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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SIS9446DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS9446DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 34 A, 9800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 34A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9800µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2047 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+4.07 EUR
97+2.42 EUR
144+1.49 EUR
500+1.08 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS950SIS
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS961SIS
auf Bestellung 8502 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS961A1CASISBGA
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS961A2EA-AB-1SISBGA
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS961BOIASISBGA
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS962SIS03+
auf Bestellung 1047 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS962 A2 IASISBGA
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS962A2
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS962A2IA(CM02)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS962LSISBGA
auf Bestellung 3325 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiS962LRev:A2
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiS962LRev:C1
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS962LU
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS962LUASIS
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS962LUA-C1SIS0348+
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS962UASIS04+
auf Bestellung 652 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS962UA B1 OASISBGA
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS962UA B1 PASISBGA
auf Bestellung 457 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS963SIS2003
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS9634LDN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs POWRPK N CHAN 60V
auf Bestellung 2780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.39 EUR
10+2.18 EUR
100+1.45 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.05 EUR
3000+0.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS9634LDN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS9634LDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 17.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
auf Bestellung 11930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.53 EUR
11+2.08 EUR
100+1.62 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS9634LDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS9634LDN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.031 ohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung Pd: 17.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 17.9W
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS9634LDN-T1-GE3VishayVishay
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS9634LDN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS9634LDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 17.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.05 EUR
6000+1 EUR
9000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS9634LDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS9634LDN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.031 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 17.9W
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm
Dauer-Drainstrom Id: 6A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 17.9W
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS963A2IA-AB-1SISBGA
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS963LUASIS07+
auf Bestellung 1020 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS963LUA-C1SIS2006
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS963LUAC1
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS963LUAZSIS07+
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS963LUAZC1
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS963UASIS03+
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS963UA/B1
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS963UAA2IA-AB-1SISBGA
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS963UAB1PA-B-1SIS2003
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS964SIS06+
auf Bestellung 1160 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS964 A203+
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS964A2
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS964A2GA
auf Bestellung 1691 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS964A2GA-B-1SIS06+PB
auf Bestellung 10398 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS964LSIS
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS964LA2G-A-B-1SISBGA
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS964ZSIS0601
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS964ZA2
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS965SISI0548+
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS965/B1
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS965B1
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS965B1FA-H-1
auf Bestellung 2022 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS965LSIS
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS966SIS06+
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS966L
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS966Z(A1)
auf Bestellung 326 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS968N/A
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS968BO
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS968BOAASIS08+
auf Bestellung 784 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS9806
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS990DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A PPAK1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.74 EUR
6000+0.69 EUR
9000+0.65 EUR
15000+0.63 EUR
21000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS990DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS990DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 12.1 A, 12.1 A, 0.071 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.071ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.071ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 14038 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+2.65 EUR
142+1.64 EUR
186+1.15 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.73 EUR
5000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS990DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 17271 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.14 EUR
10+1.43 EUR
100+1.08 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.77 EUR
3000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS990DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A PPAK1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
auf Bestellung 41010 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.83 EUR
12+1.78 EUR
100+1.18 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS990DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 27791 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS990DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS990DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 12.1 A, 12.1 A, 0.071 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.071ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.071ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 14038 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.65 EUR
142+1.64 EUR
186+1.15 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.73 EUR
5000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA01DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.61 EUR
6000+0.56 EUR
9000+0.54 EUR
15000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA01DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISA01DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 4900 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2098 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+2.93 EUR
128+1.81 EUR
190+1.13 EUR
500+0.88 EUR
1500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA01DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK 1212 EP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA01DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V
auf Bestellung 18845 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.34 EUR
15+1.48 EUR
100+0.98 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA01DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 20006 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.03 EUR
10+1.37 EUR
100+0.95 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.74 EUR
3000+0.65 EUR
6000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA01DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISA01DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 4900 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2098 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.93 EUR
128+1.81 EUR
190+1.13 EUR
500+0.88 EUR
1500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA04DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA04DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs For New Design See: 78-SISHA04DN-T1-GE3
auf Bestellung 27099 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.37 EUR
10+2.14 EUR
100+1.43 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.02 EUR
3000+0.94 EUR
6000+0.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA04DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISA04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2150 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2150µohm
auf Bestellung 5767 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+4.18 EUR
94+2.49 EUR
140+1.54 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.11 EUR
5000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA04DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA04DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 639 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.68 EUR
109+1.55 EUR
110+1.48 EUR
134+1.17 EUR
250+1.09 EUR
500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA04DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
auf Bestellung 1489 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.5 EUR
10+2.24 EUR
100+1.5 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA10BDN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 26A
auf Bestellung 8099 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.93 EUR
10+1.86 EUR
100+1.24 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.88 EUR
3000+0.77 EUR
9000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA10BDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISA10BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 104 A, 3600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 63W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
auf Bestellung 4981 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+3.5 EUR
113+2.06 EUR
170+1.26 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA10BDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
auf Bestellung 5770 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.87 EUR
13+1.67 EUR
100+1.3 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA10BDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA10BDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISA10BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 104 A, 3600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 63W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 63W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
auf Bestellung 4981 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.5 EUR
113+2.06 EUR
170+1.26 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA10DNVishay / SiliconixMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA10DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA10DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs For New Design See: 78-SISHA10DN-T1-GE3
auf Bestellung 3591 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.03 EUR
10+1.93 EUR
100+1.29 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.92 EUR
3000+0.84 EUR
6000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA10DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5263 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.18 EUR
11+1.95 EUR
100+1.52 EUR
500+1.25 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA10DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA10DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA12ADN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISA12ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25 A, 4300 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 28W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
auf Bestellung 1514 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+3.47 EUR
113+2.06 EUR
171+1.26 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA12ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 15 V
auf Bestellung 4549 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.92 EUR
12+1.84 EUR
100+1.23 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA12ADN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs For New Design See: 78-SISHA12ADN-T1-GE3
auf Bestellung 17968 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.93 EUR
10+1.32 EUR
100+0.92 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
3000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA12ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA12BDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 87A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 52W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.7 EUR
6000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA12BDN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 24A
auf Bestellung 11411 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.83 EUR
10+1.78 EUR
100+1.18 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
6000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA12BDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISA12BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 87 A, 4300 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
auf Bestellung 5640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.38 EUR
118+1.98 EUR
177+1.21 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.8 EUR
5000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA12BDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 87A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6024 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.87 EUR
13+1.62 EUR
100+1.12 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA12BDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISA12BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 87 A, 4300 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
auf Bestellung 5640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+3.38 EUR
118+1.98 EUR
177+1.21 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.8 EUR
5000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA12DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA12DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA12DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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