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 3265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
582+0.43 EUR
730+0.32 EUR
1509+0.14 EUR
1852+0.12 EUR
2142+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 582 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1764+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 1764 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EU3T106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.079 EUR
6000+0.07 EUR
9000+0.067 EUR
15000+0.061 EUR
21000+0.058 EUR
30000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 16509 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
579+0.31 EUR
933+0.18 EUR
1580+0.1 EUR
2050+0.077 EUR
2359+0.064 EUR
3155+0.046 EUR
6000+0.04 EUR
9000+0.036 EUR
15000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 579 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EUALUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 50mA; 0.2W; SOT323; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EUAGOODWORKDescription: 1 NPN pre-bias 100mA 200mW SO
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EUAROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EUAShenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 30@5MA,5V 200MW 100MA 50V SOT-32
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EUAShenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 30@5MA,5V 200MW 100MA 50V SOT-32
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EUA FRAT106ROHMSOT23/SOT323
auf Bestellung 1243 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EUA RRTaiwan SemiconductorBipolar Transistors - BJT Digital Transistor NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EUA T106ROHMSOT23
auf Bestellung 5567 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EUA-13PMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors NPN Digital Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EUA-13PMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EUA-T106
auf Bestellung 2930 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EUA-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors Sgle NPN, 100mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EUA-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EUA-TPMCC (MICRO COMMERCIAL COMP.)Description: MCC (MICRO COMMERCIAL COMP.) - DTC114EUA-TP - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
834+0.3 EUR
1224+0.19 EUR
1891+0.11 EUR
2482+0.087 EUR
2802+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 834 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EUA-TP
Produktcode: 198107
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EUA-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DTC114EUA-TPMicro Commercial ComponentsTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R
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DTC114EUAFROHMSOT323
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DTC114EUAFRAT106ROHMDescription: ROHM - DTC114EUAFRAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 141 Stücke:
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DTC114EUAFRAT106ROHMDescription: ROHM - DTC114EUAFRAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DTC114EUAHE3-TPMicro Commercial ComponentsNPN Digital Transistor Automotive AEC-Q101
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DTC114EUAHE3-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors NPN 50Vcc -10Vin 40V
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DTC114EUAHE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: BIPOLAR TRANSISTORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
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DTC114EUAT106ROHMDescription: ROHM - DTC114EUAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
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DTC114EUAT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
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DTC114EUAT106ROHM SemiconductorDigital Transistors DIGITL NPN 50V 50MA SOT-323
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DTC114EUAT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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DTC114EUAT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
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1764+0.1 EUR
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DTC114EUAT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
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3000+0.098 EUR
6000+0.074 EUR
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DTC114EUAT106ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 30
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DTC114EUAT106
Produktcode: 147887
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DTC114EUBROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased
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DTC114EUB TLROHMSOT23/SOT323
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DTC114EUBHZGTLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN SOT-323FL 50V VCC 0.1A IC
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DTC114EUBHZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1A UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3F
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
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DTC114EUBHZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1A UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3F
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
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DTC114EUBHZGTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMTF T/R Automotive AEC-Q101
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DTC114EUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMTF T/R
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529+0.33 EUR
842+0.2 EUR
1365+0.12 EUR
1877+0.084 EUR
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DTC114EUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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1764+0.1 EUR
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DTC114EUBTLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 100mA; 200mW; R1: 10kΩ; R2: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
auf Bestellung 4570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1588 Stücke
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DTC114EUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMTF T/R
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524+0.35 EUR
908+0.19 EUR
1435+0.12 EUR
1927+0.082 EUR
2284+0.067 EUR
3356+0.044 EUR
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DTC114EUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 1936 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1427+0.12 EUR
1920+0.092 EUR
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DTC114EUBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.07 EUR
6000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DTC114EUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 5896 Stücke:
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908+0.19 EUR
1435+0.12 EUR
1927+0.089 EUR
2284+0.074 EUR
3356+0.049 EUR
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DTC114EUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 1590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1563 Stücke
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DTC114EUBTLROHM SemiconductorDigital Transistors TRANS DIGI BJT NPN 100MA TR
auf Bestellung 2083 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.36 EUR
14+0.21 EUR
100+0.13 EUR
500+0.096 EUR
1000+0.086 EUR
3000+0.069 EUR
6000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EUBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 8139 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+0.36 EUR
98+0.21 EUR
158+0.13 EUR
500+0.096 EUR
1000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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DTC114EUT106ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
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DTC114EXV3T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3620+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3620 Stücke
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DTC114EXV3T1ONSEMIDescription: ONSEMI - DTC114EXV3T1 - DTC114EXV3T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EXV3T1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5455+0.12 EUR
10000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5455 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114GKROHMSOT23
auf Bestellung 79700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114GKAROHM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DTC114GKAT146ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 100MA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114GKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 893 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114GKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
443+0.4 EUR
3000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 443 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114GKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1802+0.099 EUR
2500+0.094 EUR
5000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 1802 Stücke
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DTC114GKAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMT3
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DTC114GKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
443+0.4 EUR
3000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 443 Stücke
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DTC114GKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1764+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 1764 Stücke
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DTC114GL-TL2
auf Bestellung 1330 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DTC114GSROHMTO-92S
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114GUROHMSOT323
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DTC114GU3HZGT106ROHMDescription: ROHM - DTC114GU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: -
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.48 EUR
521+0.42 EUR
725+0.3 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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DTC114GU3HZGT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
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DTC114GU3HZGT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R
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2445+0.073 EUR
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DTC114GU3HZGT106ROHM SemiconductorDigital Transistors Automotive NPN 100mA 50V Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) - DTC114GU3HZG is an digital transistor (Resistor built-in type transistor). Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit withou
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DTC114GU3HZGT106ROHMDescription: ROHM - DTC114GU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: -
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
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463+0.54 EUR
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DTC114GU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
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DTC114GU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
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DTC114GU3T106ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50 VCEO 0.1A SOT-323
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DTC114GU3T106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R2 Only
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56+0.38 EUR
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DTC114GU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
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1902+0.094 EUR
2500+0.089 EUR
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DTC114GU3T106ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323; 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base-emitter resistor: 10kΩ
Produkt ist nicht verfügbar
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DTC114GU3T106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R2 Only
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DTC114GUAROHMSOT323
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