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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
RJK1536DPE-00#J3Renesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 89960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+14.9 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK1555DPA-00#J0Renesas ElectronicsMOSFET JET Series MOSFET, 150V, WPAK, Pb-F, HF
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK1555DPA-00#J0Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 150V 25A 8WPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK1555DPA-WS#J0Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 150V 25A 8WPAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK1557DPA
auf Bestellung 798200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK1557DPA-00#J0Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 150V 25A 8WPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK1557DPA-00#J0Renesas ElectronicsMOSFET JET Series MOSFET, 150V, WPAK, Pb Free
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK1557DPA-00#J0
auf Bestellung 2355 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK1560DPP-M0#T2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 150V 20A TO220FL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 4V
Power Dissipation (Max): 28.5W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FL
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6720 pF @ 25 V
auf Bestellung 1547 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
115+4.64 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK1562DJE-00#Z0Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 150V 1A TO92MOD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Supplier Device Package: TO-92MOD
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Packaging: Bulk
auf Bestellung 102357 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
332+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 332 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK1575DPA-00#J5ARenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 150V 25A WPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
auf Bestellung 4418 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.85 EUR
10+5.19 EUR
100+3.67 EUR
500+3.01 EUR
1000+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK1575DPA-00#J5ARenesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 150V 25A 48mohm SON-8 5x6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK1575DPA-00#J5ARenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 150V 25A WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK1576DPA-00#J5ARenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 150V 25A WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK1576DPA-00#J5ARenesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 150V 25A 58mohm SON-8 5x6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK1576DPA-00#J5ARenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 150V 25A WPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 5977 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.85 EUR
10+5.19 EUR
100+3.67 EUR
500+3.01 EUR
1000+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK2006DPE-00#J3Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 200V 40A 4LDPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LDPAK
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-83
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK2009RENEAS
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK2009DPMRENESAS06+ SOT565
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK2009DPM-00#T0Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK2009DPM-00#T0Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3PFM
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK2009DPM-01SE
auf Bestellung 5846 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK2017RENEASTO220/3
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK2017DPE-00#J3Renesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 23000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
125+4.7 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK2017DPE-WS#J3Renesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Part Status: Active
Packaging: Bulk
auf Bestellung 680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
125+4.7 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK2017DPP-00#T2Renesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 629 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 143 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK2017DPP-90#T2Renesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1367 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
132+4.47 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK2017DPP-90#T2FRenesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 72100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
132+4.47 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK2017DPP-B1#T2FRenesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
132+4.47 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK2017DPP-M0#T2Renesas Electronics CorporationDescription: ABU / MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 650 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK2017DPP-M0#T2Renesas ElectronicsMOSFETs 200V, 36mOhm, TO-220FN
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.07 EUR
25+5.59 EUR
100+4.71 EUR
500+3.72 EUR
1000+3.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK2055DPA
auf Bestellung 798200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK2055DPA-00#J0Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 200V 20A 8WPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK2055DPA-00#J0Renesas ElectronicsMOSFET JET Series MOSFET, 200V, WPAK, Pb Free
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK2055DPA-00#J0Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 200V 20A 8WPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK2055DPA-00-J0RENESAS09+ QFN
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK2055DPA-WS#J0Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 200V 20A 8WPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK2057DPA
auf Bestellung 798200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK2057DPA-00#J0Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 200V 20A 8WPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK2057DPA-00#J0Renesas ElectronicsMOSFET JET Series MOSFET, 200V, WPAK, Pb Free
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK2057DPA-WS#J0Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 200V 20A 8WPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK2075DPA-00#J5ARenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 200V 20A WPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Ta)
Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK2075DPA-00#J5ARenesas ElectronicsMOSFETs MOSFET
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.45 EUR
10+4.58 EUR
25+4.32 EUR
100+3.71 EUR
250+3.5 EUR
500+3.28 EUR
1000+2.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK2075DPA-00#J5ARenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 200V 20A WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Ta)
Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK2076DPA-00#J5ARenesas ElectronicsMOSFETs POWER TRANSISTOR SINGLE POWER MOSFET
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.47 EUR
10+5.43 EUR
25+5.13 EUR
100+4.4 EUR
250+4.14 EUR
500+3.92 EUR
1000+3.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK2076DPA-00#J5ARenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 200V 20A WPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.2 EUR
10+5.37 EUR
100+3.8 EUR
500+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK2076DPA-00#J5ARenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 200V 20A WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK2506
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK2508DPK
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK2508DPK-00#T0Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 250V 50A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3P
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK2508DPK-00#T0Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK2511DPK-00#T0Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET - Lead Free
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK2511DPK-00#T0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 250V 65A TO3P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK2555DPA-00#J0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 250V 17A TO3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK2557DPA-00#J0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 250V 17A TO3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK2557DPK-E
auf Bestellung 335 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK2916
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK3008DPK
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK4002DJE-00#Z0Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 400V 3A TO92MOD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 100 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-92MOD
Power Dissipation (Max): 2.54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK4002DJE-00#Z0Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET
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RJK4002DPD-00#J2Renesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 400V 3A 2900mohm TO-252 / DPAK
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK4002DPD-00#J2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 400V 3A MP3A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V
auf Bestellung 8989 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.06 EUR
10+2.59 EUR
100+1.75 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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RJK4002DPD-00#J2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 400V 3A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.13 EUR
6000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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RJK4002DPP-M0#T2Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET
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RJK4002DPP-M0#T2Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 400V 3A TO220FL
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RJK4006DPD-00#J2Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 400V 8A MP3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: MP-3A
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
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RJK4006DPD-00#J2Renesas Electronics America IncDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MP-3A
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
125+5.02 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK4006DPD-WS#J2Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 400V 8A MP3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: MP-3A
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK4006DPP-G1#T2Renesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Part Status: Active
Packaging: Bulk
auf Bestellung 8032 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
189+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
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RJK4006DPP-M0#T2Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 400V 8A TO220FL
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RJK4006DPP-M0#T2Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK4007DPP-00#T2Renesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 393 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
226+2.61 EUR
Mindestbestellmenge: 226 Stücke
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RJK4007DPP-G2#T2Renesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 456 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
192+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 192 Stücke
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RJK4007DPP-L1#T2Renesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 4643 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
109+5.41 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
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RJK4007DPP-M0#T2Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET
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RJK4007DPP-M0#T2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 400V 7.6A TO220FL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK4012
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RJK4012DPE-00#J3Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 400V 15A LDPAK
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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RJK4013
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RJK4013DPE-00#J3Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 400V 17A 4LDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-83
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: LDPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK4013DPE-00#J3Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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RJK4015DPK-00#T0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 400V 30A TO3P
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RJK4018DPK-00#T0Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK4018DPK-00#T0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 400V 43A TO3P
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RJK4034DJE-00#Z0Renesas ElectronicsRenesas Electronics
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK4502DJE-00#Z0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 450V 2.8A TO92
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK4512DPE-00#J3Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 450V 14A 4LDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-83
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: LDPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK4512DPP-00#T2Renesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK4512DPP-E0#T2RenesasTrans MOSFET N-CH 450V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+8.89 EUR
100+8.34 EUR
500+7.71 EUR
1000+7.13 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK4512DPP-E0#T2Renesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Part Status: Active
Packaging: Bulk
auf Bestellung 3936 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
73+8.18 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK4512DPP-E0#T2RenesasTrans MOSFET N-CH 450V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1782 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+8.89 EUR
100+8.34 EUR
500+7.71 EUR
1000+7.13 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK4512DPP-K0#T2RenesasRJK4512DPP-K0#T2
auf Bestellung 730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
118+5.57 EUR
500+5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK4512DPP-K0#T2Renesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
110+5.38 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK4513
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK4513DPE-00#J3Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 450V 16A LDPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK4514
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK4514DPE
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK4514DPK
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK4514DPK-00#T0Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 450V 22A TO3P
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK4514DPK-00#T0Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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